Growth of GaN template substrate by flow-assisted-mode liquid phase epitaxy
流动辅助模式液相外延生长GaN模板衬底
基本信息
- 批准号:26600089
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(64)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長のボート設計
使用 3D 打印机进行流辅助 GaN 液相生长的船设计
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:岩川宗樹;神林大介;水野陽介;白木優子;丸山隆浩;成塚重弥
- 通讯作者:成塚重弥
その場減圧窒素マイクロプラズマ処理によるMOMBE GaN成長再現性の向上
通过原位减压氮气微等离子体处理提高 MOMBE GaN 生长再现性
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:日下部 安宏;丸山 隆浩;清水 一男;成塚 重弥
- 通讯作者:成塚 重弥
表面ステップの移動を制御するマスクパターンを用いたGaAs MCE横縦比の向上
使用掩模图案控制表面台阶移动来提高 GaAs MCE 纵横比
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:水野 陽介;冨田 将史;高倉 宏幸;岩川 宗樹;神林 大介;丸山 隆浩;成塚 重弥;高倉宏幸,岩川宗樹,神林大介,冨田将史,水野陽介,山田純平,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥;水野陽介,冨田将史,神林大介,高倉宏幸,岩川宗樹,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
- 通讯作者:水野陽介,冨田将史,神林大介,高倉宏幸,岩川宗樹,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
Relationship between surface supersaturation and vertical growth rate in GaAs microchannel epitaxy
GaAs微通道外延中表面过饱和度与垂直生长速率的关系
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Tomita;T. Takakura;Y. Mizuno;M. Iwakawa;D. Kanbayashi;S. Naritsuka;and T. Maruyama
- 通讯作者:and T. Maruyama
Lateral growth of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa-shaped substrate
- DOI:10.7567/jjap.55.105502
- 发表时间:2016-09
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:D. Kambayashi;H. Takakura;M. Tomita;M. Iwakawa;Y. Mizuno;T. Maruyama;S. Naritsuka
- 通讯作者:D. Kambayashi;H. Takakura;M. Tomita;M. Iwakawa;Y. Mizuno;T. Maruyama;S. Naritsuka
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Naritsuka Shigeya其他文献
Crystal orientation effects of sapphire substrate on graphene direct growth by metal catalyst-free low-pressure CVD
蓝宝石衬底对无金属催化剂低压CVD直接生长石墨烯的晶体取向影响
- DOI:
10.1063/1.5098806 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:
Ueda Yuki;Yamada Jumpei;Ono Taishi;Maruyama Takahiro;Naritsuka Shigeya - 通讯作者:
Naritsuka Shigeya
Operando Analysis of Field-Effect of Graphene Transistors
石墨烯晶体管场效应的操作分析
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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Hirokazu Fukidome
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- DOI:
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- 影响因子:1.5
- 作者:
Kusakabe Yasuhiro;Sugiyama Hayata;Takenaka Shun;Suzuki Yohei;Maruyama Takahiro;Naritsuka Shigeya;Shimizu Kazuo - 通讯作者:
Shimizu Kazuo
Mesa orientation dependence of lateral growth of GaN microchannel epitaxy by electric liquid-phase epitaxy using a mesa-shaped substrate
使用台面形衬底通过电液相外延进行 GaN 微通道外延横向生长的台面取向依赖性
- DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2018.04.011 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:
Kambayashi Daisuke;Mizuno Yosuke;Takakura Hiroyuki;Maruyama Takahiro;Naritsuka Shigeya - 通讯作者:
Naritsuka Shigeya
キャピラリー電気泳動を駆使した超高感度グライコーム分析法の開発と応用
超灵敏毛细管电泳糖组分析方法的开发及应用
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Maruyama Takahiro;Okada Takuya;Sharma Kamal Prasad;Suzuki Tomoko;Saida Takahiro;Naritsuka Shigeya;Iizumi Yoko;Okazaki Toshiya;Iijima Sumio;川井 隆之 - 通讯作者:
川井 隆之
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{{ truncateString('Naritsuka Shigeya', 18)}}的其他基金
Basic research for realization of heteroepitaxial growth platform
异质外延生长平台实现的基础研究
- 批准号:
15H03558 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
ナトリウムフラックス法を用いた窒化ガリウム結晶の成長界面による低転位化
使用钠熔剂法降低氮化镓晶体生长界面的位错
- 批准号:
24KJ1636 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
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- 资助金额:
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- 批准号:
24KJ1642 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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基于绝缘栅界面及其电子传输特性控制的氮化镓晶体管高稳定性
- 批准号:
23KJ0042 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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- 批准号:
23KJ1098 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウム中の真性点欠陥が形成する準位およびアニール挙動の統一的モデル確立
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- 批准号:
23KJ1107 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ナトリウムフラックス法を用いた高品質窒化ガリウム結晶の高速成長
采用钠助熔剂法高速生长高质量氮化镓晶体
- 批准号:
22KJ2126 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
通信機の超低消費電力化に向けた窒化ガリウム系高周波トランジスタの開発
开发用于通信设备超低功耗的氮化镓基高频晶体管
- 批准号:
22KJ1532 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化ガリウムMOSデバイスにおけるキャリア散乱機構の研究
氮化镓MOS器件载流子散射机制研究
- 批准号:
23K13367 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
耐放射線窒化ガリウム電子デバイス実現に向けた放射線誘起欠陥と素子特性劣化の解明
阐明辐射引起的缺陷和器件特性恶化,以实现抗辐射氮化镓电子器件
- 批准号:
22KJ1583 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows