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Investigation of Ferroelectric Property Based on Nitride/Oxide Stack Structure and Its Application for Diamond FET

基于氮化物/氧化物叠层结构的铁电性能研究及其在金刚石FET中的应用

基本信息

批准号：
16K06330
负责人：
Imura Masataka
金额：
$ 3.08万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Direct observation of inversion capacitance in p-type diamond MOS capacitors with an electron injection layer

DOI：
10.7567/jjap.57.04fr01
发表时间：
2018-02
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Tsubasa Matsumoto;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Imura;A. Ueda;T. Inokuma;N. Tokuda
通讯作者：
Tsubasa Matsumoto;H. Kato;T. Makino;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki;M. Imura;A. Ueda;T. Inokuma;N. Tokuda

Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化

Mg 掺杂导致高 In 成分 InGaN 的表面体电子态变化

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
井村将隆;津田俊輔;長田貴弘;山下良之;吉川英樹;小林啓介;小出康夫;山口智広;金子昌充;上松尚;荒木努;名西やすし
通讯作者：
名西やすし

硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体の表面ーバルク電子状態評価

使用硬 X 射线光电子能谱评估 InGaN 基氮化物半导体的表面电子态

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
井村将隆;小出康夫;荒木努;名西やすし
通讯作者：
名西やすし

Microstructure of In0.20Ga0.80N nanowires on Si (111) substrate evaluated by aberration-corrected scanning transmission electron microscopy

通过像差校正扫描透射电子显微镜评估 Si (111) 衬底上 In0.20Ga0.80N 纳米线的微观结构

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Imura;R. G. Banal;Y. Koide;Y. Nakayama;M. Takeguchi;S. Mizutani;T. Tabata;S. Nakagawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;and H. Amano
通讯作者：
and H. Amano

A density functional study of the effect of hydrogen on electronic properties and band discontinuity at anatase TiO2/diamond interface

DOI：
10.1063/1.5002176
发表时间：
2018-02
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Kongping Wu;M. Liao;L. Sang;Jiangwei Liu;M. Imura;H. Ye;Y. Koide
通讯作者：
Kongping Wu;M. Liao;L. Sang;Jiangwei Liu;M. Imura;H. Ye;Y. Koide

DOI：
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作者：
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Imura Masataka其他文献

Accelerated/decelerated dynamics of the electric double layer at hydrogen-terminated diamond/Li+ solid electrolyte interface

氢封端金刚石/锂固体电解质界面双电层的加速/减速动力学

DOI：
10.1016/j.mtphys.2023.101006
发表时间：
2023
期刊：
Materials Today Physics
影响因子：
11.5
作者：
Takayanagi Makoto;Tsuchiya Takashi;Nishioka Daiki;Imura Masataka;Koide Yasuo;Higuchi Tohru;Terabe Kazuya
通讯作者：
Terabe Kazuya

ダイヤモンドMOSFET界面研究の最近の進展

金刚石MOSFET界面研究最新进展

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Wu Haihua;Sang Liwen;Teraji Tokuyuki;Li Tiefu;Wu Kongping;Imura Masataka;You Jianqiang;Koide Yasuo;Liao Meiyong;嘉数　誠
通讯作者：
嘉数　誠

日清戦争におけるコレラ流行と防疫問題

抗日战争时期霍乱疫情及防疫问题

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
日本史研究
影响因子：
0
作者：
Sasama Yosuke;Komatsu Katsuyoshi;Moriyama Satoshi;Imura Masataka;Sugiura Shiori;Terashima Taichi;Uji Shinya;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Uchihashi Takashi;Takahide Yamaguchi;加藤真生
通讯作者：
加藤真生

Ge-Sb-Te Phase Change Materials Toward Terahertz Optoelectronics

Ge-Sb-Te 相变材料走向太赫兹光电子学

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Wu Haihua;Sang Liwen;Li Yumeng;Teraji Tokuyuki;Li Tiefu;Imura Masataka;You Jianqiang;Koide Yasuo;Toda Masaya;Liao Meiyong;Kotaro Makino;Yasushi Shinohara;Kotaro Makino
通讯作者：
Kotaro Makino

Thermal mismatch induced stress characterization by dynamic resonance based on diamond MEMS

基于金刚石 MEMS 的动态共振热失配引起的应力表征

DOI：
10.35848/1882-0786/abe7b0
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Sun Huanying;Shen Xiulin;Sang Liwen;Imura Masataka;Koide Yasuo;You Jianqiang;Li Tie-Fu;Koizumi Satoshi;Liao Meiyong
通讯作者：
Liao Meiyong