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Formation of nanocrystal by low energy electron irradiation in semiconductors
半导体中低能电子辐照形成纳米晶体
基本信息
- 批准号：24760539
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of low-energy electron irradiation in InSb compound semiconductor
低能电子辐照对InSb化合物半导体的影响
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Nitta;S. Sakai;T. Nishiuchi;M. Taniwaki;A. Hatta;K. Yoshida;and H. Yasuda
- 通讯作者：and H. Yasuda
イオンビーム照射によるゲルマニウム表面周期構造の微細化の検討
离子束辐照细化锗表面周期结构的研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：森田憲治;重松晃次;松本亜里紗;新田紀子;谷脇雅文
- 通讯作者：谷脇雅文
低エネルギー電子照射によるナノ結晶形成の照射温度依存性
低能电子辐照纳米晶体形成的辐照温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：福永智之;平田好洋;松永直樹;鮫島宗一郎;内藤公喜;新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋
- 通讯作者：新田 紀子 西内 大貴 谷脇 雅文 八田 章光 保田 英洋
Structural changes induced by low-energy electron irradiation in III-V compound semiconductors
III-V族化合物半导体中低能电子辐照引起的结构变化
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nishiuchi;N. Nitta;M. Taniwaki;A. Hatta;and H. Yasuda
- 通讯作者：and H. Yasuda
合物半導体のイオンビーム照射効果の解明とその応用
离子束辐照对化合物半导体的影响及其应用的阐明
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：新田紀子;重松晃次;谷脇雅文;八田章光;保田英洋
- 通讯作者：保田英洋
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