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Development of optical switch using a metal-insulator transition

利用金属-绝缘体过渡的光开关的开发

基本信息

批准号：
16K04955
负责人：
SHIBUYA KEISUKE
金额：
$ 3.08万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Phase transformation behavior of ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 films investigated through wide range annealing experiments

DOI：
10.7567/1347-4065/ab00f6
发表时间：
2019-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
S. Migita;H. Ota;K. Shibuya;H. Yamada;A. Sawa;T. Matsukawa;A. Toriumi
通讯作者：
S. Migita;H. Ota;K. Shibuya;H. Yamada;A. Sawa;T. Matsukawa;A. Toriumi

VO2の金属－絶縁体転移を用いたシリコン導波路光スイッチ

利用VO2金属-绝缘体跃迁的硅波导光开关

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
渋谷圭介;澤彰仁
通讯作者：
澤彰仁

Polarized Raman scattering of epitaxial vanadium dioxide films

外延二氧化钒薄膜的偏振拉曼散射

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shibuya Keisuke;Sawa Akihito;Keisuke Shibuya and Akihito Sawa
通讯作者：
Keisuke Shibuya and Akihito Sawa

Metal-insulator transition in vanadium oxides films and its applications

钒氧化物薄膜中的金属-绝缘体转变及其应用

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
椎野貴之;澤野拓哉;井村敬一郎;出口和彦;佐藤憲昭;Keisuke Shibuya
通讯作者：
Keisuke Shibuya

Impact of electron doping on electronic phases of vanadium dioxide

电子掺杂对二氧化钒电子相的影响

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Keisuke Shibuya
通讯作者：
Keisuke Shibuya

DOI：
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SHIBUYA KEISUKE其他文献

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