Thin-film stabilization of polar oxide semiconductors and the development of multi-level ferroelectric memory devices

极性氧化物半导体的薄膜稳定性和多级铁电存储器件的开发

基本信息

  • 批准号:
    19H02423
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
高分子絶縁材料の絶縁破壊・劣化メカニズムとその対策技術
高分子绝缘材料介电击穿、劣化机理及对策技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    KIGUCHI Takanori;SHIMIZU Takumi;SHIRAISHI Takahisa;KONNO Toyohiko J.;藤原 宏平;藤原 宏平
  • 通讯作者:
    藤原 宏平
Formation of ilmenite-type single-crystalline MgTiO3 thin films by pulsed-laser deposition
脉冲激光沉积钛铁矿型单晶 MgTiO3 薄膜的形成
  • DOI:
    10.1063/5.0078021
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    M. Negishi;K. Fujiwara Kohei;and A. Tsukazaki
  • 通讯作者:
    and A. Tsukazaki
Stabilization of a honeycomb lattice of IrO6 octahedra by formation of ilmenite-type superlattices in MnTiO3
通过在 MnTiO3 中形成钛铁矿型超晶格来稳定 IrO6 八面体的蜂窝晶格
  • DOI:
    10.1038/s43246-020-00059-1
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    7.8
  • 作者:
    松本浩幸;梶川宏明;有吉慶介;荒木英一郎;K. Miura K. Fujiwara K. Nakayama R. Ishikawa N. Shibata A. Tsukazaki
  • 通讯作者:
    K. Miura K. Fujiwara K. Nakayama R. Ishikawa N. Shibata A. Tsukazaki
新奇デバイス機能の実現に向けた金属酸化物の薄膜化研究
研究减薄金属氧化物薄膜以实现新颖的器件功能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木口賢紀;今野豊彦;藤原 宏平
  • 通讯作者:
    藤原 宏平
New aspects of Sn-based transparent conducting oxides: high-mobility interface and its potential coupling with spontaneous polarization
锡基透明导电氧化物的新方面:高迁移率界面及其与自发极化的电势耦合
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松本 浩幸;荒木 英一郎;藤原 宏平;藤原 宏平
  • 通讯作者:
    藤原 宏平
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Fujiwara Kohei其他文献

