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Electron and spin transport properties of Rashba systems on semiconductor surfaces

半导体表面 Rashba 系统的电子和自旋输运特性

基本信息

批准号：
15H03675
负责人：
Aruga Tetsuya
金额：
$ 10.82万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Si(111)基板上に成長させた Bi2Te3 薄膜の電子状態と電気伝導

Si(111)衬底上生长的Bi2Te3薄膜的电子态和电导

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
大林嵩,八田振一郎,奥山弘;有賀哲也
通讯作者：
有賀哲也

In/Si(111)-(√7×√3)表面の電気伝導に対する吸着フタロシアニンの効果

吸附酞菁对In/Si(111)-(√7×√3)表面电导率的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
八田振一郎;坂田直人;奥山弘;有賀哲也
通讯作者：
有賀哲也

Characteristics of the 1D Metallic Band of Au-Induced Atomic Chains on Vicinal Si(001)

邻位Si(001)上Au诱导原子链的一维金属能带特征

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
P. Thomas;N. Kawai;S. Hatta;H. Okuyama;T. Aruga
通讯作者：
T. Aruga

4 端子伝導度測定を用いた鉄フタロシアニン超薄膜の成長の観察

使用四端电导率测量观察超薄铁酞菁薄膜的生长

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
八田振一郎;奥山弘;有賀哲也
通讯作者：
有賀哲也

In/Si(111)表面上フタロシアニン分子の吸着状態の研究

In/Si(111)表面酞菁分子吸附状态研究

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
綾遥奈;八田振一郎;奥山弘;有賀哲也
通讯作者：
有賀哲也

DOI：
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作者：
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春名太一

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影响因子：
0
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Hatta Shinichiro;Obayashi Ko;Okuyama Hiroshi;Aruga Tetsuya;Takuji Arai;Takuji Arai;Takuji Arai and Ryoichi Suzuki
通讯作者：
Takuji Arai and Ryoichi Suzuki