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ナノグラフェン材料を応用した高感度ひずみセンサの開発

ナノグラフェン材料を応用した高感度ひずみセンサの開発
使用纳米石墨烯材料开发高灵敏度应变传感器
批准号:
15J07910
负责人:
楊 猛
金额:
$1.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-24 至 2017-03-31

项目摘要

项目成果

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本研究では,医療・介護ロボットの触覚や動き,脈拍や人体の動きなどをリアルモニタリングするために,グラフェンナノリボンを用いた大変形可能・超高感度ひずみセンサの開発を目標とし,CVD法を用いて高品質のグラフェン薄膜を成膜する技術を確立するとともに,成膜されたグラフェンを用いてグラフェンナノリボンを作製する技術を開発し,その電気特性の評価を行った.まず、熱CVD法を用いたアセチレンガスによる成膜において触媒であるCu薄膜の表面への酸化処理,アニール処理による表面の向配性の制御,またCu薄膜をポケット状へ加工することによるアセチレンの流量制御により,グラフェン核形成速度を制御することにより,高品質・単層グラフェン薄膜を成膜することに成功した.成膜されたグラフェン薄膜をCu薄膜上からグラフェンナノリボンへ加工するにはSiO2/Si基板上への転写が必須である.そのため、PMMAを用いたグラフェン薄膜転写プロセスの検討を行い,転写基板であるSiO2/Si基板表面への酸素プラズマ処理を施すことでグラフェン薄膜を全面転写することに成功した.また、グラフェンナノリボンの電気特性を計測するために金属電極をグラフェン薄膜上へ形成させる必要がある.そのためにSi基板を用いた遮断マスクを用いたグラフェン薄膜上金属電極の作製の検討を行い,グラフェン薄膜上へ金属電極を形成させることに成功した.さらに金属電極を形成した後,グラフェンナノリボン形成のためにHSQレジストを用いたEBリソグラフィ技術を用いて最小幅約40 nmのHSQ/GNR層の作製に成功した.作製されたグラフェンナノリボンのI-V特性は良好な値を示し,金属電極とグラフェンナノリボンのオーミックコンタクトが形成されていることを確認した.
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会议论文
"Study of the Electronic Properties and Strain sensitivity of Chemical Vapor Deposition-Grown Graphene from C2H2"
“C2H2 化学气相沉积生长石墨烯的电子特性和应变敏感性研究”
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [Meng Yang, Shinichiro Sasaki, Masato Ohnishi, Ken Suzuki and Hideo Miura,]
通讯作者: Ken Suzuki and Hideo Miura,
DOI: --
发表时间: 2015
期刊: ASME 2015 International Mechanical Engineering Congress & Exposition (IMECE2015) Proceedings
影响因子: --
作者: [M. Yang, M. Ohnishi, K. Suzuki and H. Miura,]
通讯作者: K. Suzuki and H. Miura,
グラフェンナノリボン応用ひずみセンサの開発
石墨烯纳米带应用应变传感器的研制
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [Yasunori Takeda, Yudai Yoshimura, Tomoko Okamoto, Hiroyuki Matsui, Daisuke Kumaki, Yoshinori Katayama, Shizuo Tokito, 笹木真一郎,鈴木研,三浦英生]
通讯作者: 笹木真一郎,鈴木研,三浦英生
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [竹田泰典, 垣田一成, 島秀好, 米田康洋, 田中康裕, 儘田正史, 横澤晃二, 福田憲二郎, 熊木大介, 時任静士, 楊猛]
通讯作者: 楊猛
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