High quality bulk-SiGe single-crystal growth methods for high-speed CPU
High quality bulk-SiGe single-crystal growth methods for high-speed CPU
用于高速CPU的高质量块状SiGe单晶生长方法
批准号：
15K04671
负责人：
Arai Yasutomo
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
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TLZ法を利用した均一組成バルクSiGe結晶（1）大口径化と高品質化
采用 TLZ 法制备均匀成分块状 SiGe 晶体 (1) 直径更大、质量更高
采用 TLZ 法制备均匀成分块状 SiGe 晶体 (1) 直径更大、质量更高
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木下 恭一, 荒井 康智]
通讯作者：
荒井 康智
TLZ法によるSiGe結晶育成中のメルト内対流効果
使用 TLZ 方法生长 SiGe 晶体过程中熔体的对流效应
使用 TLZ 方法生长 SiGe 晶体过程中熔体的对流效应
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木下 恭一, 荒井 康智, 稲冨裕光, 塚田隆夫]
通讯作者：
塚田隆夫
Measures for preventing elderly people from isolated death
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批准号：26380791
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.5万
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财政年份：2014
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负责人：Arai Yasutomo
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依托单位：
海外基金
