Basic research for realization of heteroepitaxial growth platform

异质外延生长平台实现的基础研究

• 批准号: 15H03558
• 负责人: Naritsuka Shigeya
• 金额: $ 10.98万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03558/
• 关键词: 電気・電子材料; 化学ビームエピタキシー; 転位低減化; マイクロチャンネルエピタキシー; 窒化ガリウム; グラフェンマスク; マイクロプラズマ; リモートエピタキシー; ヘテロエピタキシャル成長; 応力低減; 横方向成長; Ⅲ－Ⅴ on Si; CBE; グラフェン; グラフェンの直接成長; グラフェン析出法; グラフェン減圧CVD; 無転位テンプレート基板; 減圧マイクロプラズマ処理; MBE; 高温アルコールCVD

项目成果

無触媒2段階CVD成長によるサファイア基板上への高品質グラフェンの直接成長

通过非催化两步 CVD 生长在蓝宝石衬底上直接生长高质量石墨烯

• 发表时间: 2016
• 作者: 上田 悠貴;山田 純平;藤原 亨介;山本 大地;丸山 隆浩;成塚 重弥
• 通讯作者: 成塚 重弥

Improved performance of film dye sensitized solar cell using atmospheric pressure microplasma

利用常压微等离子体改善薄膜染料敏化太阳能电池的性能

• 发表时间: 2015
• 期刊: International Journal of Plasma Environmental Science & Technology, (I.J.PEST)
• 作者: K. Shimizu;S. Kaneta;M. Blajan;T. Onodera;and A. Konno
• 通讯作者: and A. Konno

Direct precipitation growth of multi-layer graphene using W capping layer -Dependence of growth atmosphere-

使用W覆盖层的多层石墨烯的直接沉淀生长-生长气氛的依赖性-

• 发表时间: 2020
• 作者: 安藤 康伸;菅原 哲;梶山 智司;大谷 実;大久保 將史;山田 淳夫;山田 純平 上田 悠貴 丸山 隆浩 成塚 重弥
• 通讯作者: 山田 純平 上田 悠貴 丸山 隆浩 成塚 重弥

Precipitation of multilayer graphene directly on gallium nitride template using W capping layer

使用 W 覆盖层直接在氮化镓模板上沉淀多层石墨烯

• 发表时间: 2019
• 作者: Jumpei Yamada Yuki Ueda Takahiro Maruyama Shigeya Naritsuka

Single-walled carbon nanotubes growth on mesoporous carbon by chemical vapor deposition using Co catalyst

使用Co催化剂通过化学气相沉积在介孔碳上生长单壁碳纳米管

• 发表时间: 2019
• 作者: 鈴木陽洋;戸田祥太;中塚理;坂下満男;財満鎭明;Sharma Aliza サラマ カマル 才田 隆広 成塚 重弥 丸山 隆浩
• 通讯作者: Sharma Aliza サラマ カマル 才田 隆広 成塚 重弥 丸山 隆浩