Fundamental studies on carrier recombination process at the surface and interface to improve nitride-based optoelectronic device performance
Fundamental studies on carrier recombination process at the surface and interface to improve nitride-based optoelectronic device performance
表面和界面载流子复合过程的基础研究以提高氮化物基光电器件性能
批准号：
25390071
负责人：
Onuma Takeyoshi
金额：
$3.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Cathodoluminescence Spectra of beta-gallium Oxide Thin Film Fabricated by Molecular Precursor Method
分子前体法制备β-氧化镓薄膜的阴极发光光谱
分子前体法制备β-氧化镓薄膜的阴极发光光谱
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高野宗一郎, 尾沼猛儀, 本田徹, 佐藤光史他4名]
通讯作者：
佐藤光史他4名
Optical characterization of gallium-indium-oxide wide bandgap semiconductors for future device applications
用于未来器件应用的氧化镓铟宽带隙半导体的光学表征
用于未来器件应用的氧化镓铟宽带隙半导体的光学表征
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾沼猛儀, 佐藤光史, 本田徹他3名]
通讯作者：
本田徹他3名
Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾沼猛儀, 東脇正高, 本田徹他4名]
通讯作者：
本田徹他4名
Temperature dependent cathodoluminescence spectra of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method
分子前驱体法制备Ga-In-O薄膜的温度依赖性阴极发光光谱
分子前驱体法制备Ga-In-O薄膜的温度依赖性阴极发光光谱
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾沼猛儀, 本田徹, 佐藤光史他7名]
通讯作者：
佐藤光史他7名
ミストCVD 法を用いたGa2O3及びIn2O3成長
使用雾气 CVD 方法生长 Ga2O3 和 In2O3
使用雾气 CVD 方法生长 Ga2O3 和 In2O3
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田沼圭亮, 山口智広, 尾沼猛儀他2名]
通讯作者：
尾沼猛儀他2名
共 49 条
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