Realization of phosphor free white LED for lighting

照明用无荧光粉白光LED的实现

• 批准号: 24686003
• 负责人: IWAYA Motoaki
• 金额: $ 16.22万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24686003/
• 关键词: 白色LED; 貼りあわせ技術; プラズモン; ナノ構造; 光取り出し効率; 緑色LED; 貼り合わせ技術; その場観察; GaInN; ITO; 基板剥離; GaN; 多層膜反射鏡; LED; Moth-eye構造; トンネル接合; 貼り合わせ; ブロードスペクトル; ナノ金属; アンチモン; レーザ剥離技術; 不純物の添加; ナノ粒子

项目成果

Control of crystallinity of GaN grown on sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy using in situ X-ray diffraction monitoring method

原位 X 射线衍射监测方法通过金属有机气相外延控制蓝宝石衬底上生长的 GaN 的结晶度

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.11.010
• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of Crystal Growth 401
• 作者: Motoaki Iwaya;Taiji Yamamoto;Daiki Tanaka;Daisuke Iida;Satoshi Kamiyama;Tetsuya Takeuchi;Isamu Akasaki
• 通讯作者: Isamu Akasaki

Observation of group III nitride semiconductors by in situ X-ray diffraction monitoring during MOVPE growth

MOVPE 生长过程中通过原位 X 射线衍射监测观察 III 族氮化物半导体

• 发表时间: 2014
• 作者: Motoaki Iwaya;Taiji Yamamoto;Daisuke Iida;Mihoko Sowa;Yasunari Kondo;Tetsuya Takeuchi;Satoshi Kamiyama;and Isamu Akasaki
• 通讯作者: and Isamu Akasaki

Microstructure of AIGaN on Low-Dislocation Density AIN Underlying Layer Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth

外延横向生长低位错密度AlN底层上AlGaN的微观结构

• 发表时间: 2012
• 作者: K Ide. J. Yamamoto;M. Iwaya;S. Kamiyama;T. Takeuchi;I. Akasaki;and H Amano
• 通讯作者: and H Amano

Composition dependence of critical thicknesses in GaInN/GaN characterized by situ X-ray diffraction measurement

通过原位 X 射线衍射测量表征 GaInN/GaN 中临界厚度的成分依赖性

• 发表时间: 2012
• 作者: . Kondo;D. Iida;T. Sugiyama;H. Matsubara;M. Sowa;M. Iwaya;T. Takeuchi;S. Kamiyama;I. Akasaki
• 通讯作者: I. Akasaki

Study on efficiency component estimation by electroluminescence and photoluminescense intensities

电致发光和光致发光强度估计效率成分的研究

• 发表时间: 2012
• 作者: K. Aoyama;A. Suzuki;T. Kitano;S. Kamiyama;T. Takeuchi;M. Iwaya;I. Akasaki
• 通讯作者: I. Akasaki