Development and application of a time-dependent electron-transport simulator

瞬态电子输运模拟器的开发与应用

• 批准号: 24710152
• 负责人: EGAMI Yoshiyuki
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24710152/
• 关键词: 第一原理計算; 電子輸送特性; 時間依存密度汎関数法; Impulse Response法; 理論物性物理; 分子デバイス

First-principles electron-transport property simulator based on the time-dependent density functional theory has been developed to demonstrate the dynamic behavior of flowing electrons through nanostructures and explore the suitable materials for novel electronic devices. In this study, the response times of transmission peaks in the conduction channels were compared. It has been found that the contribution to electron transporting can be ignore since the response time of the channel is enough long in the organic molecular chain systems. Moreover, the response time can be affected by change in the conformation of molecule or the condition of interface between the molecule and electrodes.

开发了基于时间相关密度泛函理论的第一性原理电子传输特性模拟器，用于演示电子流过纳米结构的动态行为，并探索新型电子器件的合适材料。在本研究中，比较了传导通道中传输峰的响应时间。已经发现，由于有机分子链系统中通道的响应时间足够长，因此对电子传输的贡献可以忽略不计。此外，响应时间会受到分子构象变化或分子与电极之间界面状况的影响。

项目成果

First-principles transport calculation method based on real-space finite-difference nonequilibrium Green's function scheme

• DOI: 10.1103/physrevb.86.195406
• 发表时间: 2012-07
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: T. Ono;Y. Egami;K. Hirose

GaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の不純物分布依存性

GaAs(110)对称量子阱中自旋弛豫时间的杂质分布依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: 明楽浩史;鈴浦秀勝;江上喜幸
• 通讯作者: 江上喜幸

zinc-blende(110)対称量子井戸におけるスピン緩和とLOフォノン散乱

闪锌矿(110)对称量子阱中的自旋弛豫和LO声子散射

• 发表时间: 2014
• 作者: 明楽浩史;鈴浦秀勝
• 通讯作者: 鈴浦秀勝

デルタドープGaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の電子密度依存性

δ 掺杂 GaAs(110) 对称量子阱中自旋弛豫时间的电子密度依赖性

• 发表时间: 2013
• 作者: Kojima;N.;Takeuchi;S. and Sakai;Y.;江上喜幸，明楽浩史;明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸
• 通讯作者: 明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸

Spin relaxation in a zinc-blende (110) symmetric quantum well with δ doping

δ 掺杂闪锌矿 (110) 对称量子阱中的自旋弛豫

• DOI: 10.1103/physrevb.89.075314
• 发表时间: 2014
• 期刊: Phys. Rev. B
• 作者: H. Akera;H. Suzuura;and Y. Egami
• 通讯作者: and Y. Egami