Formation of nanocrystal by low energy electron irradiation in semiconductors
Formation of nanocrystal by low energy electron irradiation in semiconductors
半导体中低能电子辐照形成纳米晶体
批准号：
24760539
负责人：
NITTA Noriko
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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Effect of low-energy electron irradiation in InSb compound semiconductor
低能电子辐照对InSb化合物半导体的影响
低能电子辐照对InSb化合物半导体的影响
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Nitta, S. Sakai, T. Nishiuchi, M. Taniwaki, A. Hatta, K. Yoshida, and H. Yasuda]
通讯作者：
and H. Yasuda
イオンビーム照射によるゲルマニウム表面周期構造の微細化の検討
离子束辐照细化锗表面周期结构的研究
离子束辐照细化锗表面周期结构的研究
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森田憲治, 重松晃次, 松本亜里紗, 新田紀子, 谷脇雅文]
通讯作者：
谷脇雅文
低エネルギー電子照射によるナノ結晶形成の照射温度依存性
低能电子辐照纳米晶体形成的辐照温度依赖性
低能电子辐照纳米晶体形成的辐照温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福永智之, 平田好洋, 松永直樹, 鮫島宗一郎, 内藤公喜, 新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋]
通讯作者：
新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋
Structural changes induced by low-energy electron irradiation in III-V compound semiconductors
III-V族化合物半导体中低能电子辐照引起的结构变化
III-V族化合物半导体中低能电子辐照引起的结构变化
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishiuchi, N. Nitta, M. Taniwaki, A. Hatta, and H. Yasuda]
通讯作者：
and H. Yasuda
合物半導体のイオンビーム照射効果の解明とその応用
离子束辐照对化合物半导体的影响及其应用的阐明
离子束辐照对化合物半导体的影响及其应用的阐明
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[新田紀子, 重松晃次, 谷脇雅文, 八田章光, 保田英洋]
通讯作者：
保田英洋
共 13 条
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