Development of memory diode and its application to densest array memory
存储二极管的研制及其在最密阵列存储器中的应用
基本信息
- 批准号:26289099
- 负责人:
- 金额:$ 10.32万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
p-Cu2O/SiCxOy/n-SiC/n-Si memory diode having resistive nonvolatile memory and rectifying behaviors
- DOI:10.7567/apex.7.074203
- 发表时间:2014-06
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:A. Yamashita;Yoshihiko Sato;T. Tsukamoto;Y. Suda
- 通讯作者:A. Yamashita;Yoshihiko Sato;T. Tsukamoto;Y. Suda
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si结构的电阻可变非易失性存储二极管
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:素村晃浩;塚本貴広;加藤格;雑賀章浩;須田良幸
- 通讯作者:須田良幸
Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method
溅射法在 Si 上生长 SiC 的结晶度控制
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2017.01.042
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Ryosuke Watanabe;Takahiro Tsukamoto;Koichi Kamisako;Yoshiyuki Suda
- 通讯作者:Yoshiyuki Suda
p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成
p-Cu2O/SiOx/n-SiC结构pn存储二极管的低温形成
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:山下敦史;塚本貴広;須田良幸
- 通讯作者:須田良幸
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抵抗型超電導限流器を模擬したパンケーキコイルモデルの動的絶縁破壊特性
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- DOI:
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- 影响因子:0
- 作者:
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民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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- DOI:
- 发表时间:
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民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
Iijima Yushi;Harigai Toru;Isono Ryo;Degai Satoshi;Tanimoto Tsuyoshi;Suda Yoshiyuki;Takikawa Hirofumi;Yasui Haruyuki;Kaneko Satoru;Kunitsugu Shinsuke;Kamiya Masao;Taki Makoto;民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹;松野恭尚,石原直樹,大路貴久,飴井賢治 - 通讯作者:
松野恭尚,石原直樹,大路貴久,飴井賢治
吸引面形状に対応可能な車上一次式磁気浮上装置の提案と浮上実験
一种适应吸力面形状的车载初级磁悬浮装置的提出及悬浮实验
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Isono Ryo;Tanimoto Tsuyoshi;Iijima Yushi;Harigai Toru;Suda Yoshiyuki;Takikawa Hirofumi;Kaneko Satoru;岡崎哲也,大路貴久,飴井賢治,清田恭平 - 通讯作者:
岡崎哲也,大路貴久,飴井賢治,清田恭平
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19J21117 - 财政年份:2019
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$ 10.32万 - 项目类别:
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Cr-Ge-Te系層状物質の高速相変化機構の解明及び不揮発性メモリへの応用
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- 批准号:
17J02967 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 10.32万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
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$ 10.32万 - 项目类别:
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- 批准号:
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$ 10.32万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows