Developement of evaluation methods of carrier trap centers in widegap semiconductors using particles beams with lights
Developement of evaluation methods of carrier trap centers in widegap semiconductors using particles beams with lights
利用粒子束光评估宽禁带半导体载流子陷阱中心的方法的开发
批准号：
15K06450
负责人：
Tsubouchi Nobuteru
金额：
$3.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Tateno, K. Endo, S. ARISAWA, M. Vlaicu, L. Nedelcu, M. Secu, P. Badica, Tsubouchi Nobuteru]
通讯作者：
Tsubouchi Nobuteru
DOI：
10.1016/j.diamond.2015.08.012
发表时间：
2016-03
期刊：
Diamond and Related Materials
影响因子：
4.1
作者：
[N. Tsubouchi;Y. Mokuno;S. Shikata]
通讯作者：
N. Tsubouchi;Y. Mokuno;S. Shikata
ダイヤモンド薄膜の結晶性評価
金刚石薄膜的结晶度评价
金刚石薄膜的结晶度评价
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Arisawa, K. Endo, Y. Tanaka, H. Yamamori, T. Yanagisawa, T. Nishio., K. Ishii and S. Tashiro, 坪内信輝]
通讯作者：
坪内信輝
Evaluation of dislocations included in CVD single crystal diamond using etch pits formed by oxygen/hydrogen plasma treatment
使用氧/氢等离子体处理形成的蚀刻坑评估 CVD 单晶金刚石中包含的位错
使用氧/氢等离子体处理形成的蚀刻坑评估 CVD 单晶金刚石中包含的位错
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Tsubouchi, S. Shikata]
通讯作者：
S. Shikata
Configuration of a single grown-in dislocation corresponding to one etch pit formed on the surface of CVD homoepitaxial diamond
与 CVD 同质外延金刚石表面形成的一个蚀坑相对应的单个生长位错的配置
与 CVD 同质外延金刚石表面形成的一个蚀坑相对应的单个生长位错的配置
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.09.030
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[N. Tsubouchi, Y. Mokuno]
通讯作者：
Y. Mokuno
共 7 条
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