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Low Resistance Metal/Germanium Contacts by Alleviation of Fermi Level Pinning Phenomenon

Low Resistance Metal/Germanium Contacts by Alleviation of Fermi Level Pinning Phenomenon
通过减轻费米能级钉扎现象实现低电阻金属/锗接触
批准号：
15H03565
负责人：
NAKATSUKA Osamu
金额：
$10.9万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03565/
关键词：
界面集積回路ゲルマニウムコンタクトショットキー障壁ゲルマニウム錫ドーピング

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Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer
通过插入 Ge1-xSnx 层控制金属/Ge 界面处的肖特基势垒高度
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima]
通讯作者： and S. Zaima
電子素子およびその製造方法
电子装置及其制造方法
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Crystalline and electrical properties of epitaxial HfGe2/Ge contact for lowering Schottky barrier height
用于降低肖特基势垒高度的外延 HfGe2/Ge 接触的晶体和电学特性
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [O. Nakatsuka, A. Suzuki, J. McVittie, Y. Nishi, and S. Zaima O. Nakatsuka, A. Suzuki, J. McVittie, Y. Nishi, and S. Zaima]
通讯作者： and S. Zaima
Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched Si x Ge1? x ? y Sn y ternary alloy interlayer on Ge
使用晶格匹配的 Si x Ge1 减轻金属/n-Ge 界面处的费米能级钉扎？
DOI： 10.7567/jjap.57.060304
发表时间： 2018
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Suzuki Akihiro, Nakatsuka Osamu, Sakashita Mitsuo, Zaima Shigeaki]
通讯作者： Zaima Shigeaki
共 47 条
    Formation technology of ultra-flat metal/Ge contacts with low resistance for Ge electronics
    • 批准号：
      18686005
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $19.47万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      NAKATSUKA Osamu
    • 依托单位：
      Nagoya University
    海外基金