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Quantum Dot Single Hole Device based on Strained Germanium Two Dimensional Hole Gas

基于应变锗二维孔气体的量子点单孔器件

基本信息

批准号：
25600079
负责人：
Sawano Kentarou
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Tokyo City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（24）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Room-temperature sign reversed spin-accumulation signals in Si using an atomically smooth Fe_3Si/Si(111) interface

使用原子级光滑的 Fe_3Si/Si(111) 界面在 Si 中实现室温符号反转自旋累积信号

DOI：
10.1063/1.4773072
发表时间：
2013
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Y. Fujita;S. Yamada. Y. Ando;K. Sawano;H. Itoh;M. Miyao;and K. Hamaya
通讯作者：
and K. Hamaya

Fabrication of Strained Ge-on-Insulator for Ge-based Optoelectronic Devices

用于Ge基光电器件的绝缘体上应变Ge的制造

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Sawano;T. Nagashima;H. Hashimoto;X. Xu;K. Hamaya;and T. Maruizumi
通讯作者：
and T. Maruizumi

Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon

通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析

DOI：
10.7567/jjap.55.031304
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
M. Yamada;K. Sawano;M. Uematsu;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;and K. M. Itoh
通讯作者：
and K. M. Itoh

Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy

利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
发表时间：
2013
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Keisuke Arimoto;Shoichiro Sakai;Hiroshi Furukawa;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Noritaka Usami;Yusuke Hoshi;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Keisuke Arimoto
通讯作者：
Keisuke Arimoto

Uniaxially strained Si/Ge heterostructures grown on selectively ion-implanted substrates

在选择性离子注入衬底上生长的单轴应变 Si/Ge 异质结构

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Sawano;Y. Shoji;N. Funabashi;E. Yonekura;K. Nakagawa;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Sawano Kentarou其他文献

A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si

通过在台面图案的硅基硅上生长，应变硅锗的临界厚度急剧增加

DOI：
10.35848/1882-0786/abd4c5
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Okada Kazuya;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei;Sawano Kentarou
通讯作者：
Sawano Kentarou

(Invited) Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si

（特邀）（110）取向应变硅的工程应变、缺陷和电子特性

DOI：
10.1149/09805.0277ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Arimoto Keisuke;Yamanaka Junji;Hara Kosuke O;Sawano Kentarou;Usami Noritaka;Nakagawa Kiyokazu
通讯作者：
Nakagawa Kiyokazu

エタンおよびプロパン酸化的脱水素反応におけるM-V複合酸化物(M = Nb, Mo, W)の触媒活性比較および活性サイトの考察

M-V复合氧化物（M=Nb、Mo、W）在乙烷和丙烷氧化脱氢反应中的催化活性比较及活性位点讨论

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉
通讯作者：
下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉

線虫C.elegansの成虫と子孫との相互作用におけるネマトシンの制御機構の解析 Analysis of a nematocin-dependent soial interaction between adult and larvae C. elegans

线虫成虫和幼虫之间依赖线虫素的社会相互作用分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;桜井　瞭
通讯作者：
桜井　瞭

いま改めて、共生の在り方を考えるー3.11以後の環境問題と環境正義

现在，我们再次思考共存的本质：3.11后的环境问题与环境正义

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sakane Shunya;Ishibe Takafumi;Taniguchi Tatsuhiko;Hinakawa Takahiro;Hosoda Ryoya;Mizuta Kosei;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Nakamura Yoshiaki;鬼頭秀一
通讯作者：
鬼頭秀一