Preparation of lattice mismatch-controlled substrates by means of ion beam-induced crystallization
Preparation of lattice mismatch-controlled substrates by means of ion beam-induced crystallization
离子束诱导晶化制备晶格失配控制衬底
批准号：
25420743
负责人：
HISHITA Shunichi
金额：
$3.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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イオン照射によるチタニア単結晶の表面構造改質：結晶面依存性
离子辐照二氧化钛单晶的表面结构改性：晶面依赖性
离子辐照二氧化钛单晶的表面结构改性：晶面依赖性
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[菱田 俊一, 坂口 勲, 菱田俊一]
通讯作者：
菱田俊一
高イオン注入試料における原子分布
高度离子注入样品中的原子分布
高度离子注入样品中的原子分布
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[菱田 俊一, 坂口 勲]
通讯作者：
坂口 勲
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