Fe-based carrier-induced ferromagnetic semiconductors and their applications to next-generation spin devices
Fe-based carrier-induced ferromagnetic semiconductors and their applications to next-generation spin devices
Fe基载流子感应铁磁半导体及其在下一代自旋器件中的应用
批准号：
24686040
负责人：
PHAM NAM HAI
金额：
$17.31万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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New Narrow Gap III-V Ferromagnetic Semiconductors
新型窄隙 III-V 铁磁半导体
新型窄隙 III-V 铁磁半导体
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka]
通讯作者：
Masaaki Tanaka
(Ga,Fe)Sb: a new p-type ferromagnetic semiconductor
(Ga,Fe)Sb：新型p型铁磁半导体
(Ga,Fe)Sb：新型p型铁磁半导体
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka]
通讯作者：
and Masaaki Tanaka
Interplay between strain, quantum confinement, and ferromagnetism in strained ferromagnetic semiconductor (In, Fe) As thin films
应变铁磁半导体（In、Fe）As薄膜中应变、量子限制和铁磁性之间的相互作用
应变铁磁半导体（In、Fe）As薄膜中应变、量子限制和铁磁性之间的相互作用
DOI：
10.1063/1.4870970
发表时间：
2014
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Daisuke Sasaki, Le Duc Anh, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka]
通讯作者：
Masaaki Tanaka
Epitaxial growth and properties of n-type magnetic semiconductor (In,Co)As
n型磁性半导体(In,Co)As的外延生长及性能
n型磁性半导体(In,Co)As的外延生长及性能
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nguyen Thanh Tu, Le Due Anh, Pham Nam Hai, and Masaaki Tanaka]
通讯作者：
and Masaaki Tanaka
DOI：
--
发表时间：
2011-06
期刊：
arXiv: Materials Science
影响因子：
--
作者：
[P. Hai;L. D. Anh;Masaaki Tanaka]
通讯作者：
P. Hai;L. D. Anh;Masaaki Tanaka
共 49 条
Research of pure spin current source using tunable topological insulator
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批准号：16K14228
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2016
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负责人：PHAM NAM HAI
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依托单位：
Research on semiconductor spin devices with ferromagnetic semiconductors
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批准号：15H03988
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.82万
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财政年份：2015
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负责人：PHAM NAM HAI
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依托单位：
海外基金