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High-performance Si/SiGe RTD with fully compressively strained SiGe of high Ge composition ratio formed by sputtering method

采用溅射法形成高 Ge 成分比的全压应变 SiGe 的高性能 Si/SiGe RTD

基本信息

批准号：
17H03245
负责人：
Suda Yoshiyuki
金额：
$ 11.48万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成

使用溅射外延方法形成 Ge/GeSiSn 异质结构

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
安野秀治;宮田健司;三浦正志;衣斐顕;和泉輝郎;田口大，間中孝彰，岩本光正;塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸
通讯作者：
塚本貴広，広瀬信光，笠松章史，松井敏明，須田良幸

Epitaxial growth of GeSn and GeSiSn by sputter epitaxy method

溅射外延法外延生长GeSn和GeSiSn

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahiro Tsukamoto;Nobumitsu Hirose;Akifumi Kasamatsu;Toshiaki Matsui;Yoshiyuki Suda
通讯作者：
Yoshiyuki Suda

格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作

晶格常数匹配的 GeSiSn/Ge 基 p-RTD 原型

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸
通讯作者：
栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸

Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth

DOI：
10.1007/s13391-019-00179-y
发表时间：
2019-11
期刊：
Electronic Materials Letters
影响因子：
2.4
作者：
T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
通讯作者：
T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda

スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御

溅射外延法SiGe HEMT制造技术及性能控制

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
青柳耀介;本橋叡;出蔵恭平;大久保克己;広瀬信光;笠松章史;松井敏明;塚本貴広;須田良幸
通讯作者：
須田良幸

DOI：
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作者：
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Suda Yoshiyuki其他文献

抵抗型超電導限流器を模擬したパンケーキコイルモデルの動的絶縁破壊特性

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期刊：
影响因子：
0
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通讯作者：
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走向高精度离轴电子全息术：信息科学在显微镜中的应用

DOI：
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DOI：
发表时间：
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影响因子：
0
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DOI：
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一种适应吸力面形状的车载初级磁悬浮装置的提出及悬浮实验

DOI：
发表时间：
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期刊：
影响因子：
0
作者：
Isono Ryo;Tanimoto Tsuyoshi;Iijima Yushi;Harigai Toru;Suda Yoshiyuki;Takikawa Hirofumi;Kaneko Satoru;岡崎哲也，大路貴久，飴井賢治，清田恭平
通讯作者：
岡崎哲也，大路貴久，飴井賢治，清田恭平