Large-size clusterization of heavily-doped degenerate CVD diamond layer and its functional device application
Large-size clusterization of heavily-doped degenerate CVD diamond layer and its functional device application
批准号:
15H03557
负责人:
Ito Toshimichi
金额:
$11.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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ダイヤモンド(111)基板ホモエピタキシャル成長における基板オフ方位及びメタン濃度依存性
金刚石(111)衬底上同质外延生长的衬底偏离方向和甲烷浓度依赖性
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[児玉大志, 毎田修, 伊藤利道]
通讯作者:
伊藤利道
単結晶ダイヤモンドのレーザー切断(001)面における電気伝導性及びCLスペクトルの表面処理依存性
单晶金刚石激光切割 (001) 面上电导率和 CL 光谱的表面处理依赖性
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中塚篤志, 本田眞彬, 中野百恵, 竹原宏明, 野田俊彦, 笹川清隆, 徳田 崇, 西山靖浩, 垣内喜代三, 太田 淳, 丸岡 憲史,内藤 大樹,毎田 修,伊藤 利道]
通讯作者:
丸岡 憲史,内藤 大樹,毎田 修,伊藤 利道
Behavior of nitrogen-related luminescence centers in laser-cut single-crystalline diamond under irradiation of keV electron beam
keV电子束照射下激光切割单晶金刚石氮相关发光中心的行为
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Maruoka, T. Naito, O. Maida, T. Ito]
通讯作者:
T. Ito
Improvement on p-type CVD diamond semiconducting properties by fabricating thin heavily-boron-doped multi-layer clusters isolated each other
通过制造彼此隔离的薄重硼掺杂多层团簇来改善 p 型 CVD 金刚石半导体性能
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[O. Maida, T. Tabuchi and T. Ito]
通讯作者:
T. Tabuchi and T. Ito
Characterization of Deep Defects in Boron-Doped CVD Diamond Films Using Transient Photocapacitance Method
使用瞬态光电容法表征掺硼 CVD 金刚石薄膜的深层缺陷
DOI:
10.1016/j.mssp.2016.12.001
发表时间:
2017
期刊:
Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子:
4.1
作者:
[O. Maida, T. Hori, T. Kodama and T. Ito]
通讯作者:
T. Kodama and T. Ito
共 17 条
Restoration of negative electron affinity feature on high-quality diamond surfaces using liquid process
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批准号:26600085
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2014
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负责人:Ito Toshimichi
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依托单位:
海外基金