Developments of high mobility uniaxially strained Germanium channel devices

高迁移率单轴应变锗通道器件的研制

基本信息

批准号：
26286044
负责人：
Sawano Kentarou
金额：
$ 9.98万
依托单位：
Tokyo City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）

Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon

通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析

DOI：
10.7567/jjap.55.031304
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
M. Yamada;K. Sawano;M. Uematsu;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;and K. M. Itoh
通讯作者：
and K. M. Itoh

Enhanced Light Emission from N-Doped Ge Microdisks by Thermal Oxidation

通过热氧化增强 N 掺杂 Ge 微盘的光发射

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Hashimoto;X. Xu;K. Sawano;T. Maruizumi
通讯作者：
T. Maruizumi

Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge Hetero Structures

Si/Ge 异质结构中引入各向异性应变

DOI：
10.1149/07508.0563ecst
发表时间：
2016
期刊：
ECS transaction
影响因子：
0
作者：
Kentarou Sawano;Shiori Konoshima;Junji Yamanaka;Keisuke Arimoto;and Kiyokazu Nakagawa
通讯作者：
and Kiyokazu Nakagawa

Compressively strained Si/Si1-xCx heterostructures formed by Ar ion implantation technique

Ar离子注入技术形成的压应变Si/Si1-xCx异质结构

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Hoshi;K. Arimoto;K. Sawano;Y. Arisawa;K. Fujiwara;J. Yamanaka;K. Nakagawa;N. Usami
通讯作者：
N. Usami

Formation of Strained Ge-on-Insulator (GOI) Substrates using SiGe Etching Stop Layers

使用 SiGe 蚀刻停止层形成应变绝缘体上 Ge (GOI) 衬底

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuuki Yajima;Yuta Ariyama;Kentarou Sawano
通讯作者：
Kentarou Sawano

DOI：
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作者：
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Sawano Kentarou其他文献

エタンおよびプロパン酸化的脱水素反応におけるM-V複合酸化物(M = Nb, Mo, W)の触媒活性比較および活性サイトの考察

M-V复合氧化物（M=Nb、Mo、W）在乙烷和丙烷氧化脱氢反应中的催化活性比较及活性位点讨论

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉
通讯作者：
下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉

A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si

通过在台面图案的硅基硅上生长，应变硅锗的临界厚度急剧增加

DOI：
10.35848/1882-0786/abd4c5
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Okada Kazuya;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei;Sawano Kentarou
通讯作者：
Sawano Kentarou

(Invited) Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si

（特邀）（110）取向应变硅的工程应变、缺陷和电子特性

DOI：
10.1149/09805.0277ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Arimoto Keisuke;Yamanaka Junji;Hara Kosuke O;Sawano Kentarou;Usami Noritaka;Nakagawa Kiyokazu
通讯作者：
Nakagawa Kiyokazu

いま改めて、共生の在り方を考えるー3.11以後の環境問題と環境正義

现在，我们再次思考共存的本质：3.11后的环境问题与环境正义

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sakane Shunya;Ishibe Takafumi;Taniguchi Tatsuhiko;Hinakawa Takahiro;Hosoda Ryoya;Mizuta Kosei;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Nakamura Yoshiaki;鬼頭秀一
通讯作者：
鬼頭秀一

固相反応により作製したハロゲン化鉛系ペロブスカイトの光学特性

固相反应制备卤化铅钙钛矿的光学性能

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;江良正直
通讯作者：
江良正直