Role of Monovalent Copper Ion in Embedding Copper Damascene Wiring Pore
Role of Monovalent Copper Ion in Embedding Copper Damascene Wiring Pore
一价铜离子在嵌入铜镶嵌布线孔中的作用
批准号：
15K06511
负责人：
Kondo Kazuo
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
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High speed TSV filling
高速 TSV 填充
高速 TSV 填充
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.Hayashi, S.Matsuura, K.Kataoka, K.Nishimura, M.Kada, K.Kondo, T.Saito, N.Okamoto, Van Quy Dinh・近藤和夫・平藤哲司, Anh Van Nhat Tran・近藤和夫・平藤哲司, Van Ha and K.Kondo, Van Ha and K.Kondo, Van Ha and K.Kondo,, Van Ha and K.Kondo, 近藤和夫, 近藤和夫]
通讯作者：
近藤和夫
Reduction of stress due to annealing of copper TSV by the low TCE Copper
通过低 TCE 铜对铜 TSV 进行退火，从而减少应力
通过低 TCE 铜对铜 TSV 进行退火，从而减少应力
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.Hayashi, S.Matsuura, K.Kataoka, K.Nishimura, M.Kada, K.Kondo, T.Saito, N.Okamoto, Van Quy Dinh・近藤和夫・平藤哲司]
通讯作者：
Van Quy Dinh・近藤和夫・平藤哲司
Ultra high speed TSV filling
超高速 TSV 填充
超高速 TSV 填充
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.Hayashi, S.Matsuura, K.Kataoka, K.Nishimura, M.Kada, K.Kondo, T.Saito, N.Okamoto, Van Quy Dinh・近藤和夫・平藤哲司, Anh Van Nhat Tran・近藤和夫・平藤哲司, Van Ha and K.Kondo, Van Ha and K.Kondo, Van Ha and K.Kondo,, Van Ha and K.Kondo, 近藤和夫, 近藤和夫, 近藤和夫]
通讯作者：
近藤和夫
Hanoi University of Science(ベトナム)
河内科技大学（越南）
河内科技大学（越南）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
高速TSV充填
高速 TSV 填充
高速 TSV 填充
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Van Ha, 近藤和夫]
通讯作者：
近藤和夫
共 14 条
Cuprous complex and via filling electrodeposition
-
批准号：18K04731
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2018
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负责人：Kondo Kazuo
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依托单位：