Electron and spin transport properties of Rashba systems on semiconductor surfaces
Electron and spin transport properties of Rashba systems on semiconductor surfaces
半导体表面 Rashba 系统的电子和自旋输运特性
批准号：
15H03675
负责人：
Aruga Tetsuya
金额：
$10.82万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Si(111)基板上に成長させた Bi2Te3 薄膜の電子状態と電気伝導
Si(111)衬底上生长的Bi2Te3薄膜的电子态和电导
Si(111)衬底上生长的Bi2Te3薄膜的电子态和电导
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大林嵩,八田振一郎,奥山弘, 有賀哲也]
通讯作者：
有賀哲也
In/Si(111)-(√7×√3)表面の電気伝導に対する吸着フタロシアニンの効果
吸附酞菁对In/Si(111)-(√7×√3)表面电导率的影响
吸附酞菁对In/Si(111)-(√7×√3)表面电导率的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[八田振一郎, 坂田直人, 奥山弘, 有賀哲也]
通讯作者：
有賀哲也
In/Si(111)表面上フタロシアニン分子の吸着状態の研究
In/Si(111)表面酞菁分子吸附状态研究
In/Si(111)表面酞菁分子吸附状态研究
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[綾遥奈, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也]
通讯作者：
有賀哲也
4 端子伝導度測定を用いた鉄フタロシアニン超薄膜の成長の観察
使用四端电导率测量观察超薄铁酞菁薄膜的生长
使用四端电导率测量观察超薄铁酞菁薄膜的生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也]
通讯作者：
有賀 哲也
Characteristics of the 1D Metallic Band of Au-Induced Atomic Chains on Vicinal Si(001)
邻位Si(001)上Au诱导原子链的一维金属能带特征
邻位Si(001)上Au诱导原子链的一维金属能带特征
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[P. Thomas, N. Kawai, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga]
通讯作者：
T. Aruga
共 27 条
2D materials with Rshba spin, local spin, and conduction electrons
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批准号：19H01825
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.57万
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财政年份：2019
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负责人：Aruga Tetsuya
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依托单位：
海外基金