课题基金 / 基金详情

Research of pure spin current source using tunable topological insulator

Research of pure spin current source using tunable topological insulator
可调谐拓扑绝缘体纯自旋电流源的研究
批准号：
16K14228
负责人：
PHAM NAM HAI
金额：
$2.41万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14228/
关键词：
SOT-MRAMトポロジカル絶縁体スピン軌道トルクスピンホール効果MRAM

项目摘要

项目成果

PHAM NAM HAI的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(14)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Epitaxial growth and characterization of Bi1-xSbx spin Hall thin films on GaAs(111)A substrates
DOI： 10.1063/1.4975492
发表时间： 2017-02
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [Yugo Ueda;N. H. D. Khang;Kenichiro Yao;P. Hai]
通讯作者： Yugo Ueda;N. H. D. Khang;Kenichiro Yao;P. Hai
Hochminh city University of Pedagogy(ベトナム)
胡明市师范大学（越南）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Origin of the giant spin Hall effect in BiSb topological insulator
BiSb拓扑绝缘体中巨自旋霍尔效应的起源
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Yao, T. Shirokura, P. N. Hai]
通讯作者： P. N. Hai
Growth and characterization of MnGa thin films on BiSb topological insulator
BiSb 拓扑绝缘体上 MnGa 薄膜的生长和表征
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai]
通讯作者： Pham Nam Hai
共 19 条
    Research on semiconductor spin devices with ferromagnetic semiconductors
    • 批准号：
      15H03988
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.82万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      PHAM NAM HAI
    • 依托单位：
      Tokyo Institute of Technology
    Fe-based carrier-induced ferromagnetic semiconductors and their applications to next-generation spin devices
    海外基金