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Investigation of Ferroelectric Property Based on Nitride/Oxide Stack Structure and Its Application for Diamond FET

Investigation of Ferroelectric Property Based on Nitride/Oxide Stack Structure and Its Application for Diamond FET
基于氮化物/氧化物叠层结构的铁电性能研究及其在金刚石FET中的应用
批准号：
16K06330
负责人：
Imura Masataka
金额：
$3.08万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06330/
关键词：
窒化物半導体ダイヤモンド電界効果トランジスタ強誘電体パワースイッチングデバイスMOCVD法MPCVD法スパッタ堆積法電子デバイス・電子機器高周波パワーデバイス窒化アルミニウム酸化アルミニウム有機金属化合物気相成長法ノーマリオフ型酸化物半導体

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Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化
Mg 掺杂导致高 In 成分 InGaN 的表面体电子态变化
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし]
通讯作者： 名西やすし
Direct observation of inversion capacitance in p-type diamond MOS capacitors with an electron injection layer
DOI： 10.7567/jjap.57.04fr01
发表时间： 2018-02
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Tsubasa Matsumoto;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Imura;A. Ueda;T. Inokuma;N. Tokuda]
通讯作者： Tsubasa Matsumoto;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Imura;A. Ueda;T. Inokuma;N. Tokuda
硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体の表面ーバルク電子状態評価
使用硬 X 射线光电子能谱评估 InGaN 基氮化物半导体的表面电子态
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [井村将隆, 小出康夫, 荒木努, 名西やすし]
通讯作者： 名西やすし
Microstructure of In0.20Ga0.80N nanowires on Si (111) substrate evaluated by aberration-corrected scanning transmission electron microscopy
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DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Imura, R. G. Banal, Y. Koide, Y. Nakayama, M. Takeguchi, S. Mizutani, T. Tabata, S. Nakagawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and H. Amano]
通讯作者： and H. Amano
共 28 条
    Smark Chokers: Development of Wearable Monitoring System from Neck
    • 批准号：
      16K00290
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Imura Masataka
    • 依托单位：
      Kwansei Gakuin University
    Energy Saving Normally-off p-Channel Diamond FET with High-Current Operation
    • 批准号：
      25420349
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.33万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Imura Masataka
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    海外基金