Switching properties of resistive change memory with tiny limited space for conducting filament formation
Switching properties of resistive change memory with tiny limited space for conducting filament formation
细丝形成的微小有限空间的电阻变化存储器的开关特性
批准号：
15K04602
负责人：
TAKASE Kouichi
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Resistive Change Memory using Oxide Nanowires
使用氧化物纳米线的电阻变化存储器
使用氧化物纳米线的电阻变化存储器
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kouichi Takase, Takashige Aono, Kosuke Sugawa, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara]
通讯作者：
Shoso Shingubara
Precisive Tuuing of Surface Plasmon Resonance Wavelength of Anisotropic Silver Nanoprisms by Removing Surface Protective Agent
去除表面保护剂对各向异性银纳米棱镜表面等离子体共振波长的精确调控
去除表面保护剂对各向异性银纳米棱镜表面等离子体共振波长的精确调控
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Igari, R. Miyasaka, S. Jun, K. Uchida, K. Sugawa, K. Takase and J. Otsuki]
通讯作者：
K. Takase and J. Otsuki
Fabrication and optical property of metal nanowire arrays embedded in anodic porous alumina membrane
DOI：
10.7567/jjap.55.06gh09
发表时间：
2016-05
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[K. Takase;Tomohiro Shimizu;Kosuke Sugawa;T. Aono;Y. Shirai;T. Nishida;S. Shingubara]
通讯作者：
K. Takase;Tomohiro Shimizu;Kosuke Sugawa;T. Aono;Y. Shirai;T. Nishida;S. Shingubara
Switching behavior of resistive change memory using oxide nanowires
使用氧化物纳米线的电阻变化存储器的开关行为
使用氧化物纳米线的电阻变化存储器的开关行为
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
JJAP
影响因子：
--
作者：
[Takashige Aono, Kosuke Sugawa, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara, and Kouichi Takase]
通讯作者：
and Kouichi Takase
I-V characteristics of nanowire based resistive change memory
基于纳米线的电阻变化存储器的 I-V 特性
基于纳米线的电阻变化存储器的 I-V 特性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takashige Aono, Kouichi Takase, Kosuke Sugawa, Tomohiro Shimizu, Shoso Shingubara]
通讯作者：
Shoso Shingubara
共 21 条