Exploration of novel physical properties of HfO2-based ferroelectrics by controlling polarization fluctuations
通过控制极化涨落探索HfO2基铁电体的新物理性质
基本信息
- 批准号:20H02445
- 负责人:
- 金额:$ 11.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ハフニア系強誘電体薄膜の分極揺らぎ
氧化铪基铁电薄膜的极化波动
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:平山 翔大;末國 晃一郎;SAUERSCHNIG Philipp;太田 道広;大瀧 倫卓;目貫巧
- 通讯作者:目貫巧
Synthesis of rhombohedral LaCuO3 thin films using the oxidation effect of NaClO solution
利用 NaClO 溶液氧化作用合成菱形 LaCuO3 薄膜
- DOI:10.1039/d1dt03984a
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:S. Asanuma
- 通讯作者:S. Asanuma
Anomalous change of carrier transport property of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin films in the first poling treatment
铁电Hf0.5Zr0.5O2薄膜第一次极化处理载流子输运特性的异常变化
- DOI:10.35848/1347-4065/ac48ce
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Morita Yukinori;Ota Hiroyuki;Migita Shinji
- 通讯作者:Migita Shinji
ポーリング処理前後における強誘電性Hf0.5Zr0.5O2薄膜の不可逆的な伝導特性変化
铁电Hf0.5Zr0.5O2薄膜极化处理前后不可逆导电性能变化
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:森田行則;太田裕之;右田真司
- 通讯作者:右田真司
Fluctuation of polarization in HfO2-based ferroelectric thin film Ⅱ
HfO2基铁电薄膜极化涨落Ⅱ
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:金子健太;庄司拓貴;大賀友瑛;金子智;吉本護;松田晃史;目貫巧
- 通讯作者:目貫巧
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Asanuma Shutaro其他文献
Elaboration of near‐valence band defect states leading deterioration of ambipolar operation in SnO thin‐film transistors
导致 SnO 薄膜晶体管双极工作恶化的近价带缺陷态的阐述
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10.1002/nano.202100272 - 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
Minohara Makoto;Asanuma Shutaro;Asai Hidehiro;Dobashi Yuka;Samizo Akane;Tezuka Yasuhisa;Ozawa Kenichi;Mase Kazuhiko;Hase Izumi;Kikuchi Naoto;Aiura Yoshihiro - 通讯作者:
Aiura Yoshihiro
Asanuma Shutaro的其他文献
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$ 11.4万 - 项目类别:
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$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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阐明氧化铪 (HfO2) 基铁电体的压电常数
- 批准号:
19K14921 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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18H01484 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)