课题基金 / 基金详情

Formation technology of ultra-flat metal/Ge contacts with low resistance for Ge electronics

Formation technology of ultra-flat metal/Ge contacts with low resistance for Ge electronics
用于Ge电子器件的低电阻超平坦金属/Ge接触形成技术
批准号：
18686005
负责人：
NAKATSUKA Osamu
金额：
$19.47万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18686005/
关键词：
ゲルマニウムコンタクト界面ジャーマナイドULSIプロセス技術結晶工学ニッケル電子・電気材料

项目摘要

项目成果

NAKATSUKA Osamu的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
次世代超々大規模集積回路の高性能化、低消費電力化に期待される高移動度ゲルマニウム(Ge)チャネルデバイス実現のために、金属電極/Ge界面の低抵抗化、熱的安定性向上を目指して金属/Ge界面の結晶構造および電気伝導特性制御に関する研究を行った。ニッケルジャーマナイド(NiGe)への白金(Pt)添加を施し形成した(Ni1-xPtx)Ge層によって、従来のNiGeよりも熱的安定性に優れたジャーマナイド/Geコンタクト形成に成功した。また、金属/Ge界面制御を施した金属/GeコンタクトのSchottky障壁高さ評価から、フェルミレベルピニングを解消し、低Schottky障壁高さを実現するための知見を得た。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体
锗化物薄膜、锗化物薄膜的制造方法、具有锗化物薄膜的锗结构
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts
界面结构对金属/Ge肖特基接触电性能的影响
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [O. Nakatsuka, S. Akimoto, T. Nishimura, and S. Zaima]
通讯作者： and S. Zaima
Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge (001) Substrates
Pt 掺入对 Ge (001) 基底上 NiGe 层热稳定性的影响
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： The 7th International Workshop on Junction Technology (掲載決定済)
影响因子： --
作者： [O.Nakatsuka, A.Suzuki, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima]
通讯作者： S.Zaima
Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上
添加Pt提高Ge(001)衬底上NiGe薄膜的热稳定性
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 第2分冊
影响因子： --
作者： [鈴木敦之, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明]
通讯作者： 財満鎭明
Low Resistance Metal/Germanium Contacts by Alleviation of Fermi Level Pinning Phenomenon
  • 批准号：
    15H03565
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.9万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    NAKATSUKA Osamu
  • 依托单位：
    Nagoya University
海外基金