Research of pure spin current source using tunable topological insulator

可调谐拓扑绝缘体纯自旋电流源的研究

基本信息

  • 批准号:
    16K14228
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Epitaxial growth and characterization of Bi1-xSbx spin Hall thin films on GaAs(111)A substrates
  • DOI:
    10.1063/1.4975492
  • 发表时间:
    2017-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Yugo Ueda;N. H. D. Khang;Kenichiro Yao;P. Hai
  • 通讯作者:
    Yugo Ueda;N. H. D. Khang;Kenichiro Yao;P. Hai
Hochminh city University of Pedagogy(ベトナム)
胡明市师范大学(越南)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Origin of the giant spin Hall effect in BiSb topological insulator
BiSb拓扑绝缘体中巨自旋霍尔效应的起源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Yao;T. Shirokura;P. N. Hai
  • 通讯作者:
    P. N. Hai
Growth and characterization of MnGa thin films on BiSb topological insulator
BiSb 拓扑绝缘体上 MnGa 薄膜的生长和表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nguyen Huynh Duy Khang;Pham Nam Hai
  • 通讯作者:
    Pham Nam Hai
Magnetic and structural properties of MnGa thin films grown on Bi0.8Sb0.2 topological insulator
Bi0.8Sb0.2 拓扑绝缘体上生长的 MnGa 薄膜的磁性和结构特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. H. D. Khang;Y. Ueda;P. N. Hai
  • 通讯作者:
    P. N. Hai
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    MASAKI KOBAYASHI;LE DUC ANH;PHAM NAM HAI;YOSHIHISA HARADA;THORSTEN SCHMITT;ATSUSHI FUJIMORI;MASAAKI TANAKA;MASAHARU OSHIMA;VLADIMIR N. STROCOV
  • 通讯作者:
    VLADIMIR N. STROCOV

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    2023
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
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