FeSe1-xTexの単結晶試料合成と電子相図の研究
FeSe1-xTex单晶样品的合成及电子相图研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shiogai Junichi;Chida Takumaru;Hashimoto Kenichiro;Fujiwara Kohei;Sasaki Takahiko;Tsukazaki Atsushi;橋本顕一郎;K. Hashimoto;橋本顕一郎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;Kenichiro Hashimoto;橋本顕一郎;橋本顕一郎;石原滉大,六本木雅生,小林雅之,水上雄太,橋本顕一郎,酒井宏典,芳賀芳範,芝内孝禎;六本木雅生,石原滉大,水上雄太,星和久,水口佳一,橋本顕一郎,芝内孝禎;鵜飼柚希,笠原裕一,末次祥大,村山陽奈子,栗田伸之,田中秀数,橋本顕一郎,水上雄太,芝内孝禎,松田祐司;原澤龍平,田中桜平,水上雄太,栗田伸之,田中秀数,山田昌彦,藤本B,笠原裕一,松田祐司,Eun-Gook Moon,橋本顕一郎,芝内孝禎;今村薫平,田中桜平,水上雄太,原澤龍平,橋本顕一郎,栗田伸之,田中秀数,山田昌彦,藤本聡,松田祐司,E.-G. Moon,M. Konczykowski,芝内孝禎;長島椿,橋本嵩広,Sahand Najafzadeh,大内俊一郎,鈴木剛,福島昭子,笠原成,松田祐司,松浦康平,水上雄太,橋本顕一郎,芝内孝禎,辛埴,岡﨑浩三;橋本顕一郎;斎藤三樹彦,松浦康平,向笠清隆,杉村優一,大谷椋,邱明?,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,熊井玲児,郷地順,上床美也,芝内孝禎
  • 通讯作者:
    斎藤三樹彦,松浦康平,向笠清隆,杉村優一,大谷椋,邱明?,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,熊井玲児,郷地順,上床美也,芝内孝禎
Randomness effect on the time-temperature-transformation diagram in a charge-ordered organic material
电荷有序有机材料中时间-温度-转变图的随机效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shiogai Junichi;Chida Takumaru;Hashimoto Kenichiro;Fujiwara Kohei;Sasaki Takahiko;Tsukazaki Atsushi;橋本顕一郎;K. Hashimoto;橋本顕一郎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;Kenichiro Hashimoto;橋本顕一郎;橋本顕一郎;石原滉大,六本木雅生,小林雅之,水上雄太,橋本顕一郎,酒井宏典,芳賀芳範,芝内孝禎;六本木雅生,石原滉大,水上雄太,星和久,水口佳一,橋本顕一郎,芝内孝禎;鵜飼柚希,笠原裕一,末次祥大,村山陽奈子,栗田伸之,田中秀数,橋本顕一郎,水上雄太,芝内孝禎,松田祐司;原澤龍平,田中桜平,水上雄太,栗田伸之,田中秀数,山田昌彦,藤本B,笠原裕一,松田祐司,Eun-Gook Moon,橋本顕一郎,芝内孝禎;今村薫平,田中桜平,水上雄太,原澤龍平,橋本顕一郎,栗田伸之,田中秀数,山田昌彦,藤本聡,松田祐司,E.-G. Moon,M. Konczykowski,芝内孝禎;長島椿,橋本嵩広,Sahand Najafzadeh,大内俊一郎,鈴木剛,福島昭子,笠原成,松田祐司,松浦康平,水上雄太,橋本顕一郎,芝内孝禎,辛埴,岡﨑浩三;橋本顕一郎;斎藤三樹彦,松浦康平,向笠清隆,杉村優一,大谷椋,邱明?,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,熊井玲児,郷地順,上床美也,芝内孝禎;向笠清隆,松浦康平,杉村優一,大谷椋,邱明?,斎藤三樹彦,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,郷地順,上床美也,芝内孝禎;石田浩祐,大西由吾,辻井優哉,向笠清隆,邱明?,斎藤三樹彦,松浦康平,杉村優一,水上雄太,橋本顕一郎,芝内孝禎;影山遥一,児玉壮平,水上雄太,谷内敏之,橋本顕一郎,Arnaud Fouchet,Andr?s F. Santander-Syro,辛埴,芝内孝禎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;向笠清隆,松浦康平,杉村優一,大谷椋,邱明_,斎藤三樹彦,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,熊井玲児,郷地順,上床美也,芝内孝禎;石田浩祐,大西由吾,辻井優哉,向笠清隆,杉村優一,邱明_,松浦康平,斎藤三樹彦,水上雄太,橋本顕一郎,芝内孝禎;原澤龍平,田中桜平,水上雄太,栗田伸之,田中秀数,Eun-Gook Moon,笠原裕一,松田祐司,橋本顕一郎,芝内孝禎;石原滉大,竹中崇了,橋本顕一郎,繆逸杰,鳥塚潔,郷地順,上床美也,鶴見淳人,牧田龍幸,渡邉峻一郎,竹谷純一,佐々木孝彦,X. Huang,W. Xu,D. Zhu,N. Su,J. -G. Cheng,芝内孝禎;Kenichiro Hashimoto
  • 通讯作者:
    Kenichiro Hashimoto
二次元カゴメ格子をもつ配位高分子における強相関超伝導
二维 Kagome 晶格配位聚合物中的强相关超导性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shiogai Junichi;Chida Takumaru;Hashimoto Kenichiro;Fujiwara Kohei;Sasaki Takahiko;Tsukazaki Atsushi;橋本顕一郎;K. Hashimoto;橋本顕一郎;橋本顕一郎
  • 通讯作者:
    橋本顕一郎
A Noble‐Metal‐Free Spintronic System with Proximity‐Enhanced Ferromagnetic Topological Surface State of FeSi above Room Temperature
室温以上 FeSi 具有邻近增强铁磁拓扑表面态的无贵金属自旋电子系统
  • DOI:
    10.1002/adma.202206801
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    29.4
  • 作者:
    Hori Tomohiro;Kanazawa Naoya;Hirayama Motoaki;Fujiwara Kohei;Tsukazaki Atsushi;Ichikawa Masakazu;Kawasaki Masashi;Tokura Yoshinori
  • 通讯作者:
    Tokura Yoshinori
鉄系超伝導体FeSe1-xTexの電子相図の研究
铁基超导体FeSe1-xTex电子相图研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shiogai Junichi;Chida Takumaru;Hashimoto Kenichiro;Fujiwara Kohei;Sasaki Takahiko;Tsukazaki Atsushi;橋本顕一郎;K. Hashimoto;橋本顕一郎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;Kenichiro Hashimoto;橋本顕一郎;橋本顕一郎;石原滉大,六本木雅生,小林雅之,水上雄太,橋本顕一郎,酒井宏典,芳賀芳範,芝内孝禎;六本木雅生,石原滉大,水上雄太,星和久,水口佳一,橋本顕一郎,芝内孝禎;鵜飼柚希,笠原裕一,末次祥大,村山陽奈子,栗田伸之,田中秀数,橋本顕一郎,水上雄太,芝内孝禎,松田祐司;原澤龍平,田中桜平,水上雄太,栗田伸之,田中秀数,山田昌彦,藤本B,笠原裕一,松田祐司,Eun-Gook Moon,橋本顕一郎,芝内孝禎;今村薫平,田中桜平,水上雄太,原澤龍平,橋本顕一郎,栗田伸之,田中秀数,山田昌彦,藤本聡,松田祐司,E.-G. Moon,M. Konczykowski,芝内孝禎;長島椿,橋本嵩広,Sahand Najafzadeh,大内俊一郎,鈴木剛,福島昭子,笠原成,松田祐司,松浦康平,水上雄太,橋本顕一郎,芝内孝禎,辛埴,岡﨑浩三;橋本顕一郎;斎藤三樹彦,松浦康平,向笠清隆,杉村優一,大谷椋,邱明?,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,熊井玲児,郷地順,上床美也,芝内孝禎;向笠清隆,松浦康平,杉村優一,大谷椋,邱明?,斎藤三樹彦,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,郷地順,上床美也,芝内孝禎;石田浩祐,大西由吾,辻井優哉,向笠清隆,邱明?,斎藤三樹彦,松浦康平,杉村優一,水上雄太,橋本顕一郎,芝内孝禎;影山遥一,児玉壮平,水上雄太,谷内敏之,橋本顕一郎,Arnaud Fouchet,Andr?s F. Santander-Syro,辛埴,芝内孝禎;橋本顕一郎;橋本顕一郎;向笠清隆,松浦康平,杉村優一,大谷椋,邱明_,斎藤三樹彦,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,熊井玲児,郷地順,上床美也,芝内孝禎
  • 通讯作者:
    向笠清隆,松浦康平,杉村優一,大谷椋,邱明_,斎藤三樹彦,石田浩祐,大西由吾,水上雄太,橋本顕一郎,熊井玲児,郷地順,上床美也,芝内孝禎

