Development of the monolithic AlGaN deep ultraviolet sensing system on a Si substrate
Development of the monolithic AlGaN deep ultraviolet sensing system on a Si substrate
Si 衬底上单片 AlGaN 深紫外传感系统的开发
批准号：
15H03998
负责人：
IWATA NAOTAKA
金额：
$10.73万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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プラズマ励起原子層堆積プラズマ励起原子層堆積保護膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化
等离子体增强原子层沉积 使用等离子体增强原子层沉积保护膜稳定 AlGaN/GaN HEMT 的表面
等离子体增强原子层沉积 使用等离子体增强原子层沉积保护膜稳定 AlGaN/GaN HEMT 的表面
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[鈴木貴之, 山田富明, 河合亮輔, 川口翔平, 張東岩, 岩田直高]
通讯作者：
岩田直高
選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaNGaNGaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響
选择性干法刻蚀对p型GaN栅极AlGaN/GaNGaNGaN高电子迁移率晶体管特性的影响
选择性干法刻蚀对p型GaN栅极AlGaN/GaNGaNGaN高电子迁移率晶体管特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[近藤孝明, 赤澤良彦, 岩田直高]
通讯作者：
岩田直高
Laser-induced local activation of Mg-doped GaN with a high lateral resolution for high power vertical devices
激光诱导局部激活镁掺杂氮化镓，具有高横向分辨率，适用于高功率垂直器件
激光诱导局部激活镁掺杂氮化镓，具有高横向分辨率，适用于高功率垂直器件
DOI：
10.1063/1.5009970
发表时间：
2018
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Noriko Kurose, Kota Matsumoto, Fumihiko Yamada, Teuku Muhammad Roffi, Itaru Kamiya, Naotaka Iwata, and Yoshinobu Aoyagi]
通讯作者：
and Yoshinobu Aoyagi
InGaAs Triangular Barrier Photodiodes for High-Responsivity Detection of Near-Infrared Light
用于近红外光高响应度检测的 InGaAs 三角形势垒光电二极管
用于近红外光高响应度检测的 InGaAs 三角形势垒光电二极管
DOI：
10.7567/apex.9.062101
发表时间：
2016
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Kazuya Sugimura, Masato Ohmor, Takeshi Noda, Tomoya Kojima, Sakunari Kado, Pavel Vitushinskiy, Naotaka Iwata, and Hiroyuki Sakaki]
通讯作者：
and Hiroyuki Sakaki
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