High performance SnO2 based transparent conductive films by using seed layer

使用种子层的高性能 SnO2 基透明导电薄膜

• 批准号: 24760034
• 负责人: NAKAO Shoichiro
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Kanagawa Academy of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24760034/
• 关键词: 透明導電膜; 酸化スズ; PLD; エッチング; 薄膜; スパッタ; スパッタリング

In this study, we successfully fabricated highly conductive SnO2 thin films with improved etching properties by combining solid phase crystallization with seed-layer method.We first investigated the transport properties of amorphous undoped and Ta-doped SnO2 (TTO) thin films grown on unheated glass substrates by pulsed laser deposition. Optimized films exhibited a resistivity of 2*10-3 ohm*cm, carrier density (ne) of 1-2*1020 cm-3, and were highly transparent in the visible region. Ta-doping had little effect on ne in amorphous films, in contrast to in crystalline phases. These results suggest that carrier electrons in amorphous SnO2 films originated from oxygen vacancies, similar to in In2O3-based amorphous films. In addition, we found that anatase TiO2 seed layer improved conductivity, resulting in resistivity of 1*10-3 ohm*cm. Structural characterization, however, revealed no epitaxial growth on anatase TiO2 unlike our previous studies on heated substrates.

本研究采用固相晶化和种子层相结合的方法成功制备了具有良好刻蚀性能的高导电SnO 2薄膜，并首次研究了脉冲激光沉积法在未加热玻璃衬底上制备的非晶未掺杂和Ta掺杂SnO 2（TTO）薄膜的输运性质。优化的膜表现出2*10-3 Ω *cm的电阻率，1-2*1020 cm-3的载流子密度（ne），并且在可见光区高度透明。钽掺杂对非晶薄膜中的ne影响不大，相反，在结晶相。这些结果表明，载流子电子在非晶SnO 2薄膜起源于氧空位，类似于在In 2 O3基非晶薄膜。此外，我们发现，TiO 2晶种层提高了导电性，导致电阻率为1*10-3 ohm*cm。然而，结构表征显示，没有外延生长的TiO 2上不像我们以前的研究加热基板。

项目成果

神奈川科学技術アカデミー>研究事業のご紹介>「透明機能材料」グループ >研究内容>高移動度透明電動膜

神奈川科学技术研究院>研究项目介绍>“透明功能材料”研究组>研究内容>高迁移率透明导电膜

Fabrication of NbO2 Thin Films Using Solid Phase Crystallizations

利用固相结晶法制备 NbO2 薄膜

• 发表时间: 2013
• 作者: Shoichiro Nakao;Yasushi Hirose;Tomoteru Fukumura ;and Tetsuya Hasegawa
• 通讯作者: and Tetsuya Hasegawa

Fabrication of Ta-doped SnO2 Thin Films on Unheated Glass Substrates by Pulsed Laser Deposition (PLD)

采用脉冲激光沉积 (PLD) 在未加热玻璃基板上制备 Ta 掺杂 SnO2 薄膜

• 发表时间: 2013
• 作者: Shoichiro Nakao;Yasushi Hirose;Tomoteru Fukumura;and Tetsuya Hasegawa
• 通讯作者: and Tetsuya Hasegawa

非晶質SnO2薄膜の電気伝導：Ta置換量依存性

非晶 SnO2 薄膜的导电性：Ta 取代量依赖性

• 发表时间: 2014
• 作者: 中尾祥一郎;廣瀬靖;福村知昭,長谷川哲也
• 通讯作者: 福村知昭,長谷川哲也

Study on SnO2 Transparent Conductive Thin Films by Pulsed Laser Deposition

脉冲激光沉积SnO2透明导电薄膜的研究

• 发表时间: 2013
• 作者: Shoichiro Nakao;Naoomi Yamada;Yasushi Hirose;and Tetsuya Hasegawa
• 通讯作者: and Tetsuya Hasegawa