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Development of Ultra-High Performance Sb-Based Teraherts Transistors

Development of Ultra-High Performance Sb-Based Teraherts Transistors
超高性能锑基太赫兹晶体管的开发
批准号：
16K06316
负责人：
Fujishiro Hiroki
金额：
$3.08万
依托单位：
Tokyo University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06316/
关键词：
テラヘルツ領域高電子移動度トランジスタHEMTInGaSb電子有効質量格子歪電子移動度遮断周波数極限性能トランジスタInSbラフネス散乱量子補正モンテカルロシミュレーション電子デバイス・機器テラヘルツ/赤外材料・素子低消費電力・高エネルギー密度電子・電気材料

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期刊：
影响因子： --
作者： [S. Fujikawa, T. Iwaki, Y. Harada, J.Takeuchi, Y.Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, and A. Kasamatsu, H. I. Fujishiro]
通讯作者： H. I. Fujishiro
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发表时间： 2017
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