Development of deep ultraviolet LED and LD on nitride semiconductor

氮化物半导体深紫外LED和LD的开发

• 批准号: 22760017
• 负责人: FUJIKAWA Sachie
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: The Institute of Physical and Chemical Research
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760017/
• 关键词: DUV-LED; AlN; AlGaN; sapphire; MOCVD; LED; サファイア; Si基板

I demonstrated high-efficiency 270nm band AlGaN based deep-ultraviolet(DUV) LEDs grown by low-pressure metal-organic chemical-vapor deposition(LP-MOCVD). The high efficiency DUV-LEDs were achieved by using a-axis oriented c-plane sapphire substrates in order to obtain a high quality AlN, introducing the light-doping of Si to AlGaN quantum well emitting region, using the multi quantum barriers layer, optimizing the band lineup and so on. As a result, I made found growing the easily good AlN surface. Additionally, the maximum light output power and maximum external quantum efficiency of DUV-LEDs were 33mW and about 4%, respectively.

我展示了高效率的270 nm波段AlGaN基深紫外（DUV）LED低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）生长。为了获得高质量的AlN，采用a轴取向c面蓝宝石衬底，在AlGaN量子阱发射区引入Si的轻掺杂，采用多量子垒层，优化能带排列等方法，实现了高效率的深紫外发光二极管，从而找到了容易生长的良好AlN表面。此外，深紫外LED的最大光输出功率和最大外量子效率分别为33 mW和约4%。

项目成果

応用物理

应用物理学

• 发表时间: 2017
• 作者: G. Imamura;K. Shiba;and G. Yoshikawa;今村岳，柴弘太，吉川元起;今村岳，柴弘太，吉川元起;今村岳，柴弘太，吉川元起
• 通讯作者: 今村岳，柴弘太，吉川元起

First Achievement of Deep-UV LED on Si substrate

首次在硅衬底上实现深紫外LED

• 发表时间: 2010
• 作者: S. Fujikawa;H. Hirayama
• 通讯作者: H. Hirayama

Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LEDの実現

在Si衬底上实现280nm波段InAlGaN深紫外LED

• 发表时间: 2010
• 作者: S. Ogura ;M. Okada ;K. Fukutani;藤川紗千恵,平山秀樹
• 通讯作者: 藤川紗千恵,平山秀樹

m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製

m轴和a轴偏角C面蓝宝石衬底上AlN晶体生长特性及高功率AlGaN深紫外LED的制备

• 发表时间: 2011
• 期刊: 信学技報
• 作者: 阿部薫明;兵野篤;亘理文夫;米澤徹;前田哲利,藤川紗千恵,平山秀樹
• 通讯作者: 前田哲利,藤川紗千恵,平山秀樹

284-300nm Quaternary InAlGaN based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes on Si (111) Substrates

Si (111) 衬底上的 284-300nm 四元 InAlGaN 基深紫外发光二极管

• DOI: 10.1143/apex.4.061002
• 发表时间: 2011
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: S.Fujikawa;H.Hirayama
• 通讯作者: H.Hirayama