Electric-field control of electronic phase change properties in transition-metal oxides
Electric-field control of electronic phase change properties in transition-metal oxides
批准号:
15H03567
负责人:
Fujiwara Kohei
金额:
$10.9万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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静電キャリアドーピングによるBaSnO3薄膜の電子移動度向上
静电载流子掺杂提高BaSnO3薄膜中的电子迁移率
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[藤原 宏平, 西原 和貴, 塩貝 純一, 塚﨑 敦]
通讯作者:
塚﨑 敦
BaSnO3 thin-film transistors with high field-effect mobility
具有高场效应迁移率的BaSnO3薄膜晶体管
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kohei Fujiwara, Kazuki Nishihara, Junichi Shiogai, and Atsushi Tsukazaki]
通讯作者:
and Atsushi Tsukazaki
金属酸化物ナノ構造を用いた新機能素子の開発
利用金属氧化物纳米结构开发新型功能器件
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Wei, K. Fujiwara, T. Kanki, and H. Tanaka, 藤原宏平]
通讯作者:
藤原宏平
ポスト遷移金属の酸化物を用いた薄膜素子研究
利用后过渡金属氧化物的薄膜器件研究
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[藤原宏平, 塚﨑敦]
通讯作者:
塚﨑敦
スズ系複酸化物のエピタキシャル成長と電子機能開拓
锡基复合氧化物的外延生长及电子功能开发
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[藤原 宏平, 西原 和貴, 塩貝 純一, 塚﨑 敦]
通讯作者:
塚﨑 敦
共 7 条
Thin-film stabilization of polar oxide semiconductors and the development of multi-level ferroelectric memory devices
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批准号:19H02423
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.65万
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财政年份:2019
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负责人:Fujiwara Kohei
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依托单位:
Exploration of giant spin Hall effect in oxides for spin current detectors
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批准号:15K13949
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.41万
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财政年份:2015
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负责人:Fujiwara Kohei
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依托单位:
海外基金