Developement of evaluation methods of carrier trap centers in widegap semiconductors using particles beams with lights

利用粒子束光评估宽禁带半导体载流子陷阱中心的方法的开发

• 批准号: 15K06450
• 负责人: Tsubouchi Nobuteru
• 金额: $ 3.33万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K06450/
• 关键词: ワイドギャップ材料; 粒子線; キャリア; 捕獲準位; 光; ワイドギャップ半導体; キャリア捕獲準位; スペクトル; エネルギースペクトル; 深い準位; 光照射

项目成果

Power electronics device applications of diamond semiconductors

金刚石半导体电力电子器件应用

• 发表时间: 2018
• 作者: Y. Tateno;K. Endo;S. ARISAWA;M. Vlaicu;L. Nedelcu;M. Secu;P. Badica;Tsubouchi Nobuteru
• 通讯作者: Tsubouchi Nobuteru

Characterizations of etch pits formed on single crystal diamond surface using oxygen/hydrogen plasma surface treatment

• DOI: 10.1016/j.diamond.2015.08.012
• 发表时间: 2016-03
• 期刊: Diamond and Related Materials
• 影响因子: 4.1
• 作者: N. Tsubouchi;Y. Mokuno;S. Shikata

ダイヤモンド薄膜の結晶性評価

金刚石薄膜的结晶度评价

• 发表时间: 2016
• 作者: S. Arisawa;K. Endo;Y. Tanaka;H. Yamamori;T. Yanagisawa;T. Nishio.;K. Ishii and S. Tashiro;坪内信輝
• 通讯作者: 坪内信輝

Evaluation of dislocations included in CVD single crystal diamond using etch pits formed by oxygen/hydrogen plasma treatment

使用氧/氢等离子体处理形成的蚀刻坑评估 CVD 单晶金刚石中包含的位错

• 发表时间: 2015
• 作者: N. Tsubouchi;S. Shikata
• 通讯作者: S. Shikata

Configuration of a single grown-in dislocation corresponding to one etch pit formed on the surface of CVD homoepitaxial diamond

与 CVD 同质外延金刚石表面形成的一个蚀坑相对应的单个生长位错的配置

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.09.030
• 发表时间: 2016
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: N. Tsubouchi;Y. Mokuno
• 通讯作者: Y. Mokuno