权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Fundamental studies on carrier recombination process at the surface and interface to improve nitride-based optoelectronic device performance

表面和界面载流子复合过程的基础研究以提高氮化物基光电器件性能

基本信息

批准号：
25390071
负责人：
Onuma Takeyoshi
金额：
$ 3.33万
依托单位：
Kogakuin University (2015)Tokyo National College of Technology (2013-2014)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Cathodoluminescence Spectra of beta-gallium Oxide Thin Film Fabricated by Molecular Precursor Method

分子前体法制备β-氧化镓薄膜的阴极发光光谱

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
高野宗一郎;尾沼猛儀;本田徹;佐藤光史他4名
通讯作者：
佐藤光史他4名

Optical characterization of gallium-indium-oxide wide bandgap semiconductors for future device applications

用于未来器件应用的氧化镓铟宽带隙半导体的光学表征

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
尾沼猛儀;佐藤光史;本田徹他3名
通讯作者：
本田徹他3名

Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals

β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
尾沼猛儀;東脇正高;本田徹他4名
通讯作者：
本田徹他4名

Temperature dependent cathodoluminescence spectra of Ga-In-O films fabricated by molecular precursor method

分子前驱体法制备Ga-In-O薄膜的温度依赖性阴极发光光谱

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
尾沼猛儀;本田徹;佐藤光史他7名
通讯作者：
佐藤光史他7名

ミストCVD 法を用いたGa2O3及びIn2O3成長

使用雾气 CVD 方法生长 Ga2O3 和 In2O3

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
田沼圭亮;山口智広;尾沼猛儀他2名
通讯作者：
尾沼猛儀他2名

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Onuma Takeyoshi其他文献

Investigation of the adsorption structure of CuPc on NaCl/Ag(111) using STM

使用 STM 研究 CuPc 在 NaCl/Ag(111) 上的吸附结构

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Matsuura Haruka;Onuma Takeyoshi;Sumiya Masatomo;Yamaguchi Tomohiro;Ren Bing;Liao Meiyong;Honda Tohru;Sang Liwen;Rafael Jaculbia
通讯作者：
Rafael Jaculbia

In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN

GaN 和 InN 上 GaInN RF-MBE 生长的原位同步加速器 X 射线衍射倒易空间映射测量

DOI：
10.3390/cryst9120631
发表时间：
2019
期刊：
Crystals
影响因子：
2.7
作者：
Yamaguchi Tomohiro;Sasaki Takuo;Fujikawa Seiji;Takahasi Masamitu;Araki Tsutomu;Onuma Takeyoshi;Honda Tohru;Nanishi Yasushi
通讯作者：
Nanishi Yasushi

対称なバンド構造をもつ多重縮退ホップ半金属の光学伝導度

对称能带结构多简并Hopf半金属的光电导率

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Heita Shafudah Natangue;Nagai Hiroki;Suwazono Yutaka;Ozawa Ryuhei;Kudoh Yukihiro;Takahashi Taiju;Onuma Takeyoshi;Sato Mitsunobu;羽部哲朗
通讯作者：
羽部哲朗

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template

AlGaN/GaN-on-Si 模板上生长的 InGaN/GaN 异质结构的 MOCVD 生长和研究

DOI：
10.3390/app9091746
发表时间：
2019
期刊：
Applied Sciences
影响因子：
0
作者：
Matsuura Haruka;Onuma Takeyoshi;Sumiya Masatomo;Yamaguchi Tomohiro;Ren Bing;Liao Meiyong;Honda Tohru;Sang Liwen
通讯作者：
Sang Liwen

Hydrophilic Titania Thin Films from a Molecular Precursor Film Formed via Electrospray Deposition on a Quartz Glass Substrate Precoated with Carbon Nanotubes

通过电喷雾沉积在预涂碳纳米管的石英玻璃基板上形成的分子前体膜形成的亲水性二氧化钛薄膜

DOI：
10.3390/coatings10111050
发表时间：
2020
期刊：
Coatings
影响因子：
3.4
作者：
Heita Shafudah Natangue;Nagai Hiroki;Suwazono Yutaka;Ozawa Ryuhei;Kudoh Yukihiro;Takahashi Taiju;Onuma Takeyoshi;Sato Mitsunobu
通讯作者：
Sato Mitsunobu