Study of novel III-VI buffer layer for GaAs/Si monolithic solar cells

GaAs/Si单片太阳能电池新型III-VI族缓冲层的研究

基本信息

  • 批准号：
    15K05998
  • 负责人：
    KOJIMA NOBUAKI
  • 金额：
    $ 2.83万
  • 依托单位：
    Toyota Technological Institute
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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Novel Epitaxial GaAs Lift-Off Approach via van der Waals Interface in In2Se3 Buffer Layer
通过 In2Se3 缓冲层中范德华界面的新型外延 GaAs 剥离方法
SINGLE DOMAIN GROWTH OF LAYERED In2Se3 ON Si(111) AS AN INTERMEDIATE BUFFER LAYER IN GaAs ON Si
Si(111) 上层状 In2Se3 作为 Si 上 GaAs 中间缓冲层的单域生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nobuaki Kojima; Li Wang; Yoshio Ohshita; Masafumi Yamaguchi
  • 通讯作者：
    Masafumi Yamaguchi
Optical properties of layered (InxGa1-x)2Se3 buffer material deposited on GaAs(111) substrate for III-V/Silicon solar cell
用于 III-V/硅太阳能电池的 GaAs(111) 衬底上沉积的层状 (InxGa1-x)2Se3 缓冲材料的光学特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Li Wang;Hiroya Nakamura;Nobuaki Kojima;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
  • 通讯作者：
    Masafumi Yamaguchi
Suppression of Twin Formation in Layered In2Se3 Grown on GaAs(111)
GaAs(111) 上生长的层状 In2Se3 孪晶形成的抑制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nobuaki Kojima;Hiroya Nakamura;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
  • 通讯作者：
    Masafumi Yamaguchi
Layered (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) Compounds as Novel Buffer Layers for GaAs on Si System
层状 (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) 化合物作为 Si 系统上 GaAs 的新型缓冲层
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nobuaki Kojima;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
  • 通讯作者：
    Masafumi Yamaguchi
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    $ 2.83万
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