Development of surface process technology with high speed and no damage by huge composite cluster
Development of surface process technology with high speed and no damage by huge composite cluster
批准号:
15H04157
负责人:
Seki Toshio
金额:
$8.99万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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会议论文
Reactive etching with ClF3-Ar neutral cluster beam
使用 ClF3-Ar 中性簇束进行反应蚀刻
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T.Seki, M. Kusakari, M. Fujii, T. Aoki and J. Matsuo]
通讯作者:
T. Aoki and J. Matsuo
ClF3 中性クラスタービームによる斜めエッチング
ClF3 中性簇束倾斜蚀刻
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小槻 日出夫, 池野 豪一, 山田 幾也, 八木 俊介, 214.瀬木 利夫,山本 洋揮,古澤 孝弘,吉野 裕,妹尾 武彦,小池 国彦,青木 学聡,松尾 二郎]
通讯作者:
214.瀬木 利夫,山本 洋揮,古澤 孝弘,吉野 裕,妹尾 武彦,小池 国彦,青木 学聡,松尾 二郎
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