Changes in dislocation characteristics under light irradiation in inorganic semiconductors
Changes in dislocation characteristics under light irradiation in inorganic semiconductors
无机半导体光照射下位错特性的变化
批准号：
19K22050
负责人：
NAKAMURA ATSUTOMO
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
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化合物半導体における30°部分転位のコア構造再構成に関する第一原理計算
化合物半导体30°部分位错核心结构重构的第一性原理计算
化合物半导体30°部分位错核心结构重构的第一性原理计算
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[星野聖奈, 大島優, 中村篤智, 横井達矢, 松永克志]
通讯作者：
松永克志
無機半導体材料の力学物性に及ぼす光環境効果
光环境对无机半导体材料力学性能的影响
光环境对无机半导体材料力学性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[谷川智之, 大西一生, 加納聖也, 向井孝志, 松岡隆志, 船守美穂, 中村篤智]
通讯作者：
中村篤智
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Nakamura, X. Fang, A. Matsubara, E. Tochigi, Y. Oshima, T. Saito, T. Yokoi, Y. Ikuhara, K. Matsunaga]
通讯作者：
K. Matsunaga
Atomic structures of dislocations and the related functionality in functional crystalline materials
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批准号：18H03840
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$28.87万
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财政年份：2018
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负责人：NAKAMURA ATSUTOMO
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依托单位：
Enhancement of room-temperature ductility of ceramic single crystals
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批准号：16K14414
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.33万
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财政年份：2016
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负责人：NAKAMURA ATSUTOMO
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依托单位：
Influence of charge states on structure and property of ferroelectric interfaces
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批准号：15H04145
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.65万
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财政年份：2015
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负责人：NAKAMURA ATSUTOMO
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依托单位：
海外基金
