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Developments of high mobility uniaxially strained Germanium channel devices

高迁移率单轴应变锗通道器件的研制

基本信息

批准号：
26286044
负责人：
Sawano Kentarou
金额：
$ 9.98万
依托单位：
Tokyo City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Enhanced Light Emission from N-Doped Ge Microdisks by Thermal Oxidation

通过热氧化增强 N 掺杂 Ge 微盘的光发射

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Hashimoto;X. Xu;K. Sawano;T. Maruizumi
通讯作者：
T. Maruizumi

Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon

通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析

DOI：
10.7567/jjap.55.031304
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
M. Yamada;K. Sawano;M. Uematsu;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;and K. M. Itoh
通讯作者：
and K. M. Itoh

Formation of Strained Ge-on-Insulator (GOI) Substrates using SiGe Etching Stop Layers

使用 SiGe 蚀刻停止层形成应变绝缘体上 Ge (GOI) 衬底

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuuki Yajima;Yuta Ariyama;Kentarou Sawano
通讯作者：
Kentarou Sawano

Control of Electrical Properties in Heusler-Alloy/Ge Schottky Tunnel Contacts formed by Phosphorous δ-Doping with Si-Layer Insertion

通过磷 δ 掺杂和硅层插入形成的 Heusler 合金/Ge 肖特基隧道接触的电性能控制

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Michihiro Yamada;Yuichi Fujita;Shinya Yamada;Kentarou Sawano;Kohei Hamaya
通讯作者：
Kohei Hamaya

Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge Hetero Structures

Si/Ge 异质结构中引入各向异性应变

DOI：
10.1149/07508.0563ecst
发表时间：
2016
期刊：
ECS transaction
影响因子：
0
作者：
Kentarou Sawano;Shiori Konoshima;Junji Yamanaka;Keisuke Arimoto;and Kiyokazu Nakagawa
通讯作者：
and Kiyokazu Nakagawa

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Sawano Kentarou其他文献

A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si

通过在台面图案的硅基硅上生长，应变硅锗的临界厚度急剧增加

DOI：
10.35848/1882-0786/abd4c5
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Okada Kazuya;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei;Sawano Kentarou
通讯作者：
Sawano Kentarou

(Invited) Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si

（特邀）（110）取向应变硅的工程应变、缺陷和电子特性

DOI：
10.1149/09805.0277ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Arimoto Keisuke;Yamanaka Junji;Hara Kosuke O;Sawano Kentarou;Usami Noritaka;Nakagawa Kiyokazu
通讯作者：
Nakagawa Kiyokazu

エタンおよびプロパン酸化的脱水素反応におけるM-V複合酸化物(M = Nb, Mo, W)の触媒活性比較および活性サイトの考察

M-V复合氧化物（M=Nb、Mo、W）在乙烷和丙烷氧化脱氢反应中的催化活性比较及活性位点讨论

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉
通讯作者：
下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉

線虫C.elegansの成虫と子孫との相互作用におけるネマトシンの制御機構の解析 Analysis of a nematocin-dependent soial interaction between adult and larvae C. elegans

线虫成虫和幼虫之间依赖线虫素的社会相互作用分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;桜井　瞭
通讯作者：
桜井　瞭

いま改めて、共生の在り方を考えるー3.11以後の環境問題と環境正義

现在，我们再次思考共存的本质：3.11后的环境问题与环境正义

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sakane Shunya;Ishibe Takafumi;Taniguchi Tatsuhiko;Hinakawa Takahiro;Hosoda Ryoya;Mizuta Kosei;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Nakamura Yoshiaki;鬼頭秀一
通讯作者：
鬼頭秀一