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Development of Ultra-High Performance Sb-Based Teraherts Transistors
超高性能锑基太赫兹晶体管的开发
基本信息
- 批准号：16K06316
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure
InSb/Ga0.35In0.65Sb复合沟道结构的电子传输性能
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Fujikawa;T. Iwaki;Y. Harada;J.Takeuchi;Y.Endoh;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;and A. Kasamatsu;H. I. Fujishiro
- 通讯作者：H. I. Fujishiro
InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction
InSb HEMT 频率超过 300 GHz-fT，使用阶梯式缓冲层减少应变
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Fujikawa;K. Isono;Y. Harada;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;A. Kasamatsu;and H. I. Fujishiro
- 通讯作者：and H. I. Fujishiro
Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer
使用应变 Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb 阶梯缓冲器改进 Ga1-xInxSb 量子阱通道的电子传输特性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Hiraoka;Y. Endoh;K. Osawa;N. Kishimoto;T. Hayashi;R. Machida;A. Endoh;and H. I. Fujishiro
- 通讯作者：and H. I. Fujishiro
LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響
LT-AlSb生长对InSb HEMT结构电性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：遠藤 勇輝;原田 義彬;竹内 淳;岩木 拓也;町田 龍人;藤代 博記
- 通讯作者：藤代 博記
InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
InSb 基 HEMT，频率超过 300 GHz-fT，使用 Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb 阶梯缓冲层减少应变
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Fujikawa;K. Isono;Y. Harada;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;A. Kasamatsu;and H. I. Fujishiro
- 通讯作者：and H. I. Fujishiro
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Hirayama Hideki
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