Fundamental study of low drive voltage silicon optical modulator using tunnel field-effect transistor

采用隧道场效应晶体管的低驱动电压硅光调制器的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    15K06018
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
トンネル電界効果トランジスタを用いた低電圧駆動シリコン光変調器
使用隧道场效应晶体管的低压驱动硅光调制器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田部井哲夫;横山新
  • 通讯作者:
    横山新
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Tetsuo Tabei其他文献

Highly Sensitive Four-Terminal Low-Temperature Poly-Si TFT with HfO2 Gate Stack on Glass Substrate for Extended-Gate pH Sensing
高灵敏度四端子低温多晶硅 TFT,在玻璃基板上具有 HfO2 栅极堆栈,用于扩展栅极 pH 传感
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takumi Suzuki;Naoki Nishiguchi;Tadashi Sato;Tetsuo Tabei;Akito Hara
  • 通讯作者:
    Akito Hara
Ryo Miyazaki and Akito Hara
宫崎亮和原明人
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takumi Suzuki;Naoki Nishiguchi;Tadashi Sato;Tetsuo Tabei;Akito Hara;E/E Inverter Using Four-Terminal Poly-GexSn1-x TFTs on Glass
  • 通讯作者:
    E/E Inverter Using Four-Terminal Poly-GexSn1-x TFTs on Glass
宮崎僚、原明人
宫崎亮、原明人
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takumi Suzuki;Naoki Nishiguchi;Tadashi Sato;Tetsuo Tabei;Akito Hara;E/E Inverter Using Four-Terminal Poly-GexSn1-x TFTs on Glass;ガラス基板上の自己整合四端子ジャンクションレス p-ch Cu-MIC poly-Ge1-xSnx TFT の E/D インバータ応用
  • 通讯作者:
    ガラス基板上の自己整合四端子ジャンクションレス p-ch Cu-MIC poly-Ge1-xSnx TFT の E/D インバータ応用

Tetsuo Tabei的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似海外基金

p型酸化物半導体を用いた酸化物トンネル電界効果型トランジスタの開発
使用p型氧化物半导体的氧化物隧道场效应晶体管的开发
  • 批准号:
    24K08254
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
2次元材料を用いたトンネルトランジスタの量子輸送シミュレーション
使用二维材料的隧道晶体管的量子输运模拟
  • 批准号:
    19J10329
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
2D tunnel FET based on understanding of 2D hetero interface characteristics
基于了解 2D 异质界面特性的 2D 隧道 FET
  • 批准号:
    19H00755
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Innovative and highly efficient spin-current control by ultra-high quality-heteroepitaxial-growth technology
通过超高质量异质外延生长技术实现创新高效的自旋电流控制
  • 批准号:
    18H03860
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Spin-functional materials and devices using narrow-gap ferromagnetic semiconductors
使用窄带隙铁磁半导体的自旋功能材料和器件
  • 批准号:
    16K14224
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 3.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了