Quantum Dot Single Hole Device based on Strained Germanium Two Dimensional Hole Gas

基于应变锗二维孔气体的量子点单孔器件

基本信息

  • 批准号:
    25600079
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(24)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Room-temperature sign reversed spin-accumulation signals in Si using an atomically smooth Fe_3Si/Si(111) interface
使用原子级光滑的 Fe_3Si/Si(111) 界面在 Si 中实现室温符号反转自旋累积信号
  • DOI:
    10.1063/1.4773072
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Y. Fujita;S. Yamada. Y. Ando;K. Sawano;H. Itoh;M. Miyao;and K. Hamaya
  • 通讯作者:
    and K. Hamaya
Fabrication of Strained Ge-on-Insulator for Ge-based Optoelectronic Devices
用于Ge基光电器件的绝缘体上应变Ge的制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Sawano;T. Nagashima;H. Hashimoto;X. Xu;K. Hamaya;and T. Maruizumi
  • 通讯作者:
    and T. Maruizumi
Suppression of segregation of the phosphorus δ-doping layer in germanium by incorporation of carbon
通过掺入碳抑制锗中磷δ掺杂层的偏析
  • DOI:
    10.7567/jjap.55.031304
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    M. Yamada;K. Sawano;M. Uematsu;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;and K. M. Itoh
  • 通讯作者:
    and K. M. Itoh
Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Keisuke Arimoto;Shoichiro Sakai;Hiroshi Furukawa;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Noritaka Usami;Yusuke Hoshi;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Keisuke Arimoto
  • 通讯作者:
    Keisuke Arimoto
Uniaxially strained Si/Ge heterostructures grown on selectively ion-implanted substrates
在选择性离子注入衬底上生长的单轴应变 Si/Ge 异质结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Sawano;Y. Shoji;N. Funabashi;E. Yonekura;K. Nakagawa;Y. Shiraki
  • 通讯作者:
    Y. Shiraki
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Sawano Kentarou其他文献

A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si
通过在台面图案的硅基硅上生长,应变硅锗的临界厚度急剧增加
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Okada Kazuya;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei;Sawano Kentarou
  • 通讯作者:
    Sawano Kentarou
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    下田 光祐・宮沢 真維・松本 克也・松元 陸・石川 理史・上田 渉
線虫C.elegansの成虫と子孫との相互作用におけるネマトシンの制御機構の解析 Analysis of a nematocin-dependent soial interaction between adult and larvae C. elegans
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  • 发表时间:
    2018
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;桜井 瞭
  • 通讯作者:
    桜井 瞭
いま改めて、共生の在り方を考えるー3.11以後の環境問題と環境正義
现在,我们再次思考共存的本质:3.11后的环境问题与环境正义
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  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sakane Shunya;Ishibe Takafumi;Taniguchi Tatsuhiko;Hinakawa Takahiro;Hosoda Ryoya;Mizuta Kosei;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Nakamura Yoshiaki;鬼頭秀一
  • 通讯作者:
    鬼頭秀一

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    2024
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    24K07564
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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用于电信互连的增强型量子点源和光学原子存储器
  • 批准号:
    EP/Z000548/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Research Grant
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    23K21067
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
High temperature spin selectivity in a quantum dot qubit
量子点量子位中的高温自旋选择性
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    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了