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Development of optical switch using a metal-insulator transition
利用金属-绝缘体过渡的光开关的开发
基本信息
- 批准号：16K04955
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Phase transformation behavior of ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 films investigated through wide range annealing experiments
- DOI：10.7567/1347-4065/ab00f6
- 发表时间：2019-03
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：S. Migita;H. Ota;K. Shibuya;H. Yamada;A. Sawa;T. Matsukawa;A. Toriumi
- 通讯作者：S. Migita;H. Ota;K. Shibuya;H. Yamada;A. Sawa;T. Matsukawa;A. Toriumi
Polarized Raman scattering of epitaxial vanadium dioxide films
外延二氧化钒薄膜的偏振拉曼散射
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Shibuya Keisuke;Sawa Akihito;Keisuke Shibuya and Akihito Sawa
- 通讯作者：Keisuke Shibuya and Akihito Sawa
Metal-insulator transition in vanadium oxides films and its applications
钒氧化物薄膜中的金属-绝缘体转变及其应用
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：椎野貴之;澤野拓哉;井村敬一郎;出口和彦;佐藤憲昭;Keisuke Shibuya
- 通讯作者：Keisuke Shibuya
Impact of electron doping on electronic phases of vanadium dioxide
电子掺杂对二氧化钒电子相的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Keisuke Shibuya
- 通讯作者：Keisuke Shibuya
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SHIBUYA KEISUKE其他文献
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