Development of optical switch using a metal-insulator transition
Development of optical switch using a metal-insulator transition
批准号:
16K04955
负责人:
SHIBUYA KEISUKE
金额:
$3.08万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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DOI:
10.7567/1347-4065/ab00f6
发表时间:
2019-03
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[S. Migita;H. Ota;K. Shibuya;H. Yamada;A. Sawa;T. Matsukawa;A. Toriumi]
通讯作者:
S. Migita;H. Ota;K. Shibuya;H. Yamada;A. Sawa;T. Matsukawa;A. Toriumi
VO2の金属-絶縁体転移を用いたシリコン導波路光スイッチ
利用VO2金属-绝缘体跃迁的硅波导光开关
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[渋谷圭介, 澤彰仁]
通讯作者:
澤彰仁
Polarized Raman scattering of epitaxial vanadium dioxide films
外延二氧化钒薄膜的偏振拉曼散射
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shibuya Keisuke, Sawa Akihito, Keisuke Shibuya and Akihito Sawa]
通讯作者:
Keisuke Shibuya and Akihito Sawa
Metal-insulator transition in vanadium oxides films and its applications
钒氧化物薄膜中的金属-绝缘体转变及其应用
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[椎野貴之, 澤野拓哉, 井村敬一郎, 出口和彦, 佐藤憲昭, Keisuke Shibuya]
通讯作者:
Keisuke Shibuya
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Keisuke Shibuya]
通讯作者:
Keisuke Shibuya
共 7 条
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