Quantum Dot Single Hole Device based on Strained Germanium Two Dimensional Hole Gas
基于应变锗二维孔气体的量子点单孔器件
基本信息
- 批准号:25600079
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Room-temperature sign reversed spin-accumulation signals in Si using an atomically smooth Fe_3Si/Si(111) interface
使用原子级光滑的 Fe_3Si/Si(111) 界面在 Si 中实现室温符号反转自旋累积信号
- DOI:10.1063/1.4773072
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Y. Fujita;S. Yamada. Y. Ando;K. Sawano;H. Itoh;M. Miyao;and K. Hamaya
- 通讯作者:and K. Hamaya
Fabrication of Strained Ge-on-Insulator for Ge-based Optoelectronic Devices
用于Ge基光电器件的绝缘体上应变Ge的制造
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Sawano;T. Nagashima;H. Hashimoto;X. Xu;K. Hamaya;and T. Maruizumi
- 通讯作者:and T. Maruizumi
Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon
通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析
- DOI:10.7567/jjap.55.031304
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:M. Yamada;K. Sawano;M. Uematsu;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;and K. M. Itoh
- 通讯作者:and K. M. Itoh
Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:Keisuke Arimoto;Shoichiro Sakai;Hiroshi Furukawa;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Noritaka Usami;Yusuke Hoshi;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Keisuke Arimoto
- 通讯作者:Keisuke Arimoto
Uniaxially strained Si/Ge heterostructures grown on selectively ion-implanted substrates
在选择性离子注入衬底上生长的单轴应变 Si/Ge 异质结构
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Sawano;Y. Shoji;N. Funabashi;E. Yonekura;K. Nakagawa;Y. Shiraki
- 通讯作者:Y. Shiraki
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Sawano Kentarou其他文献
A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si
通过在台面图案的硅基硅上生长,应变硅锗的临界厚度急剧增加
- DOI:
10.35848/1882-0786/abd4c5 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Okada Kazuya;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei;Sawano Kentarou - 通讯作者:
Sawano Kentarou
(Invited) Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si
(特邀)(110)取向应变硅的工程应变、缺陷和电子特性
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2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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エタンおよびプロパン酸化的脱水素反応におけるM-V複合酸化物(M = Nb, Mo, W)の触媒活性比較および活性サイトの考察
M-V复合氧化物(M=Nb、Mo、W)在乙烷和丙烷氧化脱氢反应中的催化活性比较及活性位点讨论
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田 光祐・宮沢 真維・松本 克也・松元 陸・石川 理史・上田 渉 - 通讯作者:
下田 光祐・宮沢 真維・松本 克也・松元 陸・石川 理史・上田 渉
線虫C.elegansの成虫と子孫との相互作用におけるネマトシンの制御機構の解析 Analysis of a nematocin-dependent soial interaction between adult and larvae C. elegans
线虫成虫和幼虫之间依赖线虫素的社会相互作用分析
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;桜井 瞭 - 通讯作者:
桜井 瞭
いま改めて、共生の在り方を考えるー3.11以後の環境問題と環境正義
现在,我们再次思考共存的本质:3.11后的环境问题与环境正义
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Sakane Shunya;Ishibe Takafumi;Taniguchi Tatsuhiko;Hinakawa Takahiro;Hosoda Ryoya;Mizuta Kosei;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Nakamura Yoshiaki;鬼頭秀一 - 通讯作者:
鬼頭秀一
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Creation of Germanium Circular-polarized LED toward Optical Encrypted Communication
创造用于光加密通信的锗圆偏振 LED
- 批准号:
19H02175 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
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Developments of high mobility uniaxially strained Germanium channel devices
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- 批准号:
26286044 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
QUIQ: Quantum information processed at attosecond timescale in double quantum-dot qubits
QUIQ:在双量子点量子位中以阿秒时间尺度处理的量子信息
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$ 2.5万 - 项目类别:
Fellowship
STTR Phase I: Innovating Micro-Light Emitting Diode (LED) Manufacturing with Novel Quantum Dot Micro-Patterning Technology
STTR 第一阶段:利用新型量子点微图案化技术创新微发光二极管 (LED) 制造
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2335283 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Standard Grant
傾斜構造による量子ドット内エネルギー勾配形成と電荷分離の促進
量子点内能量梯度的形成以及梯度结构促进电荷分离
- 批准号:
23K23174 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
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- 批准号:
24K08189 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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半导体量子点组装系统中超荧光产生机制中量子涨落的观测与控制
- 批准号:
24K06929 - 财政年份:2024
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
自律低温プロセスによるSi量子ドットの高収率生成と高品質化の同時実現
通过自主低温工艺同时实现硅量子点的高产率生产和高质量
- 批准号:
24K07564 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号:
24K07575 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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用于电信互连的增强型量子点源和光学原子存储器
- 批准号:
EP/Z000548/1 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Research Grant
高輝度安定型量子ドットと革新的マイクロ細胞組織による光治療薬開発と1分子動態解明
使用高强度稳定量子点和创新微细胞组织开发光疗药物并阐明单分子动力学
- 批准号:
23K21067 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
High temperature spin selectivity in a quantum dot qubit
量子点量子位中的高温自旋选择性
- 批准号:
24K01289 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)