Analyse und Simulation der Nicht-Kontakt-Rasterkraftmikroskopie im UHV mittels ab initio Molekulardynamik

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Das Vorhaben befasst sich mit der Untersuchung der grundliegenden Abbildungsmechanismen der Nicht-Kontakt-Rasterkraftmikroskopie. Diese werden mit der ab initio Molekulardynamik durch den Einsatz des leistungsstarken, massiv parallelen Programms EstCoMPP untersucht. Aufbauend auf den in einem Vorläuferprojekt gewonnenen Methoden werden die Kräfte zwischen einer AFMSpitze und der Probenoberfläche auf atomarer Skala untersucht. Zunächst werden die Arbeiten auf der technisch interessanten Halbleiter-Oberfläche InAs(110) fortgesetzt, da für dieses Probensystem viele experimentelle Daten aus der Rasterkraft- sowie der Rastertunnelmikroskopie vorliegen. Dabei stehen vor allem die Untersuchung der chemischen Sensitivität und die Abbildung von Defekten im Vordergrund. Ausserdem wird der in der letzten Zeit diskutierte Einfluss der freien Bindungen der Spitze simuliert werden. Im weiteren Verlauf des Projektes wird die Abbildung von adsorbierten organischen Molekülen auf metallischen Oberflächen untersucht.