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Basic research for realization of heteroepitaxial growth platform

Basic research for realization of heteroepitaxial growth platform
异质外延生长平台实现的基础研究
批准号：
15H03558
负责人：
Naritsuka Shigeya
金额：
$10.98万
依托单位：
Meijo University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03558/
关键词：
電気・電子材料化学ビームエピタキシー転位低減化マイクロチャンネルエピタキシー窒化ガリウムグラフェンマスクマイクロプラズマリモートエピタキシーヘテロエピタキシャル成長応力低減横方向成長Ⅲ－Ⅴ on SiCBEグラフェングラフェンの直接成長グラフェン析出法グラフェン減圧CVD無転位テンプレート基板減圧マイクロプラズマ処理MBE高温アルコールCVD

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無触媒2段階CVD成長によるサファイア基板上への高品質グラフェンの直接成長
通过非催化两步 CVD 生长在蓝宝石衬底上直接生长高质量石墨烯
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [上田 悠貴, 山田 純平, 藤原 亨介, 山本 大地, 丸山 隆浩, 成塚 重弥]
通讯作者： 成塚 重弥
Improved performance of film dye sensitized solar cell using atmospheric pressure microplasma
利用常压微等离子体改善薄膜染料敏化太阳能电池的性能
DOI： --
发表时间： 2015
期刊： International Journal of Plasma Environmental Science & Technology, (I.J.PEST)
影响因子： --
作者： [K. Shimizu, S. Kaneta, M. Blajan, T. Onodera, and A. Konno]
通讯作者： and A. Konno
Direct precipitation growth of multi-layer graphene using W capping layer -Dependence of growth atmosphere-
使用W覆盖层的多层石墨烯的直接沉淀生长-生长气氛的依赖性-
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [安藤 康伸, 菅原 哲, 梶山 智司, 大谷 実, 大久保 將史, 山田 淳夫, 山田 純平 　 上田 悠貴 　 丸山 隆浩 　 成塚 重弥]
通讯作者： 山田 純平 　 上田 悠貴 　 丸山 隆浩 　 成塚 重弥
Precipitation of multilayer graphene directly on gallium nitride template using W capping layer
使用 W 覆盖层直接在氮化镓模板上沉淀多层石墨烯
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Jumpei Yamada Yuki Ueda Takahiro Maruyama Shigeya Naritsuka]
通讯作者： Jumpei Yamada Yuki Ueda Takahiro Maruyama Shigeya Naritsuka
共 141 条
    Growth of GaN template substrate by flow-assisted-mode liquid phase epitaxy
    • 批准号：
      26600089
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Naritsuka Shigeya
    • 依托单位：
      Meijo University