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Study of novel III-VI buffer layer for GaAs/Si monolithic solar cells

Study of novel III-VI buffer layer for GaAs/Si monolithic solar cells
GaAs/Si单片太阳能电池新型III-VI族缓冲层的研究
批准号：
15K05998
负责人：
KOJIMA NOBUAKI
金额：
$2.83万
依托单位：
Toyota Technological Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K05998/
关键词：
化合物半導体層状化合物エピタキシャル成長結晶成長分子線エピタキシーエピタキシャルリフトオフX線回折結晶欠陥ラマン散乱分光電子顕微鏡電子線回折

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Novel Epitaxial GaAs Lift-Off Approach via van der Waals Interface in In2Se3 Buffer Layer
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DOI： 10.4229/eupvsec20172017-4cv.4.28
发表时间： 2017
期刊： Proceedings of the 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference
影响因子： --
作者： [Nobuaki Kojima, Li Wang, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi]
通讯作者： Masafumi Yamaguchi
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Si(111) 上层状 In2Se3 作为 Si 上 GaAs 中间缓冲层的单域生长
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Nobuaki Kojima, Li Wang, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi]
通讯作者： Masafumi Yamaguchi
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DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Li Wang, Hiroya Nakamura, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi]
通讯作者： Masafumi Yamaguchi
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GaAs(111) 上生长的层状 In2Se3 孪晶形成的抑制
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Nobuaki Kojima, Hiroya Nakamura, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi]
通讯作者： Masafumi Yamaguchi
GaAs epitaxial growth and lift-off from Si using a novel layered compound buffer
  • 批准号：
    18K04963
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.58万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    KOJIMA NOBUAKI
  • 依托单位：
    Toyota Technological Institute
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