刷新
{{item.name}}会员
High quality bulk-SiGe single-crystal growth methods for high-speed CPU
用于高速CPU的高质量块状SiGe单晶生长方法
基本信息
- 批准号：15K04671
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
TLZ法を利用した均一組成バルクSiGe結晶（1）大口径化と高品質化
采用 TLZ 法制备均匀成分块状 SiGe 晶体 (1) 直径更大、质量更高
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：木下 恭一;荒井 康智
- 通讯作者：荒井 康智
TLZ法によるSiGe結晶育成中のメルト内対流効果
使用 TLZ 方法生长 SiGe 晶体过程中熔体的对流效应
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：木下 恭一;荒井 康智;稲冨裕光;塚田隆夫
- 通讯作者：塚田隆夫
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Arai Yasutomo其他文献
Three-dimensional angle-resolved photoemission study of bulk SiGe single crystals
块状 SiGe 单晶的三维角分辨光电子发射研究
- DOI：
10.1063/5.0144426 - 发表时间：
2023 - 期刊：
- 影响因子：6.1
- 作者：
Takahashi Kazutoshi;Umeda Yuki;Imamura Masaki;Takaira Marina;Ikoma Yoshifumi;Arai Yasutomo - 通讯作者：
Arai Yasutomo
Highly Purified Glucose Isomerase Crystals under Microgravity Conditions Grow as Fast as Those on the Ground Do
微重力条件下高度纯化的葡萄糖异构酶晶体生长速度与地面上的一样快
- DOI：
10.1021/acs.cgd.2c00751 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Suzuki Yoshihisa;Ninomiya Ai;Fukuyama Seijiro;Shimaoka Taro;Nagai Masae;Inaka Koji;Yanagiya Shin-ichiro;Sone Takehiko;Wachi Shingo;Kawaguchi Satoshi;Arai Yasutomo;Tsukamoto Katsuo - 通讯作者：
Tsukamoto Katsuo
Arai Yasutomo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Arai Yasutomo', 18)}}的其他基金
Measures for preventing elderly people from isolated death
预防老年人孤立死亡的措施
- 批准号：
26380791 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
- 批准号：
23K23214 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MOD超電導薄膜の結晶成長のその場電子顕微鏡観察
MOD超导薄膜晶体生长的原位电镜观察
- 批准号：
24K08259 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
新奇量子系実現のための多元化合物ヘテロ界面の結晶成長
多组分化合物异质界面的晶体生长以实现新型量子系统
- 批准号：
24K08275 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
結晶成長におけるトポロジカル相に誘起されるパターン形成の研究
晶体生长中拓扑相诱导图案形成的研究
- 批准号：
24KJ0539 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
溶融金属中における合金結晶成長の原子スケール界面科学
熔融金属中合金晶体生长的原子尺度界面科学
- 批准号：
23K26543 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル遷移金属炭化物を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドの結晶成長
使用外延过渡金属碳化物进行过渡金属二硫属化物的晶体生长
- 批准号：
24K01347 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
SBIR Phase I: Universal Crystal Growth Capsule and Novel Wafer Dicing Tool for In-Space Manufacturing
SBIR 第一阶段：用于太空制造的通用晶体生长舱和新型晶圆切割工具
- 批准号：
2419346 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Standard Grant
CAREER: Transport Phenomena and the Uptake of Foreign Species during Crystal Growth
职业：晶体生长过程中的传输现象和外来物质的吸收
- 批准号：
2339644 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Continuing Grant
超高温下での氷結晶最外表面層の構造変化と結晶成長カイネティクスの相関の解明
阐明超高温下冰晶最外层结构变化与晶体生长动力学之间的相关性
- 批准号：
23K26555 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)