Influence of charge states on structure and property of ferroelectric interfaces

电荷态对铁电界面结构和性能的影响

• 批准号: 15H04145
• 负责人: NAKAMURA ATSUTOMO
• 金额: $ 10.65万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H04145/
• 关键词: ドメインウォール; 強誘電体; 双結晶; ひずみ; 電気伝導; 表面・界面物性; 格子欠陥; 極性界面; 電気伝導特性; 電子顕微鏡

项目成果

酸化物双結晶を用いた転位の構造解析と物性評価

使用氧化物双晶进行位错的结构分析和物理性能评估

• 发表时间: 2015
• 作者: 古嶋佑帆，中村篤智;栃木栄太，幾原雄一;豊浦和明;松永克志;中村篤智
• 通讯作者: 中村篤智

Dislocation Structures in Low-Angle Grain Boundaries of α-Al2O3

α-Al2O3 小角晶界的位错结构

• DOI: 10.3390/cryst8030133
• 发表时间: 2018
• 期刊: Crystals
• 影响因子: 2.7
• 作者: Tochigi Eita;Nakamura Atsutomo;Shibata Naoya;Ikuhara Yuichi
• 通讯作者: Ikuhara Yuichi

Nonstoichiometric [012] dislocation in strontium titanate

钛酸锶中的非化学计量[012]位错

• DOI: 10.1016/j.actamat.2017.06.017
• 发表时间: 2017
• 期刊: Acta Materialia
• 影响因子: 9.4
• 作者: Y. Furushima;Y. Arakawa;A. Nakamura;E. Tochigi;K. Matsunaga
• 通讯作者: K. Matsunaga

Hydroxide-ion incorporation and conduction mechanisms in tin pyrophosphate – a firstprinciples study

焦磷酸锡中氢氧根离子的结合和传导机制

• DOI: 10.1039/c5ta01676b
• 发表时间: 2015
• 期刊: Journal of Materials Chemistry A
• 影响因子: 11.9
• 作者: Junya Terasaka;Kazuaki Toyoura;Atsutomo Nakamura;Katsuyuki Matsunaga
• 通讯作者: Katsuyuki Matsunaga

Another origin of yield drop behavior in sapphire deformed via basal slip: Recombination of climb-dissociated partial dislocations

• DOI: 10.1016/j.scriptamat.2017.06.001
• 发表时间: 2017-09-01
• 期刊: SCRIPTA MATERIALIA
• 影响因子: 6
• 作者: Nakamura, Atsutomo;Matsunaga, Katsuyuki;Lagerlof, K. Peter D.
• 通讯作者: Lagerlof, K. Peter D.