Growth of GaN template substrate by flow-assisted-mode liquid phase epitaxy

流动辅助模式液相外延生长GaN模板衬底

基本信息

  • 批准号:
    26600089
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(64)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長のボート設計
使用 3D 打印机进行流辅助 GaN 液相生长的船设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩川宗樹;神林大介;水野陽介;白木優子;丸山隆浩;成塚重弥
  • 通讯作者:
    成塚重弥
その場減圧窒素マイクロプラズマ処理によるMOMBE GaN成長再現性の向上
通过原位减压氮气微等离子体处理提高 MOMBE GaN 生长再现性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    日下部 安宏;丸山 隆浩;清水 一男;成塚 重弥
  • 通讯作者:
    成塚 重弥
表面ステップの移動を制御するマスクパターンを用いたGaAs MCE横縦比の向上
使用掩模图案控制表面台阶移动来提高 GaAs MCE 纵横比
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    水野 陽介;冨田 将史;高倉 宏幸;岩川 宗樹;神林 大介;丸山 隆浩;成塚 重弥;高倉宏幸,岩川宗樹,神林大介,冨田将史,水野陽介,山田純平,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥;水野陽介,冨田将史,神林大介,高倉宏幸,岩川宗樹,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
  • 通讯作者:
    水野陽介,冨田将史,神林大介,高倉宏幸,岩川宗樹,安井亮太,丸山隆浩,成塚重弥
Relationship between surface supersaturation and vertical growth rate in GaAs microchannel epitaxy
GaAs微通道外延中表面过饱和度与垂直生长速率的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Tomita;T. Takakura;Y. Mizuno;M. Iwakawa;D. Kanbayashi;S. Naritsuka;and T. Maruyama
  • 通讯作者:
    and T. Maruyama
Lateral growth of GaN by liquid phase electroepitaxy using mesa-shaped substrate
  • DOI:
    10.7567/jjap.55.105502
  • 发表时间:
    2016-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    D. Kambayashi;H. Takakura;M. Tomita;M. Iwakawa;Y. Mizuno;T. Maruyama;S. Naritsuka
  • 通讯作者:
    D. Kambayashi;H. Takakura;M. Tomita;M. Iwakawa;Y. Mizuno;T. Maruyama;S. Naritsuka
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Naritsuka Shigeya其他文献

Crystal orientation effects of sapphire substrate on graphene direct growth by metal catalyst-free low-pressure CVD
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  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Ueda Yuki;Yamada Jumpei;Ono Taishi;Maruyama Takahiro;Naritsuka Shigeya
  • 通讯作者:
    Naritsuka Shigeya
Operando Analysis of Field-Effect of Graphene Transistors
石墨烯晶体管场效应的操作分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ueda Yuki;Yamanda Jumpei;Fujiwara Kyosuke;Yamamoto Daichi;Maruyama Takahiro;Naritsuka Shigeya;Hirokazu Fukidome
  • 通讯作者:
    Hirokazu Fukidome
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  • DOI:
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  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Kusakabe Yasuhiro;Sugiyama Hayata;Takenaka Shun;Suzuki Yohei;Maruyama Takahiro;Naritsuka Shigeya;Shimizu Kazuo
  • 通讯作者:
    Shimizu Kazuo
Mesa orientation dependence of lateral growth of GaN microchannel epitaxy by electric liquid-phase epitaxy using a mesa-shaped substrate
使用台面形衬底通过电液相外延进行 GaN 微通道外延横向生长的台面取向依赖性
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2018.04.011
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Kambayashi Daisuke;Mizuno Yosuke;Takakura Hiroyuki;Maruyama Takahiro;Naritsuka Shigeya
  • 通讯作者:
    Naritsuka Shigeya
キャピラリー電気泳動を駆使した超高感度グライコーム分析法の開発と応用
超灵敏毛细管电泳糖组分析方法的开发及应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Maruyama Takahiro;Okada Takuya;Sharma Kamal Prasad;Suzuki Tomoko;Saida Takahiro;Naritsuka Shigeya;Iizumi Yoko;Okazaki Toshiya;Iijima Sumio;川井 隆之
  • 通讯作者:
    川井 隆之

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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    23K13367
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号:
    22KJ1583
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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