Elucidation of physical properties of Sb-based dilute nitride semiconductor and creation of high brightness far infrared light emitting element

阐明Sb基稀氮化物半导体的物理性质并创建高亮度远红外发光元件

• 批准号: 15K05995
• 负责人: FUJIKAWA Sachie
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Tokyo Denki University (2017)Tokyo University of Science (2015-2016)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K05995/
• 关键词: ナローバンドギャップ; 希薄窒化物半導体; Ⅲ-Ⅴ族半導体; 遠赤外; MOCVD; InSbN; LED

项目成果

DEPENDENCE OF InSb/GaSb FILMS GROWN ON FLAT AND VICINAL GaAs (100) SUBSTRATES

在平面和邻位 GaAs (100) 衬底上生长的 InSb/GaSb 薄膜的依赖性

• 发表时间: 2015
• 作者: S. Fujikawa;H. Suzuki;H. I. Fujishiro
• 通讯作者: H. I. Fujishiro

GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性

GaAs(100) 衬底上 InSb/GaSb 晶体的偏角依赖性

• 发表时间: 2015
• 作者: 鈴木 浩基;藤川 紗千恵;藤代 博記
• 通讯作者: 藤代 博記