Fabrication of mid- infrared devices with nwe nano-structure
Fabrication of mid- infrared devices with nwe nano-structure
NWE纳米结构中红外器件的制备
批准号：
15K04666
负责人：
Kawamura Yuichi
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-10-21 至 2018-03-31
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(111)面InP基板上のInGaAs/InAlAs単一量子井戸の成長
(111)面InP衬底上InGaAs/InAlAs单量子阱的生长
(111)面InP衬底上InGaAs/InAlAs单量子阱的生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河村裕一, 谷口つばさ]
通讯作者：
谷口つばさ
半導体結晶と光素子への応用
在半导体晶体和光学器件中的应用
在半导体晶体和光学器件中的应用
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
光技術コンタクト
影响因子：
--
作者：
[S. Kawamata, H. Hibino, S. Tanaka and Y. Kawamura, 河村裕一]
通讯作者：
河村裕一
(111)InP基板上のMBE成長InGaAs/InAlAs 量子井
(111)MBE 在 InP 衬底上生长 InGaAs/InAlAs 量子阱
(111)MBE 在 InP 衬底上生长 InGaAs/InAlAs 量子阱
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河村裕一, 谷口あずさ]
通讯作者：
谷口あずさ
(111)面InP基板上のinGaAs/InAlAs歪単一量子井戸の成長
(111) 面 InP 衬底上 inGaAs/InAlAs 应变单量子阱的生长
(111) 面 InP 衬底上 inGaAs/InAlAs 应变单量子阱的生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河村裕一, 谷口つばさ]
通讯作者：
谷口つばさ
InGaAsN/GaAsSbタイプIIﾀﾞｲｵｰﾄﾞのアニール効果（II）
InGaAsN/GaAsSb II型二极管的退火效应（II）
InGaAsN/GaAsSb II型二极管的退火效应（II）
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[河村裕一, 宍戸郁也, 田中章, 川又修一]
通讯作者：
川又修一
共 11 条