Quantum Dot Single Hole Device based on Strained Germanium Two Dimensional Hole Gas
Quantum Dot Single Hole Device based on Strained Germanium Two Dimensional Hole Gas
批准号:
25600079
负责人:
Sawano Kentarou
金额:
$2.5万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31
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Room-temperature sign reversed spin-accumulation signals in Si using an atomically smooth Fe_3Si/Si(111) interface
使用原子级光滑的 Fe_3Si/Si(111) 界面在 Si 中实现室温符号反转自旋累积信号
DOI:
10.1063/1.4773072
发表时间:
2013
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[Y. Fujita, S. Yamada. Y. Ando, K. Sawano, H. Itoh, M. Miyao, and K. Hamaya]
通讯作者:
and K. Hamaya
Fabrication of Strained Ge-on-Insulator for Ge-based Optoelectronic Devices
用于Ge基光电器件的绝缘体上应变Ge的制造
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Sawano, T. Nagashima, H. Hashimoto, X. Xu, K. Hamaya, and T. Maruizumi]
通讯作者:
and T. Maruizumi
Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon
通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析
DOI:
10.7567/jjap.55.031304
发表时间:
2016
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[M. Yamada, K. Sawano, M. Uematsu, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, and K. M. Itoh]
通讯作者:
and K. M. Itoh
Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
发表时间:
2013
期刊:
Journal of Crystal Growth
影响因子:
1.8
作者:
[Keisuke Arimoto, Shoichiro Sakai, Hiroshi Furukawa, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Keisuke Arimoto]
通讯作者:
Keisuke Arimoto
Uniaxially strained Si/Ge heterostructures grown on selectively ion-implanted substrates
在选择性离子注入衬底上生长的单轴应变 Si/Ge 异质结构
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Sawano, Y. Shoji, N. Funabashi, E. Yonekura, K. Nakagawa, Y. Shiraki]
通讯作者:
Y. Shiraki
共 23 条
Creation of Germanium Circular-polarized LED toward Optical Encrypted Communication
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批准号:19H02175
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.15万
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财政年份:2019
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负责人:Sawano Kentarou
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依托单位:
Developments of high mobility uniaxially strained Germanium channel devices
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批准号:26286044
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.98万
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财政年份:2014
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负责人:Sawano Kentarou
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依托单位:
海外基金