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Development of the solar cells using the ferroelectric semiconductor heterointerface

Development of the solar cells using the ferroelectric semiconductor heterointerface
使用铁电半导体异质界面的太阳能电池的开发
批准号:
24760545
负责人:
YANAGI Hiroshi
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2014-03-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
采用水热法在SrTiO3单晶衬底上制备了BiFeO3外延薄膜。BiFeO3外延膜的电阻太大而不能测量用于确定能带图(导带最小值和价带最大值的能量位置)的紫外光电子能谱,并且太小而不能测量它们。然后,极化钛酸钡被用作测试样品的确认的带斜率引起的极化:清晰的带斜率观察到的XPS测量与低能量的电子淹没枪。因此,在极化铁电太阳能电池中,可以预期开路电压大于带隙能量。
英文摘要
BiFeO3 epitaxial films were prepared by hydrothermal synthesis method on the SrTiO3 single crystalline substrates. The resistance of the BiFeO3 epitaxial films was too large to measure ultraviolet photoelectron spectroscopy for determining the band diagram (the energy positions of the conduction band minimum and the valence band maximum) and too small to polarize them. Then, polarized BaTiO3 was employed as the test sample for the confirmation of the band slope induced by the polarization: clear band slope was observed by XPS measurements with a low-energy electron flood gun. As a result, open-circuit voltage which is larger than the band gap energy can be expected in polarized ferroelectric solar cells.
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会议论文
CuCdVO_4の結晶構造解析と電子状態観察
CuCdVO_4晶体结构分析及电子态观察
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者: [堀内隆弘,和田智志,柳博, 井口雄喜,柳博]
通讯作者: 井口雄喜,柳博
新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御
新型非晶氧化物半导体Cd-M-O薄膜(M=Ga、Si)的制备与带隙控制
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [堀内隆弘,和田智志,柳博, 井口雄喜,柳博, 堀内 隆弘,和田 智志,柳 博, 柳 博,佐藤 千友紀,高木 暢人,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄]
通讯作者: 柳 博,佐藤 千友紀,高木 暢人,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者: [堀内隆弘,和田智志,柳博, 井口雄喜,柳博, 堀内 隆弘,和田 智志,柳 博]
通讯作者: 堀内 隆弘,和田 智志,柳 博
DOI: --
发表时间: 2013
期刊:
影响因子: --
作者: [堀内隆弘,和田智志,柳博]
通讯作者: 堀内隆弘,和田智志,柳博
6
    Development of new concept solar cell by utilizing natural superlattice
    • 批准号:
      22656144
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.22万
    • 财政年份:
      2010
    • 负责人:
      YANAGI Hiroshi
    • 依托单位:
    Defect control in p-type oxide semiconductor for device application
    • 批准号:
      21686061
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $17.97万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      YANAGI Hiroshi
    • 依托单位:
    海外基金