溶媒を介した溶質-表面間の間接的引力相互作用に基づく高精度薄膜パターン形成法
溶媒を介した溶質-表面間の間接的引力相互作用に基づく高精度薄膜パターン形成法
批准号:
15J07665
负责人:
小山 輝
金额:
$1.22万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-24 至 2017-03-31
中文摘要
本研究課題は,固体表面近傍における液体の局所構造を制御することによる電気化学的な材料創製手法を構築することを目的としている.疎水効果に基づく溶質の高濃度領域を固体表面近傍に発現させることを戦略とし,疎水的モノマーを使用することおよび絶縁性固体表面の濡れ性を制御することによる導電性高分子薄膜のパターン形成を立案した.当該年度では,反応制御の場を単一表面上からナノ細孔内に展開し,主に疎水性孔壁をもつナノポーラスシリコン電極上における金属亜鉛析出制御およびナノ細孔内のpH制御に取り組んだ.金属亜鉛電解析出では,多価カルボン酸を配位子とする亜鉛錯体を使用し,疎水的に振る舞う0価の亜鉛錯体から金属亜鉛の電解析出を行うことにより,電解析出による孔充填が難しいとされる孔径約3 nmのナノ細孔内で亜鉛を高密度かつ多量に析出させることに成功した.本結果について,疎水効果に基づくナノ細孔内での亜鉛反応種の高濃度化,および高濃度化を引き起こすナノ細孔への高速物質供給により,ナノ細孔内での優先的な析出が実現したと考察した.本成果により,金属イオンの錯体化による価数の調整が,疎水効果に基づく電気化学反応制御に有効であることが示された.次にナノ細孔内のpH制御においては,疎水性カチオンとして知られる長鎖の第4級アンモニウムカチオンを含む水溶液を使用することで,孔径約10 nmのナノ細孔内のpHが中性領域から塩基性領域まで約5上昇しうることを示した.カチオンの疎水性が高いほどpHがより大きく上昇することから,ナノ細孔内で電気的中性を保つために共存アニオンである水酸化物イオンが疎水性カチオンとともに疎水性ナノ細孔内で高濃度化することが原因だと考察した.本成果により,イオンが長いアルキル鎖などの疎水性を示す構造をもつならば,疎水性ナノ細孔内の水溶液中にて十分に疎水効果の影響を受けることが示された.
英文摘要
本研究課題は,固体表面近傍における液体の局所構造を制御することによる電気化学的な材料創製手法を構築することを目的としている.疎水効果に基づく溶質の高濃度領域を固体表面近傍に発現させることを戦略とし,疎水的モノマーを使用することおよび絶縁性固体表面の濡れ性を制御することによる導電性高分子薄膜のパターン形成を立案した.当該年度では,反応制御の場を単一表面上からナノ細孔内に展開し,主に疎水性孔壁をもつナノポーラスシリコン電極上における金属亜鉛析出制御およびナノ細孔内のpH制御に取り組んだ.金属亜鉛電解析出では,多価カルボン酸を配位子とする亜鉛錯体を使用し,疎水的に振る舞う0価の亜鉛錯体から金属亜鉛の電解析出を行うことにより,電解析出による孔充填が難しいとされる孔径約3 nmのナノ細孔内で亜鉛を高密度かつ多量に析出させることに成功した.本結果について,疎水効果に基づくナノ細孔内での亜鉛反応種の高濃度化,および高濃度化を引き起こすナノ細孔への高速物質供給により,ナノ細孔内での優先的な析出が実現したと考察した.本成果により,金属イオンの錯体化による価数の調整が,疎水効果に基づく電気化学反応制御に有効であることが示された.次にナノ細孔内のpH制御においては,疎水性カチオンとして知られる長鎖の第4級アンモニウムカチオンを含む水溶液を使用することで,孔径約10 nmのナノ細孔内のpHが中性領域から塩基性領域まで約5上昇しうることを示した.カチオンの疎水性が高いほどpHがより大きく上昇することから,ナノ細孔内で電気的中性を保つために共存アニオンである水酸化物イオンが疎水性カチオンとともに疎水性ナノ細孔内で高濃度化することが原因だと考察した.本成果により,イオンが長いアルキル鎖などの疎水性を示す構造をもつならば,疎水性ナノ細孔内の水溶液中にて十分に疎水効果の影響を受けることが示された.
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溶存イオンサイズに依存したポーラスシリコン層内のpH変化
多孔硅层的 pH 值变化取决于溶解离子的大小
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小山輝, 今岡勇仁, 深見一弘, 北田敦, 安部武志, 邑瀬邦明]
通讯作者:
邑瀬邦明
DOI:
10.1016/j.elecom.2016.07.013
发表时间:
2016-10
期刊:
Electrochemistry Communications
影响因子:
5.4
作者:
[A. Muñoz-Noval;Kazuhiro Fukami;A. Koyama;D. Gallach;D. Hermida-Merino;G. Portale;A. Kitada;K. Murase;T. Abe;S. Hayakawa;T. Sakka]
通讯作者:
A. Muñoz-Noval;Kazuhiro Fukami;A. Koyama;D. Gallach;D. Hermida-Merino;G. Portale;A. Kitada;K. Murase;T. Abe;S. Hayakawa;T. Sakka
電極のナノポーラス化と錯体設計による亜鉛デンドライト成長の抑制
纳米多孔电极和复杂设计抑制锌枝晶生长
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松﨑健太, 小山輝, 深見一弘, 北田敦, 邑瀬邦明, 小山輝,鈴木湧也,深見一弘,北田敦,作花哲夫,安部武志,邑瀬邦明]
通讯作者:
小山輝,鈴木湧也,深見一弘,北田敦,作花哲夫,安部武志,邑瀬邦明
白金マイクロ粒子の析出に起因する絶縁性基板上での白金薄膜形成
由于铂微粒的析出而在绝缘基板上形成铂薄膜
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[小山輝, 深見一弘, 北田敦, 邑瀬邦明]
通讯作者:
邑瀬邦明
Effect of Displacement Deposition on Platinum Deposition within Nanoporous Silicon
置换沉积对纳米多孔硅内铂沉积的影响
DOI:
10.1149/06902.0029ecst
发表时间:
2015
期刊:
ECS Transactions
影响因子:
--
作者:
[Akira Koyama, Kazuhiro Fukami, Ryo Koda, Tetsuo Sakka, Takeshi Abe, Atsushi Kitada, Kuniaki Murase]
通讯作者:
Kuniaki Murase
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