Developments of high mobility uniaxially strained Germanium channel devices
Developments of high mobility uniaxially strained Germanium channel devices
高迁移率单轴应变锗通道器件的研制
批准号：
26286044
负责人：
Sawano Kentarou
金额：
$9.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Enhanced Light Emission from N-Doped Ge Microdisks by Thermal Oxidation
通过热氧化增强 N 掺杂 Ge 微盘的光发射
通过热氧化增强 N 掺杂 Ge 微盘的光发射
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Hashimoto, X. Xu, K. Sawano, T. Maruizumi]
通讯作者：
T. Maruizumi
Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon
通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析
通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析
DOI：
10.7567/jjap.55.031304
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[M. Yamada, K. Sawano, M. Uematsu, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, and K. M. Itoh]
通讯作者：
and K. M. Itoh
Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge Hetero Structures
Si/Ge 异质结构中引入各向异性应变
Si/Ge 异质结构中引入各向异性应变
DOI：
10.1149/07508.0563ecst
发表时间：
2016
期刊：
ECS transaction
影响因子：
--
作者：
[Kentarou Sawano, Shiori Konoshima, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, and Kiyokazu Nakagawa]
通讯作者：
and Kiyokazu Nakagawa
Formation of Strained Ge-on-Insulator (GOI) Substrates using SiGe Etching Stop Layers
使用 SiGe 蚀刻停止层形成应变绝缘体上 Ge (GOI) 衬底
使用 SiGe 蚀刻停止层形成应变绝缘体上 Ge (GOI) 衬底
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuuki Yajima, Yuta Ariyama, Kentarou Sawano]
通讯作者：
Kentarou Sawano
Control of Electrical Properties in Heusler-Alloy/Ge Schottky Tunnel Contacts formed by Phosphorous δ-Doping with Si-Layer Insertion
通过磷 δ 掺杂和硅层插入形成的 Heusler 合金/Ge 肖特基隧道接触的电性能控制
通过磷 δ 掺杂和硅层插入形成的 Heusler 合金/Ge 肖特基隧道接触的电性能控制
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Michihiro Yamada, Yuichi Fujita, Shinya Yamada, Kentarou Sawano, Kohei Hamaya]
通讯作者：
Kohei Hamaya
共 33 条
Creation of Germanium Circular-polarized LED toward Optical Encrypted Communication
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批准号：19H02175
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.15万
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财政年份：2019
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负责人：Sawano Kentarou
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依托单位：
Quantum Dot Single Hole Device based on Strained Germanium Two Dimensional Hole Gas
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批准号：25600079
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2013
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负责人：Sawano Kentarou
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依托单位：