Low Resistance Metal/Germanium Contacts by Alleviation of Fermi Level Pinning Phenomenon

通过减轻费米能级钉扎现象实现低电阻金属/锗接触

• 批准号: 15H03565
• 负责人: NAKATSUKA Osamu
• 金额: $ 10.9万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03565/
• 关键词: 界面; 集積回路; ゲルマニウム; コンタクト; ショットキー障壁; ゲルマニウム錫; ドーピング

项目成果

Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer

通过插入 Ge1-xSnx 层控制金属/Ge 界面处的肖特基势垒高度

• 发表时间: 2016
• 作者: A. Suzuki;O. Nakatsuka;S. Shibayama;M. Sakashita;W. Takeuchi;M. Kurosawa;and S. Zaima
• 通讯作者: and S. Zaima

電子素子およびその製造方法

电子装置及其制造方法

• 发表时间: 2016

Crystalline and electrical properties of epitaxial HfGe2/Ge contact for lowering Schottky barrier height

用于降低肖特基势垒高度的外延 HfGe2/Ge 接触的晶体和电学特性

• 发表时间: 2017
• 作者: O. Nakatsuka;A. Suzuki;J. McVittie;Y. Nishi;and S. Zaima O. Nakatsuka;A. Suzuki;J. McVittie;Y. Nishi;and S. Zaima
• 通讯作者: and S. Zaima

Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched Si x Ge1? x ? y Sn y ternary alloy interlayer on Ge

使用晶格匹配的 Si x Ge1 减轻金属/n-Ge 界面处的费米能级钉扎？

• DOI: 10.7567/jjap.57.060304
• 发表时间: 2018
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Suzuki Akihiro;Nakatsuka Osamu;Sakashita Mitsuo;Zaima Shigeaki
• 通讯作者: Zaima Shigeaki

Formation of epitaxial Hf digermanide/Ge(001) contact and its crystalline properties

外延Hf二锗化物/Ge(001)接触的形成及其晶体特性

• DOI: 10.7567/jjap.57.07ma05
• 发表时间: 2018
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: O. Nakatsuka;A. Suzuki;J. McVittie;Y. Nishi;and S. Zaima
• 通讯作者: and S. Zaima