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Thin-film stabilization of polar oxide semiconductors and the development of multi-level ferroelectric memory devices

Thin-film stabilization of polar oxide semiconductors and the development of multi-level ferroelectric memory devices
极性氧化物半导体的薄膜稳定性和多级铁电存储器件的开发
批准号：
19H02423
负责人：
Fujiwara Kohei
金额：
$11.65万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02423/
关键词：
酸化物エレクトロニクス酸化物半導体強誘電体パルスレーザー堆積法LiNbO3型酸化物イルメナイト型酸化物コランダム型酸化物薄膜強誘電メモリ電気伝導性酸化物

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发表时间： 2021
期刊：
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发表时间： 2021
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作者： [木口賢紀, 今野豊彦, 藤原 宏平]
通讯作者： 藤原 宏平
共 11 条
    Electric-field control of electronic phase change properties in transition-metal oxides
    • 批准号：
      15H03567
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.9万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Fujiwara Kohei
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Exploration of giant spin Hall effect in oxides for spin current detectors
    • 批准号：
      15K13949
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Fujiwara Kohei
    • 依托单位：
      Tohoku University
    海外基金