Field effect control of electronic phase of strongly correlated electron oxide by using solid gate insulator

固体栅绝缘体强相关电子氧化物电子相的场效应控制

• 批准号: 25871196
• 负责人: Asanuma Shutaro
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25871196/
• 关键词: 強相関エレクトロニクス; 電子・電気材料; 電子デバイス・機器; 表面・界面物性; 強相関電子系; 強相関酸化物の電子相制御

项目成果

Electric-field control of metal-insulator transition in (Nd,Sm)NiO3 films using high-k gate dielectrics

使用高 k 栅极电介质对 (Nd,Sm)NiO3 薄膜中金属-绝缘体转变的电场控制

• 作者: Shutaro Asanuma;Hisashi Shima;Hiroyuki Yamada;Isao Inoue;Hiroshi Akoh;Hiroyuki Akinaga;Akihito Sawa
• 通讯作者: Akihito Sawa

Impact of inserted Ta ultrathin layer and postdeposition annealing on the forming voltage of Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si resistive switching devices

• DOI: 10.7567/jjap.54.04dd10
• 发表时间: 2015-03
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: S. Asanuma;H. Shima;Masashi Yamazaki;Kazumi Hayama;N. Hata;H. Akinaga

The impact of inserted Ta ultra-thin layer on the resistive switching voltage in Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si devices

插入Ta超薄层对Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si器件阻变电压的影响

• 发表时间: 2014
• 作者: S. Asanuma;H. Shima;M. Yamazaki;K. Hayama;N. Hata;H. Akinaga
• 通讯作者: H. Akinaga

The implementability of Mott transistor and its current status

Mott晶体管的可实现性及其现状

• 发表时间: 2014
• 作者: S. Asanuma;H. Akinaga
• 通讯作者: H. Akinaga