Growth of GaN template substrate by flow-assisted-mode liquid phase epitaxy
Growth of GaN template substrate by flow-assisted-mode liquid phase epitaxy
流动辅助模式液相外延生长GaN模板衬底
批准号：
26600089
负责人：
Naritsuka Shigeya
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長のボート設計
使用 3D 打印机进行流辅助 GaN 液相生长的船设计
使用 3D 打印机进行流辅助 GaN 液相生长的船设计
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岩川宗樹, 神林大介, 水野陽介, 白木優子, 丸山隆浩, 成塚重弥]
通讯作者：
成塚重弥
表面ステップの移動を制御するマスクパターンを用いたGaAs MCE横縦比の向上
使用掩模图案控制表面台阶移动来提高 GaAs MCE 纵横比
使用掩模图案控制表面台阶移动来提高 GaAs MCE 纵横比
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水野 陽介, 冨田 将史, 高倉 宏幸, 岩川 宗樹, 神林 大介, 丸山 隆浩, 成塚 重弥, 高倉宏幸，岩川宗樹，神林大介，冨田将史，水野陽介，山田純平，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥, 水野陽介，冨田将史，神林大介，高倉宏幸，岩川宗樹，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥]
通讯作者：
水野陽介，冨田将史，神林大介，高倉宏幸，岩川宗樹，安井亮太，丸山隆浩，成塚重弥
Relationship between surface supersaturation and vertical growth rate in GaAs microchannel epitaxy
GaAs微通道外延中表面过饱和度与垂直生长速率的关系
GaAs微通道外延中表面过饱和度与垂直生长速率的关系
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Tomita, T. Takakura, Y. Mizuno, M. Iwakawa, D. Kanbayashi, S. Naritsuka, and T. Maruyama]
通讯作者：
and T. Maruyama
その場減圧窒素マイクロプラズマ処理によるMOMBE GaN成長再現性の向上
通过原位减压氮气微等离子体处理提高 MOMBE GaN 生长再现性
通过原位减压氮气微等离子体处理提高 MOMBE GaN 生长再现性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[日下部 安宏, 丸山 隆浩, 清水 一男, 成塚 重弥]
通讯作者：
成塚 重弥
DOI：
10.7567/jjap.55.105502
发表时间：
2016-09
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[D. Kambayashi;H. Takakura;M. Tomita;M. Iwakawa;Y. Mizuno;T. Maruyama;S. Naritsuka]
通讯作者：
D. Kambayashi;H. Takakura;M. Tomita;M. Iwakawa;Y. Mizuno;T. Maruyama;S. Naritsuka
共 28 条
Basic research for realization of heteroepitaxial growth platform
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批准号：15H03558
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.98万
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财政年份：2015
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负责人：Naritsuka Shigeya
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依托单位：
海外基金