Fundamental studies on carrier recombination process at the surface and interface to improve nitride-based optoelectronic device performance

表面和界面载流子复合过程的基础研究以提高氮化物基光电器件性能

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Cathodoluminescence Spectra of beta-gallium Oxide Thin Film Fabricated by Molecular Precursor Method
分子前体法制备β-氧化镓薄膜的阴极发光光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高野宗一郎;尾沼猛儀;本田徹;佐藤光史他4名
  • 通讯作者:
    佐藤光史他4名
Optical characterization of gallium-indium-oxide wide bandgap semiconductors for future device applications
用于未来器件应用的氧化镓铟宽带隙半导体的光学表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    尾沼猛儀;佐藤光史;本田徹他3名
  • 通讯作者:
    本田徹他3名
Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    尾沼猛儀;東脇正高;本田徹他4名
  • 通讯作者:
    本田徹他4名
Temperature dependent cathodoluminescence spectra of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method
分子前驱体法制备Ga-In-O薄膜的温度依赖性阴极发光光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    尾沼猛儀;本田徹;佐藤光史他7名
  • 通讯作者:
    佐藤光史他7名
ミストCVD 法を用いたGa2O3及びIn2O3成長
使用雾气 CVD 方法生长 Ga2O3 和 In2O3
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田沼圭亮;山口智広;尾沼猛儀他2名
  • 通讯作者:
    尾沼猛儀他2名
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Onuma Takeyoshi其他文献

Investigation of the adsorption structure of CuPc on NaCl/Ag(111) using STM
使用 STM 研究 CuPc 在 NaCl/Ag(111) 上的吸附结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsuura Haruka;Onuma Takeyoshi;Sumiya Masatomo;Yamaguchi Tomohiro;Ren Bing;Liao Meiyong;Honda Tohru;Sang Liwen;Rafael Jaculbia
  • 通讯作者:
    Rafael Jaculbia
In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
GaN 和 InN 上 GaInN RF-MBE 生长的原位同步加速器 X 射线衍射倒易空间映射测量
  • DOI:
    10.3390/cryst9120631
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Yamaguchi Tomohiro;Sasaki Takuo;Fujikawa Seiji;Takahasi Masamitu;Araki Tsutomu;Onuma Takeyoshi;Honda Tohru;Nanishi Yasushi
  • 通讯作者:
    Nanishi Yasushi
対称なバンド構造をもつ多重縮退ホップ半金属の光学伝導度
对称能带结构多简并Hopf半金属的光电导率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Heita Shafudah Natangue;Nagai Hiroki;Suwazono Yutaka;Ozawa Ryuhei;Kudoh Yukihiro;Takahashi Taiju;Onuma Takeyoshi;Sato Mitsunobu;羽部哲朗
  • 通讯作者:
    羽部哲朗
MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
AlGaN/GaN-on-Si 模板上生长的 InGaN/GaN 异质结构的 MOCVD 生长和研究
  • DOI:
    10.3390/app9091746
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsuura Haruka;Onuma Takeyoshi;Sumiya Masatomo;Yamaguchi Tomohiro;Ren Bing;Liao Meiyong;Honda Tohru;Sang Liwen
  • 通讯作者:
    Sang Liwen
Hydrophilic Titania Thin Films from a Molecular Precursor Film Formed via Electrospray Deposition on a Quartz Glass Substrate Precoated with Carbon Nanotubes
通过电喷雾沉积在预涂碳纳米管的石英玻璃基板上形成的分子前体膜形成的亲水性二氧化钛薄膜
  • DOI:
    10.3390/coatings10111050
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Heita Shafudah Natangue;Nagai Hiroki;Suwazono Yutaka;Ozawa Ryuhei;Kudoh Yukihiro;Takahashi Taiju;Onuma Takeyoshi;Sato Mitsunobu
  • 通讯作者:
    Sato Mitsunobu

Onuma Takeyoshi的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 3.33万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

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