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Carrier doping in ScN films with high electron mobility

Carrier doping in ScN films with high electron mobility
高电子迁移率 ScN 薄膜中的载流子掺杂
批准号：
15K04684
负责人：
Ohgaki Takeshi
金额：
$2.83万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-10-21 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04684/
关键词：
窒化スカンジウム薄膜分子線エピタキシー電気特性結晶構造

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サファイアr面上に成長したScN薄膜の構造と電子移動度
蓝宝石r面上生长的ScN薄膜的结构和电子迁移率
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [大垣　武, 坂口　勲, 大橋　直樹, 羽田　肇]
通讯作者： 羽田　肇
(100)配向ScN薄膜の光・電気特性
(100)取向ScN薄膜的光学和电学性能
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [大垣武, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇]
通讯作者： 羽田肇
サファイアr面基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長
蓝宝石r面衬底上ScN薄膜的异质外延生长
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [大垣武, 坂口勲, 大橋直樹, 羽田肇]
通讯作者： 羽田肇
MBE Growth of Scandium Nitride Films on M-face Sapphire Substrates
M 面蓝宝石衬底上氮化钪薄膜的 MBE 生长
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Takeshi Ohgaki, Isao Sakaguchi, Naoki Ohashi, Hajime Haneda]
通讯作者： Hajime Haneda
共 6 条
    国内基金
    海外基金
    CsₓWO₃/CeO₂异质结的构建及其自修复透明隔热薄膜研究
    • 批准号：
      2026JJ50456
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      谭彦妮
    • 依托单位：
      中南大学
    高性能抗氧化BOPP薄膜加工关键技术研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      王晓丽
    • 依托单位：
      江苏海洋大学
    汽车后视镜用高耐腐蚀银合金薄膜材料开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      林改
    • 依托单位：
      江苏城乡建设职业学院
    基于稀疏天线阵列的薄膜铌酸锂光学相控阵
    • 批准号：
      JCZRMS202600414
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
    • 依托单位：
      中国地质大学（武汉）