Development of memory diode and its application to densest array memory

存储二极管的研制及其在最密阵列存储器中的应用

基本信息

  • 批准号:
    26289099
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.32万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
p-Cu2O/SiCxOy/n-SiC/n-Si memory diode having resistive nonvolatile memory and rectifying behaviors
  • DOI:
    10.7567/apex.7.074203
  • 发表时间:
    2014-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    A. Yamashita;Yoshihiko Sato;T. Tsukamoto;Y. Suda
  • 通讯作者:
    A. Yamashita;Yoshihiko Sato;T. Tsukamoto;Y. Suda
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si结构的电阻可变非易失性存储二极管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    素村晃浩;塚本貴広;加藤格;雑賀章浩;須田良幸
  • 通讯作者:
    須田良幸
抵抗変化型不揮発性メモリの探索
阻变非易失性存储器的探索
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    永田太洋,徳岡良浩,瀬戸陽介,加藤剛志,岩田聡;須田良幸
  • 通讯作者:
    須田良幸
Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method
溅射法在 Si 上生长 SiC 的结晶度控制
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2017.01.042
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ryosuke Watanabe;Takahiro Tsukamoto;Koichi Kamisako;Yoshiyuki Suda
  • 通讯作者:
    Yoshiyuki Suda
p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成
p-Cu2O/SiOx/n-SiC结构pn存储二极管的低温形成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山下敦史;塚本貴広;須田良幸
  • 通讯作者:
    須田良幸
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Suda Yoshiyuki其他文献

抵抗型超電導限流器を模擬したパンケーキコイルモデルの動的絶縁破壊特性
模拟电阻式超导限流器的扁平线圈模型的动态击穿特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Iijima Yushi;Harigai Toru;Isono Ryo;Degai Satoshi;Tanimoto Tsuyoshi;Suda Yoshiyuki;Takikawa Hirofumi;Yasui Haruyuki;Kaneko Satoru;Kunitsugu Shinsuke;Kamiya Masao;Taki Makoto;民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹
  • 通讯作者:
    民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹
Toward High-precision Off-axis Electron Holography: application of information science to microscopy
走向高精度离轴电子全息术:信息科学在显微镜中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kumar Rajesh;Matsuo Ryusei;Kishida Kazuki;Abdel-Galeil Mohamed M.;Suda Yoshiyuki;Matsuda Atsunori;Murakami Yasukazu
  • 通讯作者:
    Murakami Yasukazu
超電導限流器の絶縁設計における液体窒素の動的絶縁破壊特性
超导限流器绝缘设计中液氮动态击穿特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Isono Ryo;Tanimoto Tsuyoshi;Iijima Yushi;Kusumawan Sholihatta Aziz;Harigai Toru;Suda Yoshiyuki;Takikawa Hirofumi;Kamiya Masao;Kaneko Satoru;Kunitsugu Shinsuke;Taki Makoto;民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹
  • 通讯作者:
    民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹
導電性不均一信号の除去ブロックを用いた車上一次式磁気浮上装置の浮上移動実験
采用导电非均匀信号去除块的初级磁悬浮装置在车辆上的悬浮运动实验
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Iijima Yushi;Harigai Toru;Isono Ryo;Degai Satoshi;Tanimoto Tsuyoshi;Suda Yoshiyuki;Takikawa Hirofumi;Yasui Haruyuki;Kaneko Satoru;Kunitsugu Shinsuke;Kamiya Masao;Taki Makoto;民部昌孝,山上浩輝,小島寛樹,礒嶋茂樹,桑田稔,早川直樹;松野恭尚,石原直樹,大路貴久,飴井賢治
  • 通讯作者:
    松野恭尚,石原直樹,大路貴久,飴井賢治
吸引面形状に対応可能な車上一次式磁気浮上装置の提案と浮上実験
一种适应吸力面形状的车载初级磁悬浮装置的提出及悬浮实验
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Isono Ryo;Tanimoto Tsuyoshi;Iijima Yushi;Harigai Toru;Suda Yoshiyuki;Takikawa Hirofumi;Kaneko Satoru;岡崎哲也,大路貴久,飴井賢治,清田恭平
  • 通讯作者:
    岡崎哲也,大路貴久,飴井賢治,清田恭平

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High-performance Si/SiGe RTD with fully compressively strained SiGe of high Ge composition ratio formed by sputtering method
采用溅射法形成高 Ge 成分比的全压应变 SiGe 的高性能 Si/SiGe RTD
  • 批准号:
    17H03245
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of electromagnetic wave absorber with vertically oriented solenoid coils of nanometer size
纳米尺寸垂直定向螺线管线圈电磁波吸收器的开发
  • 批准号:
    15K13946
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Fabrication of fuel cell electrodes that are capable of controlling conductivity and porosity and analysis of matter transport characteristic in the electrodes
能够控制电导率和孔隙率的燃料电池电极的制造以及电极中物质传输特性的分析
  • 批准号:
    24360108
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    2012
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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価数駆動型の新奇抵抗変化現象を記録原理とした極低消費電力型不揮発性メモリの創成
利用新颖的价驱动电阻变化现象作为记录原理创建超低功耗非易失性存储器
  • 批准号:
    24K17759
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    2024
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号:
    23K28057
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
不揮発性メモリと学習機構を有するスパイキングニューラルネットワークシステムの構築
具有非易失性存储器和学习机制的脉冲神经网络系统的构建
  • 批准号:
    23K16958
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
非接触デバイスに向けた有機不揮発性メモリの開発
用于非接触式设备的有机非易失性存储器的开发
  • 批准号:
    22K04215
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代データサイエンスのための不揮発性メモリを用いたストレージシステムの研究
用于下一代数据科学的使用非易失性存储器的存储系统研究
  • 批准号:
    22K17897
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
不揮発性メモリの特徴を生かした高速なプログラム実行とファイル操作の制御法の研究
利用非易失性存储器特性的高速程序执行和文件操作控制方法研究
  • 批准号:
    21K11830
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
MnTe薄膜の結晶間相変化メカニズムの解明およびその次世代不揮発性メモリへの応用
阐明MnTe薄膜晶间相变机制及其在下一代非易失性存储器中的应用
  • 批准号:
    19J21117
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Cr-Ge-Te系層状物質の高速相変化機構の解明及び不揮発性メモリへの応用
阐明Cr-Ge-Te层状材料的快速相变机制及其在非易失性存储器中的应用
  • 批准号:
    17J02967
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ノードローカルな不揮発性メモリを考慮した大規模動的グラフ向けグラフストア基盤
考虑节点本地非易失性存储器的大规模动态图的图存储平台
  • 批准号:
    16J00317
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
不揮発性メモリを利用可能な言語処理系の実現
可利用非易失性存储器的语言处理系统的实现
  • 批准号:
    14J01818
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了