Energy Saving Normally-off p-Channel Diamond FET with High-Current Operation

具有高电流运行功能的节能常关 p 沟道金刚石 FET

基本信息

  • 批准号:
    25420349
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Hole channel formation mechanism in AlN/diamond heterojunction and high-k oxide gate diamond FETs
AlN/金刚石异质结和高 k 氧化物栅极金刚石 FET 中的空穴沟道形成机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Koide;M. Imura;J. W. Liu;M. Y. Liao;R. G. Banal;T. Matsumoto;N. Shibata;and Y. Ikuhara
  • 通讯作者:
    and Y. Ikuhara
HfO2/diamond電界効果トランジスタの作成
HfO2/金刚石场效应晶体管的创建
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    劉江偉;M.Y.Liao;井村将隆;小出康夫
  • 通讯作者:
    小出康夫
Fabrication of low on-resistance diamond field effect transistors
低导通电阻金刚石场效应晶体管的制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. Liu;M. Y. Liao;M. Imura;and Y. Koide
  • 通讯作者:
    and Y. Koide
Normally-off HfO2-gated diamond field effect transistors
  • DOI:
    10.1063/1.4820143
  • 发表时间:
    2013-08-26
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Liu, J. W.;Liao, M. Y.;Koide, Y.
  • 通讯作者:
    Koide, Y.
Diamond logic inverter with enhancement-mode metal-insulator-semiconductor field effect transistor
  • DOI:
    10.1063/1.4894291
  • 发表时间:
    2014-08-25
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Liu, J. W.;Liao, M. Y.;Koide, Y.
  • 通讯作者:
    Koide, Y.
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    Kotaro Makino
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  • 通讯作者:
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.factor }}
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 资助金额:
    $ 3.33万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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{{ showInfoDetail.title }}

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