刷新
{{item.name}}会员
Development of Ultra-High Performance Sb-Based Teraherts Transistors
超高性能锑基太赫兹晶体管的开发
基本信息
- 批准号：16K06316
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure
InSb/Ga0.35In0.65Sb复合沟道结构的电子传输性能
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Fujikawa;T. Iwaki;Y. Harada;J.Takeuchi;Y.Endoh;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;and A. Kasamatsu;H. I. Fujishiro
- 通讯作者：H. I. Fujishiro
InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction
InSb HEMT 频率超过 300 GHz-fT，使用阶梯式缓冲层减少应变
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Fujikawa;K. Isono;Y. Harada;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;A. Kasamatsu;and H. I. Fujishiro
- 通讯作者：and H. I. Fujishiro
Improved Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb Quantum Well Channel Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb Stepped Buffer
使用应变 Al0.40In0.60Sb/Al1-yInySb 阶梯缓冲器改进 Ga1-xInxSb 量子阱通道的电子传输特性
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Hiraoka;Y. Endoh;K. Osawa;N. Kishimoto;T. Hayashi;R. Machida;A. Endoh;and H. I. Fujishiro
- 通讯作者：and H. I. Fujishiro
LT-AlSb成長がInSb HEMT構造の電気的特性に与える影響
LT-AlSb生长对InSb HEMT结构电性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：遠藤 勇輝;原田 義彬;竹内 淳;岩木 拓也;町田 龍人;藤代 博記
- 通讯作者：藤代 博記
InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
InSb 基 HEMT，频率超过 300 GHz-fT，使用 Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb 阶梯缓冲层减少应变
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Fujikawa;K. Isono;Y. Harada;I. Watanabe;Y. Yamashita;A. Endoh;S. Hara;A. Kasamatsu;and H. I. Fujishiro
- 通讯作者：and H. I. Fujishiro
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Fujishiro Hiroki其他文献
Evaluation of GaN/AlGaN THz quantum-cascade laser epi-layers grown on AlGaN/Si templates by MOCVD
通过 MOCVD 在 AlGaN/Si 模板上生长的 GaN/AlGaN 太赫兹量子级联激光外延层的评估
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.12.027 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Fujikawa Sachie;Ishiguro Toshiya;Wang Ke;Terashima Wataru;Fujishiro Hiroki;Hirayama Hideki - 通讯作者：
Hirayama Hideki
Fujishiro Hiroki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
InNチャネル高電子移動度トランジスタ実現に向けた結晶成長技術と極性制御
实现InN沟道高电子迁移率晶体管的晶体生长技术和极性控制
- 批准号：
24K17314 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
CAREER: Enhancing GaN-on-Si high electron mobility transistor technology for high frequency and high power applications
职业：增强用于高频和高功率应用的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管技术
- 批准号：
2239302 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Continuing Grant
シリコン基板を用いた「酸化ガリウム高電子移動度トランジスタ」の開発
开发出使用硅基板的“氧化镓高电子迁移率晶体管”
- 批准号：
21K04204 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of Electron-Deficient Organic Semiconducting Polymers with Record High Electron Mobility
开发具有创纪录高电子迁移率的缺电子有机半导体聚合物
- 批准号：
19H02786 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
EAGER: Flexible III-N High-Electron-Mobility Transistors with Controlled External Bending Strains for Wide-Bandgap Semiconductor Devices
EAGER：用于宽带隙半导体器件的具有受控外部弯曲应变的柔性 III-N 高电子迁移率晶体管
- 批准号：
1842299 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Standard Grant
窒化ガリウムおよびその混晶の異種界面制御と高電子移動度トランジスタへの応用
氮化镓及其混晶异质界面控制及其在高电子迁移率晶体管中的应用
- 批准号：
18J20386 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of novel amorphous oxide semiconductor with high electron mobility through anion substitution
通过阴离子取代开发具有高电子迁移率的新型非晶氧化物半导体
- 批准号：
18H02054 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors
氮极性InGaAs沟道高电子迁移率晶体管的研究
- 批准号：
16H04341 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Carrier doping in ScN films with high electron mobility
高电子迁移率 ScN 薄膜中的载流子掺杂
- 批准号：
15K04684 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Research and development of complimentary high electron mobility transistor for next-generation information and communication technology
用于下一代信息和通信技术的互补高电子迁移率晶体管的研究和开发
- 批准号：
26870910 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)