Elucidation of physical properties of Sb-based dilute nitride semiconductor and creation of high brightness far infrared light emitting element
Elucidation of physical properties of Sb-based dilute nitride semiconductor and creation of high brightness far infrared light emitting element
阐明Sb基稀氮化物半导体的物理性质并创建高亮度远红外发光元件
批准号：
15K05995
负责人：
FUJIKAWA Sachie
金额：
$3.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DEPENDENCE OF InSb/GaSb FILMS GROWN ON FLAT AND VICINAL GaAs (100) SUBSTRATES
在平面和邻位 GaAs (100) 衬底上生长的 InSb/GaSb 薄膜的依赖性
在平面和邻位 GaAs (100) 衬底上生长的 InSb/GaSb 薄膜的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Fujikawa, H. Suzuki, H. I. Fujishiro]
通讯作者：
H. I. Fujishiro
GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性
GaAs(100) 衬底上 InSb/GaSb 晶体的偏角依赖性
GaAs(100) 衬底上 InSb/GaSb 晶体的偏角依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木 浩基, 藤川 紗千恵, 藤代 博記]
通讯作者：
藤代 博記
Development of deep ultraviolet LED and LD on nitride semiconductor
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批准号：22760017
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2010
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负责人：FUJIKAWA Sachie
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依托单位：
海外基金