Glide motion and electronic structure of partial dislocations in 4H-SiC under electronic excitation conditions
电子激发条件下4H-SiC部分位错的滑移运动和电子结构
基本信息
- 批准号:15H03535
- 负责人:
- 金额:$ 11.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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专利数量(0)
Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
- DOI:10.7567/jjap.57.02ba01
- 发表时间:2018-02
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Y. Ohno;H. Yoshida;S. Takeda;Jianbo Liang;N. Shigekawa
- 通讯作者:Y. Ohno;H. Yoshida;S. Takeda;Jianbo Liang;N. Shigekawa
表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
表面激活结 Si/GaAs 界面的平面 TEM 观察
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:F. Hirose;K. Kanomata;M. Miura;K. Kikuchi;B. Ahmmad;S. Kubota;大野裕
- 通讯作者:大野裕
Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals
单晶硅晶体中镍、铜和氧原子在晶界处偏析的复合活性
- DOI:10.1063/1.4964440
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Y. Ohno;K. Kutsukake;M. Deura;I. Yonenaga;Y. Shimizu;N. Ebisawa;K. Inoue;Y. Nagai;H. Yoshida;S. Takeda
- 通讯作者:S. Takeda
半導体の粒界・転位機能-Si粒界とワイドギャップ半導体転位を中心に-
半导体中的晶界和位错功能 - 关注 Si 晶界和宽禁带半导体位错 -
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:大野裕
- 通讯作者:大野裕
Nanoscopic mechanism of impurity segregation at grain boundaries in silicon
硅晶界杂质偏析的纳米机制
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Ohno;K. Inoue;S. Ninomiya;K. Kutsukake;K. Fujiwara;M. Deura;I. Yonenaga;N. Ebisawa;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;H. Yoshida;S. Takeda;S. Tanaka;M. Kohyama
- 通讯作者:M. Kohyama
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Ohno Yutaka其他文献
Temperature dependence of Raman shift in defective single-walled carbon nanotubes
有缺陷的单壁碳纳米管拉曼位移的温度依赖性
- DOI:
10.35848/1882-0786/ac4678 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
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Hirotani Jun
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- 影响因子:1.5
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- 影响因子:0
- 作者:
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个人特征对大学生批判性思维态度的影响:好奇心、深思熟虑和相互合作的自我观
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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楠見 孝
機械学習を用いた磁区構造からの情報抽出:擬自由エネルギーによる多様な安定相の探索
使用机器学习从磁域结构中提取信息:使用伪自由能搜索各种稳定相
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Aji Adha Sukma;Nishi Ryohei;Ago Hiroki;Ohno Yutaka;M. Kotsugi - 通讯作者:
M. Kotsugi
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基于纳米级吸附现象的神经递质超灵敏电化学检测
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24K01435 - 财政年份:2024
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- 批准号:
23KJ0773 - 财政年份:2023
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$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
High-speed processing of low-loss optical waveguides by controlling the distribution of electron excitation using spatial light modulation
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- 批准号:
22K20399 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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- 批准号:
22K04695 - 财政年份:2022
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适用于任意电子激发本征态的密度泛函理论的提出以及软件的开发和传播
- 批准号:
21H01877 - 财政年份:2021
- 资助金额:
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熱外中性子散乱を利用した電子励起への挑戦
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- 批准号:
20H04461 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 11.4万 - 项目类别:
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