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Changes in dislocation characteristics under light irradiation in inorganic semiconductors
无机半导体光照射下位错特性的变化
基本信息
- 批准号：19K22050
- 负责人：
- 金额：$ 4.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-06-28 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
化合物半導体における30°部分転位のコア構造再構成に関する第一原理計算
化合物半导体30°部分位错核心结构重构的第一性原理计算
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：星野聖奈;大島優;中村篤智;横井達矢;松永克志
- 通讯作者：松永克志
無機半導体材料の力学物性に及ぼす光環境効果
光环境对无机半导体材料力学性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：谷川智之;大西一生;加納聖也;向井孝志;松岡隆志;船守美穂;中村篤智
- 通讯作者：中村篤智
The effect of light on the nanoindentation behavior of cubic zinc sulfide
光对立方硫化锌纳米压痕行为的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Nakamura;X. Fang;A. Matsubara;E. Tochigi;Y. Oshima;T. Saito;T. Yokoi;Y. Ikuhara;K. Matsunaga
- 通讯作者：K. Matsunaga
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功能晶体材料中位错的原子结构和相关功能
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- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
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半导体晶体中的位错量子场和物理性质
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- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
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鉴定负责大动脉完全转位的基因
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24K11975 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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用于量子定位、导航和授时技术的激光器
- 批准号：
2902868 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Studentship
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STTR 第一阶段：用于高精度、高速位置平台的微液压执行器
- 批准号：
2335170 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 4.08万 - 项目类别：
Standard Grant
幾何学的な転位論に基づく塑性力学の構築
基于几何位错理论的塑性力学构建
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