Study on impurity control in an extremely-low concentration range for obtaining highly-functional diamond crystals

极低浓度范围杂质控制以获得高功能金刚石晶体的研究

• 批准号: 15H03980
• 负责人: TERAJI TOKUYUKI
• 金额: $ 10.73万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03980/
• 关键词: 電子・電気材料; 結晶成長; ダイヤモンド; 不純物制御; 電子・電気材料工学

项目成果

Homoepitaxial chemical vapor deposition of diamond film for ultra-light doping

超轻掺杂金刚石薄膜同质外延化学气相沉积

• 发表时间: 2017
• 作者: T. Teraji;J. Isoya;K. Watanabe;S. Koizumi;and Y. Koide
• 通讯作者: and Y. Koide

Diamond film growth for formation of single photon source

用于形成单光子源的金刚石膜生长

• 发表时间: 2015
• 作者: Williams;BL. Akazome;Y.;Oka;Y. and Eisthen;H.L.;樽茶清悟;T. Teraji,
• 通讯作者: T. Teraji,

Nano-scale interlayer formation for thermally stable SBD electrical properties

纳米级中间层的形成可实现热稳定的 SBD 电性能

• 发表时间: 2015
• 作者: Alexandre FIORI;Tokuyuki TERAJI;Jose PINERO;Daniel ARAUJO;Yasuo KOIDE
• 通讯作者: Yasuo KOIDE

Oxycarbide Formation for Ideal and Thermally Stable Diamond Schottky-barrier Diodes/Oxycarbide Formation for Ideal and Thermally Stable Diamond Schottky-barrier Diodes

理想且热稳定的金刚石肖特基势垒二极管的碳氧化物形成/理想且热稳定的金刚石肖特基势垒二极管的碳氧化物形成

• 发表时间: 2015
• 作者: A. Fiori;T. Teraji;Y. Koide
• 通讯作者: Y. Koide

Effect of a radical exposure nitridation surface on the charge stability of shallow nitrogen-vacancy centers in diamond

• DOI: 10.7567/apex.10.055503
• 发表时间: 2017-05-01
• 期刊: APPLIED PHYSICS EXPRESS
• 影响因子: 2.3
• 作者: Kageura, Taisuke;Kato, Kanami;Kawarada, Hiroshi
• 通讯作者: Kawarada, Hiroshi