Fujiwara Kohei的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Fujiwara Kohei', 18)}}的其他基金

Electric-field control of electronic phase change properties in transition-metal oxides
过渡金属氧化物电子相变特性的电场控制
  • 批准号:
    15H03567
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Exploration of giant spin Hall effect in oxides for spin current detectors
自旋电流探测器中氧化物中巨自旋霍尔效应的探索
  • 批准号:
    15K13949
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
  • 批准号:
    23K21051
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究
针对高性能三次元元素的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究
  • 批准号:
    23K23226
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
酸化物半導体が駆動する次世代強誘電体メモリデバイスの大規模集積化に関する研究
氧化物半导体驱动的下一代铁电存储器件大规模集成研究
  • 批准号:
    24H00309
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
酸化物半導体表面プラズモンの電気的制御によるウインドウクロミックの創成
通过氧化物半导体表面等离子体的电控制创建窗口变色
  • 批准号:
    24K00917
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
透明酸化物半導体の大型単結晶の育成とその特異な伝導特性機構の解明
透明氧化物半导体大单晶的生长及其独特的导电特性机制的阐明
  • 批准号:
    24K07563
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
p型酸化物半導体を用いた酸化物トンネル電界効果型トランジスタの開発
使用p型氧化物半导体的氧化物隧道场效应晶体管的开发
  • 批准号:
    24K08254
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
原子層プロセスによる結晶性酸化物半導体の高品位な合成と集積デバイス応用
使用原子层处理和集成器件应用高质量合成晶体氧化物半导体
  • 批准号:
    23K19123
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
ALD法による多元系金属酸化物半導体の形成および高性能三次元素子の作製
ALD法多元金属氧化物半导体的形成及高性能三元元件的生产
  • 批准号:
    23KJ1590
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体レーザーによる酸化物半導体の単結晶帯成長と高性能フレキシブルデバイスの創出
使用半导体激光器的氧化物半导体单晶带生长及高性能柔性器件的制作
  • 批准号:
    22K14303
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ワイドギャップp型酸化物半導体におけるキャリア生成と構造の相関
宽禁带 p 型氧化物半导体中载流子生成与结构之间的相关性
  • 批准号:
    22K05277
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了