Field effect control of electronic phase of strongly correlated electron oxide by using solid gate insulator
Field effect control of electronic phase of strongly correlated electron oxide by using solid gate insulator
固体栅绝缘体强相关电子氧化物电子相的场效应控制
批准号：
25871196
负责人：
Asanuma Shutaro
金额：
$2.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Electric-field control of metal-insulator transition in (Nd,Sm)NiO3 films using high-k gate dielectrics
使用高 k 栅极电介质对 (Nd,Sm)NiO3 薄膜中金属-绝缘体转变的电场控制
使用高 k 栅极电介质对 (Nd,Sm)NiO3 薄膜中金属-绝缘体转变的电场控制
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shutaro Asanuma, Hisashi Shima, Hiroyuki Yamada, Isao Inoue, Hiroshi Akoh, Hiroyuki Akinaga, Akihito Sawa]
通讯作者：
Akihito Sawa
DOI：
10.7567/jjap.54.04dd10
发表时间：
2015-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[S. Asanuma;H. Shima;Masashi Yamazaki;Kazumi Hayama;N. Hata;H. Akinaga]
通讯作者：
S. Asanuma;H. Shima;Masashi Yamazaki;Kazumi Hayama;N. Hata;H. Akinaga
The impact of inserted Ta ultra-thin layer on the resistive switching voltage in Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si devices
插入Ta超薄层对Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si器件阻变电压的影响
插入Ta超薄层对Ir/Ti/Ta/HfO2/TiN/Ti/SiO2/Si器件阻变电压的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Asanuma, H. Shima, M. Yamazaki, K. Hayama, N. Hata, H. Akinaga]
通讯作者：
H. Akinaga
The implementability of Mott transistor and its current status
Mott晶体管的可实现性及其现状
Mott晶体管的可实现性及其现状
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Asanuma, H. Akinaga]
通讯作者：
H. Akinaga
Exploration of novel physical properties of HfO2-based ferroelectrics by controlling polarization fluctuations
-
批准号：20H02445
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$11.4万
-
财政年份：2020
-
负责人：Asanuma Shutaro
-
依托单位：