Development of memory diode and its application to densest array memory
Development of memory diode and its application to densest array memory
存储二极管的研制及其在最密阵列存储器中的应用
批准号：
26289099
负责人：
Suda Yoshiyuki
金额：
$10.32万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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DOI：
10.7567/apex.7.074203
发表时间：
2014-06
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[A. Yamashita;Yoshihiko Sato;T. Tsukamoto;Y. Suda]
通讯作者：
A. Yamashita;Yoshihiko Sato;T. Tsukamoto;Y. Suda
抵抗変化型不揮発性メモリの探索
阻变非易失性存储器的探索
阻变非易失性存储器的探索
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[永田太洋，徳岡良浩，瀬戸陽介，加藤剛志，岩田聡, 須田良幸]
通讯作者：
須田良幸
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリダイオード
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si结构的电阻可变非易失性存储二极管
p-Cu2O/SiNx/n-SiC/n-Si结构的电阻可变非易失性存储二极管
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[素村晃浩, 塚本貴広, 加藤格, 雑賀章浩, 須田良幸]
通讯作者：
須田良幸
Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method
溅射法在 Si 上生长 SiC 的结晶度控制
溅射法在 Si 上生长 SiC 的结晶度控制
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.01.042
发表时间：
2017
期刊：
J. Crystal Growth
影响因子：
--
作者：
[Ryosuke Watanabe, Takahiro Tsukamoto, Koichi Kamisako, Yoshiyuki Suda]
通讯作者：
Yoshiyuki Suda
Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si構造の抵抗変化型不揮発性メモリ
具有 Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si 结构的电阻式非易失性存储器
具有 Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/n-Si 结构的电阻式非易失性存储器
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩佐太陽, 塚本貴広, 須田良幸]
通讯作者：
須田良幸
共 16 条
High-performance Si/SiGe RTD with fully compressively strained SiGe of high Ge composition ratio formed by sputtering method
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批准号：17H03245
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.48万
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财政年份：2017
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负责人：Suda Yoshiyuki
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依托单位：
Development of electromagnetic wave absorber with vertically oriented solenoid coils of nanometer size
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批准号：15K13946
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2015
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负责人：Suda Yoshiyuki
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依托单位：
Fabrication of fuel cell electrodes that are capable of controlling conductivity and porosity and analysis of matter transport characteristic in the electrodes
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批准号：24360108
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.73万
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财政年份：2012
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负责人：Suda Yoshiyuki
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依托单位：
海外基金