Study of the one-dimensional electoronic state of Si(110) surface

Si(110)表面一维电子态研究

基本信息

  • 批准号：
    15K05119
  • 负责人：
    Suto Shozo
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    Tohoku University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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Etching process of hydrogen-terminated Si(110) vicinal surfaces prepared by a wet chemical process
湿化学工艺制备的氢封端 Si(110) 邻面的蚀刻工艺
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Layli Amaliya;Erina Kawamoto;Tomoyuki Yoneyama;Toshihiro Kawakatsu;Toyoaki Eguchi;Shozo Suto
  • 通讯作者：
    Shozo Suto
水素終端Si(111)-(1×1) 表面上のAg ナノクラスターの成長過程III：蒸着速度依存性
Ag纳米团簇在氢封端Si(111)-(1×1)表面上的生长过程III：沉积速率依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    姜正敏;川本絵里奈;松下ステファン悠;芳賀健也;金川詩野;加藤大樹;須藤彰三
  • 通讯作者：
    須藤彰三
Anisotropic electronic band structure of intrinsic Si(110) studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculations
通过角分辨光电子能谱和第一性原理计算研究本征 Si(110) 的各向异性电子能带结构
  • DOI：
    10.1103/physrevb.96.125302
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Physical Review B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Matsushita Stephane Yu;Takayama Akari;Kawamoto Erina;Hu Chunping;Hagiwara Satoshi;Watanabe Kazuyuki;Takahashi Takashi;Suto Shozo
  • 通讯作者：
    Suto Shozo
Surface phonon dispersion on hydrogen-terminated Si(110)-(1 × 1) surfaces studied by first-principles calculations
通过第一性原理计算研究氢封端 Si(110)-(1 × 1) 表面上的表面声子色散
  • DOI：
    10.1063/1.4936656
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    The Journal of Chemical Physics
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Stephane Yu Matsushita;Chunping Hu;Erina Kawamoto;Hiroki Kato;Kazuyuki Watanabe;and Shozo Suto
  • 通讯作者：
    and Shozo Suto
Si(110)-(1×1)表面の電子バンド構造：高分解能角度分解光電子分光法と第一原理計算
Si(110)-(1×1)表面的电子能带结构：高分辨率角分辨光电子能谱和第一性原理计算
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    松下ステファン悠;高山あかり;川本絵里奈;胡春平;渡辺一之;高橋隆;須藤彰三
  • 通讯作者：
    須藤彰三
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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Morphological evolution of Ag nanoclusters grown on hydrogen-terminated si(111)-(1×1) surface: Appearance of quantum size effect at room-temperature
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  • DOI：
    10.1016/j.susc.2019.121483
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Surface Science
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    Nagata Ryutaro;Eguchi Toyoaki;Kang Jungmin;Haga Kenya;Kawamoto Erina;Suto Shozo
  • 通讯作者：
    Suto Shozo

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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    2018
  • 资助金额：
    $ 3万
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  • 批准号：
    487371-2015
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 3万
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    487371-2015
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Industrial Research Chairs for Colleges Grants
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  • 批准号：
    600352
  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
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  • 批准号：
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  • 财政年份：
    2016
  • 资助金额：
    $ 3万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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