Electronic state of doped anion in transition metal oxides and influence of oxygen defects
Electronic state of doped anion in transition metal oxides and influence of oxygen defects
批准号:
15K06421
负责人:
sekiya takao
金额:
$3.16万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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低ダメージスパッタリングカソードを用いた酸化、窒化ジルコニウム薄膜の作成
使用低损伤溅射阴极制备氧化和氮化锆薄膜
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[古澤将司, 石井裕樹, 加藤大輝, 岩田 寛, 関谷隆夫, 田中正俊]
通讯作者:
田中正俊
Characterization of ZrON thin films prepared by reactive sputtering using a hollow cylindrical cathode
使用空心圆柱阴极反应溅射制备 ZrON 薄膜的表征
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
Proceedings of 14th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes (ISSP2017)
影响因子:
--
作者:
[H. Iwata, H. Ishii, D. Kato, S. Kawashima, K. Kodama, M. Tanaka, T. Sekiya]
通讯作者:
T. Sekiya
チタン還元によるアナターゼ型二酸化チタン単結晶の窒素欠陥制御
钛还原控制锐钛矿型二氧化钛单晶中的氮缺陷
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松井明佑, 関谷隆夫]
通讯作者:
関谷隆夫
無機酸化物単結晶の作成と電子物性
无机氧化物单晶的制备及其电子性能
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ドープanatase二酸化チタン中の可視光誘起永続キャリアについて
掺杂锐钛矿二氧化钛中可见光诱导的持久载流子
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
光物性研究会論文集
影响因子:
--
作者:
[小澤一謹, 船曳晴香, 関谷隆夫]
通讯作者:
関谷隆夫
共 20 条