Development of the solar cells using the ferroelectric semiconductor heterointerface
Development of the solar cells using the ferroelectric semiconductor heterointerface
批准号:
24760545
负责人:
YANAGI Hiroshi
金额:
$2.91万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2014-03-31
中文摘要
采用水热合成法在钛酸锶单晶衬底上制备了BiFeO3外延薄膜。BiFeO_3外延薄膜的电阻太大,无法测量紫外光电子能谱来确定能带图(导带最小和价带最大的能量位置),也太小,不能对它们进行极化。然后,用极化的BaTiO_3作为测试样品,证实了极化引起的带斜率:用低能电子注入枪进行XPS测量,观察到明显的带斜率。因此,在偏振铁电太阳电池中,开路电压有望大于带隙能量。
英文摘要
BiFeO3 epitaxial films were prepared by hydrothermal synthesis method on the SrTiO3 single crystalline substrates. The resistance of the BiFeO3 epitaxial films was too large to measure ultraviolet photoelectron spectroscopy for determining the band diagram (the energy positions of the conduction band minimum and the valence band maximum) and too small to polarize them. Then, polarized BaTiO3 was employed as the test sample for the confirmation of the band slope induced by the polarization: clear band slope was observed by XPS measurements with a low-energy electron flood gun. As a result, open-circuit voltage which is larger than the band gap energy can be expected in polarized ferroelectric solar cells.
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CuCdVO_4の結晶構造解析と電子状態観察
CuCdVO_4晶体结构分析及电子态观察
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[堀内隆弘,和田智志,柳博, 井口雄喜,柳博]
通讯作者:
井口雄喜,柳博
新規アモルファス酸化物半導体Cd-M-O薄膜(M = Ga, Si)の作製とバンドギャップ制御
新型非晶氧化物半导体Cd-M-O薄膜(M=Ga、Si)的制备与带隙控制
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[堀内隆弘,和田智志,柳博, 井口雄喜,柳博, 堀内 隆弘,和田 智志,柳 博, 柳 博,佐藤 千友紀,高木 暢人,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄]
通讯作者:
柳 博,佐藤 千友紀,高木 暢人,鈴木 一誓,小俣 孝久,神谷 利夫,細野 秀雄
水熱合成法によるエピタキシャルBiFeO3薄膜の作製とその電子状態
水热合成外延BiFeO3薄膜的制备及其电子态
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[堀内隆弘,和田智志,柳博, 井口雄喜,柳博, 堀内 隆弘,和田 智志,柳 博]
通讯作者:
堀内 隆弘,和田 智志,柳 博
水熱合成法によるエピタキシャルBiFeO_3薄膜の作製とその電子状態
水热合成外延BiFeO_3薄膜的制备及其电子态
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[堀内隆弘,和田智志,柳博]
通讯作者:
堀内隆弘,和田智志,柳博
山梨大学 工学部 応用化学科ウェブサイト
山梨大学工学部应用化学系主页
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
Development of new concept solar cell by utilizing natural superlattice
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批准号:22656144
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.22万
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财政年份:2010
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负责人:YANAGI Hiroshi
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依托单位:
Defect control in p-type oxide semiconductor for device application
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批准号:21686061
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$17.97万
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财政年份:2009
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负责人:YANAGI Hiroshi
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依托单位:
海外基金