Glide motion and electronic structure of partial dislocations in 4H-SiC under electronic excitation conditions

电子激发条件下4H-SiC部分位错的滑移运动和电子结构

基本信息

  • 批准号:
    15H03535
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2015
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.02ba01
  • 发表时间:
    2018-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Y. Ohno;H. Yoshida;S. Takeda;Jianbo Liang;N. Shigekawa
  • 通讯作者:
    Y. Ohno;H. Yoshida;S. Takeda;Jianbo Liang;N. Shigekawa
表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
表面激活结 Si/GaAs 界面的平面 TEM 观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    F. Hirose;K. Kanomata;M. Miura;K. Kikuchi;B. Ahmmad;S. Kubota;大野裕
  • 通讯作者:
    大野裕
Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals
单晶硅晶体中镍、铜和氧原子在晶界处偏析的复合活性
  • DOI:
    10.1063/1.4964440
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Y. Ohno;K. Kutsukake;M. Deura;I. Yonenaga;Y. Shimizu;N. Ebisawa;K. Inoue;Y. Nagai;H. Yoshida;S. Takeda
  • 通讯作者:
    S. Takeda
半導体の粒界・転位機能-Si粒界とワイドギャップ半導体転位を中心に-
半导体中的晶界和位错功能 - 关注 Si 晶界和宽禁带半导体位错 -
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大野裕
  • 通讯作者:
    大野裕
Nanoscopic mechanism of impurity segregation at grain boundaries in silicon
硅晶界杂质偏析的纳米机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ohno;K. Inoue;S. Ninomiya;K. Kutsukake;K. Fujiwara;M. Deura;I. Yonenaga;N. Ebisawa;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;H. Yoshida;S. Takeda;S. Tanaka;M. Kohyama
  • 通讯作者:
    M. Kohyama
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Ohno Yutaka其他文献

Temperature dependence of Raman shift in defective single-walled carbon nanotubes
有缺陷的单壁碳纳米管拉曼位移的温度依赖性
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/ac4678
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Endo Masanori;Uchiyama Haruki;Ohno Yutaka;Hirotani Jun
  • 通讯作者:
    Hirotani Jun
Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding
通过表面活化键合制造的金刚石/硅异质界面由于退火而导致原子结构的变化
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac5d11
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru
  • 通讯作者:
    Shigekawa Naoteru
大学生の批判的思考態度に及ぼす個人特性の影響:好奇心,熟慮性,相互協調的自己観
个人特征对大学生批判性思维态度的影响:好奇心、深思熟虑和相互合作的自我观
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tan Fu Wen;Hirotani Jun;Kishimoto Shigeru;Ohno Yutaka;楠見 孝
  • 通讯作者:
    楠見 孝
Fluid Engineering (VI) —Dimensional Analysis and Scaling—
流体工程(VI)—尺寸分析和缩放—
機械学習を用いた磁区構造からの情報抽出:擬自由エネルギーによる多様な安定相の探索
使用机器学习从磁域结构中提取信息:使用伪自由能搜索各种稳定相
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Aji Adha Sukma;Nishi Ryohei;Ago Hiroki;Ohno Yutaka;M. Kotsugi
  • 通讯作者:
    M. Kotsugi

Ohno Yutaka的其他文献

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  • 发表时间:
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  • 通讯作者:
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Ultra-sensitive electrochemical detection of neurotransmitters based on nanoscale adsorption phenomena
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    2020
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    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low-temperature formation of PTFE thin films by electronic excitation of fluorocarbon condensed layers and its application as a surface treatment method.
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  • 批准号:
    23K04394
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
応力波駆動電子励起によるセラミクスの超高速精密レーザ加工
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  • 批准号:
    23KJ0773
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
最外内殻電子励起と原子間輻射遷移の同時許容化による高速・高輝度シンチレータの開発
通过同时允许最外层内壳电子的激发和原子之间的辐射跃迁开发高速、高亮度闪烁体
  • 批准号:
    22K04695
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
A study on the synergetic effect of electronic excitation/dislocation damage by in-situ measurement method under irradiation
辐照下电子激发/位错损伤协同效应的原位测量方法研究
  • 批准号:
    21J13575
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
任意の電子励起固有状態に適用可能な密度汎関数理論の提案とソフトの開発・普及
适用于任意电子激发本征态的密度泛函理论的提出以及软件的开发和传播
  • 批准号:
    21H01877
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
物理刺激による電子励起状態発生を鍵とするヘテロ元素導入反応の開発
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  • 批准号:
    21K06472
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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知道了