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Research on semiconductor spin devices with ferromagnetic semiconductors

Research on semiconductor spin devices with ferromagnetic semiconductors
铁磁半导体半导体自旋器件研究
批准号：
15H03988
负责人：
PHAM NAM HAI
金额：
$10.82万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H03988/
关键词：
強磁性半導体スピンダイオードスピントランジスタスピンバルブ効果スピンデバイスナノ構造

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高性能铁掺杂铁磁半导体
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： Masaaki Tanaka (invited)
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发表时间： 2017
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影响因子： --
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通讯作者： VLADIMIR N. STROCOV
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纳米级硅通道中的自旋输运
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai]
通讯作者： Pham Nam Hai
共 41 条
    Research of pure spin current source using tunable topological insulator
    • 批准号：
      16K14228
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      PHAM NAM HAI
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Fe-based carrier-induced ferromagnetic semiconductors and their applications to next-generation spin devices
    海外基金