Ultra-High Speed Analog/Digital Integrated Circuits Using InAs Nanowires

使用 InAs 纳米线的超高速模拟/数字集成电路

• 批准号: 21560362
• 负责人: WAHO Takao
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560362/
• 关键词: 先端機能デバイス; 集積回路; 半導体超微細化; ナノワイヤ; 化合物半導体; 電子デバイス・機器; 国際情報交換; ドイツ; 国際情報交換(ドイツ); 国際研究者交流(ドイツ)

By using a field-assisted self-assembly technique, we have succeeded in placing InAs nanowires on an IC substrate with a good controllability of position and direction. A simple sample-and-hold(S/H) circuit is then fabricated by applying the technique, and a successful S/H operation is obtained. Furthermore, a high-speed and high-resolution S/H circuit is proposed based on circuit simulations that use InAs nanowire HFET device parameters extracted from high-frequency S-parameters.

通过场辅助自组装技术，我们成功地将InAs纳米线放置在IC衬底上，具有良好的位置和方向可控性。应用该技术制作了一个简单的采样保持（S/H）电路，并获得了成功的S/H操作。此外，一个高速和高分辨率的S/H电路，提出了基于电路模拟，使用InAs纳米线HFET器件参数提取的高频S参数。

项目成果

A low-power delta-sigma modulator using dynamic-source-follower integrators

• DOI: 10.1109/icecs.2010.5724571
• 发表时间: 2010-12
• 期刊: 2010 17th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems
• 作者: Ryoto Yaguchi;F. Adachi;T. Waho

InAs Nanowire Circuits Fabricated by Field-Assisted Self-Assembly on a Host Substrate

在主基板上通过场辅助自组装制造 InAs 纳米线电路

• DOI: 10.1587/transele.e95.c.1369
• 发表时间: 2012
• 期刊: IEICE Trans. Electron.
• 作者: K Blekker;R. Richter;R. Oda;S. Taniyama;O. Benner;G. Keller;B Münstermann;A. Lysov;I. Regolin. T. Waho;W Prost
• 通讯作者: W Prost

Short-Range Wireless Communications: Emerging Technologies and Applications

• 发表时间: 2009-04
• 作者: R. Kraemer;M. Katz

Data Converters for Wireless Communications

用于无线通信的数据转换器

• 发表时间: 2010
• 作者: R.Yaguchi;T.Waho;et al.;T.Waho
• 通讯作者: T.Waho

HEMTコンパレータを用いた連続時間2次ΔΣ変調器の性能比較

使用 HEMT 比较器的连续时间二阶 ΔΣ 调制器的性能比较

• 发表时间: 2010
• 作者: 星啓太;野口和久;和保孝夫
• 通讯作者: 和保孝夫