Glide motion and electronic structure of partial dislocations in 4H-SiC under electronic excitation conditions
Glide motion and electronic structure of partial dislocations in 4H-SiC under electronic excitation conditions
电子激发条件下4H-SiC部分位错的滑移运动和电子结构
批准号：
15H03535
负责人：
Ohno Yutaka
金额：
$11.4万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.7567/jjap.57.02ba01
发表时间：
2018-02
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Y. Ohno;H. Yoshida;S. Takeda;Jianbo Liang;N. Shigekawa]
通讯作者：
Y. Ohno;H. Yoshida;S. Takeda;Jianbo Liang;N. Shigekawa
表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
表面激活结 Si/GaAs 界面的平面 TEM 观察
表面激活结 Si/GaAs 界面的平面 TEM 观察
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Hirose, K. Kanomata, M. Miura, K. Kikuchi, B. Ahmmad, S. Kubota, 大野裕]
通讯作者：
大野裕
Recombination activity of nickel, copper, and oxygen atoms segregating at grain boundaries in mono-like silicon crystals
单晶硅晶体中镍、铜和氧原子在晶界处偏析的复合活性
单晶硅晶体中镍、铜和氧原子在晶界处偏析的复合活性
DOI：
10.1063/1.4964440
发表时间：
2016
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Y. Ohno, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda]
通讯作者：
S. Takeda
半導体の粒界・転位機能－Si粒界とワイドギャップ半導体転位を中心に－
半导体中的晶界和位错功能 - 关注 Si 晶界和宽禁带半导体位错 -
半导体中的晶界和位错功能 - 关注 Si 晶界和宽禁带半导体位错 -
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大野裕]
通讯作者：
大野裕
シリコン結晶における不純物の粒界偏析 －微視的描像と機能－
硅晶体中杂质的晶界偏析 - 显微图像和功能 -
硅晶体中杂质的晶界偏析 - 显微图像和功能 -
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[末永健志朗，白土喜博, Dong Ding, 河原憲治, 日比野浩樹, 吾郷浩樹, Y. Asano, 大野裕]
通讯作者：
大野裕
共 18 条
Ultra-sensitive electrochemical detection of neurotransmitters based on nanoscale adsorption phenomena
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批准号：20K20534
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额：$16.47万
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财政年份：2020
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负责人：Ohno Yutaka
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依托单位：
Development of themo-formable electron devices based on nano-carbon materials
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批准号：24681030
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$17.14万
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财政年份：2012
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负责人：Ohno Yutaka
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依托单位：
海外基金