Carrier doping in ScN films with high electron mobility

高电子迁移率 ScN 薄膜中的载流子掺杂

• 批准号: 15K04684
• 负责人: Ohgaki Takeshi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-10-21 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04684/
• 关键词: 窒化スカンジウム; 薄膜; 分子線エピタキシー; 電気特性; 結晶構造

项目成果

サファイアr面上に成長したScN薄膜の構造と電子移動度

蓝宝石r面上生长的ScN薄膜的结构和电子迁移率

• 发表时间: 2018
• 作者: 大垣 武;坂口 勲;大橋 直樹;羽田 肇
• 通讯作者: 羽田 肇

(100)配向ScN薄膜の光・電気特性

(100)取向ScN薄膜的光学和电学性能

• 发表时间: 2016
• 作者: 大垣武;坂口勲; 大橋直樹;羽田肇
• 通讯作者: 羽田肇

サファイアr面基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長

蓝宝石r面衬底上ScN薄膜的异质外延生长

• 发表时间: 2017
• 作者: 大垣武;坂口勲;大橋直樹;羽田肇
• 通讯作者: 羽田肇

MBE Growth of Scandium Nitride Films on M-face Sapphire Substrates

M 面蓝宝石衬底上氮化钪薄膜的 MBE 生长

• 发表时间: 2016
• 作者: Takeshi Ohgaki;Isao Sakaguchi;Naoki Ohashi;Hajime Haneda
• 通讯作者: Hajime Haneda

Heteroepitaxial growth and electric properties of (110)-oriented scandium nitride films

(110)取向氮化钪薄膜的异质外延生长及其电性能

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.08.002
• 发表时间: 2017
• 期刊: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
• 影响因子: 1.8
• 作者: Ohgaki Takeshi;Sakaguchi Isao;Ohashi Naoki;Haneda Hajime
• 通讯作者: Haneda Hajime