High-performance Si/SiGe RTD with fully compressively strained SiGe of high Ge composition ratio formed by sputtering method
High-performance Si/SiGe RTD with fully compressively strained SiGe of high Ge composition ratio formed by sputtering method
采用溅射法形成高 Ge 成分比的全压应变 SiGe 的高性能 Si/SiGe RTD
批准号：
17H03245
负责人：
Suda Yoshiyuki
金额：
$11.48万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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スパッタエピキシー法を用いた Ge/GeSiSnヘテロ構造形成
使用溅射外延方法形成 Ge/GeSiSn 异质结构
使用溅射外延方法形成 Ge/GeSiSn 异质结构
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[安野秀治, 宮田健司, 三浦正志, 衣斐顕, 和泉輝郎, 田口大，間中孝彰，岩本光正, 塚本 貴広，広瀬 信光，笠松 章史，松井 敏明，須田 良幸]
通讯作者：
塚本 貴広，広瀬 信光，笠松 章史，松井 敏明，須田 良幸
Epitaxial growth of GeSn and GeSiSn by sputter epitaxy method
溅射外延法外延生长GeSn和GeSiSn
溅射外延法外延生长GeSn和GeSiSn
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takahiro Tsukamoto, Nobumitsu Hirose, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui, Yoshiyuki Suda]
通讯作者：
Yoshiyuki Suda
格子定数整合GeSiSn/Ge系p-RTDの試作
晶格常数匹配的 GeSiSn/Ge 基 p-RTD 原型
晶格常数匹配的 GeSiSn/Ge 基 p-RTD 原型
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸]
通讯作者：
栗原祥太，脇谷実，塚本貴広，須田良幸
Effects of Low-Temperature GeSn Buffer Layers on Sn Surface Segregation During GeSn Epitaxial Growth
DOI：
10.1007/s13391-019-00179-y
发表时间：
2019-11
期刊：
Electronic Materials Letters
影响因子：
2.4
作者：
[T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda]
通讯作者：
T. Tsukamoto;N. Hirose;A. Kasamatsu;T. Matsui;Y. Suda
スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御
溅射外延法SiGe HEMT制造技术及性能控制
溅射外延法SiGe HEMT制造技术及性能控制
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[青柳 耀介, 本橋 叡, 出蔵 恭平, 大久保 克己, 広瀬 信光, 笠松 章史, 松井 敏明, 塚本 貴広, 須田 良幸]
通讯作者：
須田 良幸
共 10 条
Development of electromagnetic wave absorber with vertically oriented solenoid coils of nanometer size
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批准号：15K13946
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2015
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负责人：Suda Yoshiyuki
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依托单位：
Development of memory diode and its application to densest array memory
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批准号：26289099
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.32万
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财政年份：2014
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负责人：Suda Yoshiyuki
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依托单位：
Fabrication of fuel cell electrodes that are capable of controlling conductivity and porosity and analysis of matter transport characteristic in the electrodes
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批准号：24360108
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.73万
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财政年份：2012
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负责人：Suda Yoshiyuki
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依托单位：
海外基金